欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体制造过程中流入硅片表面的污染与器件的可靠性下降、晶体缺陷一起带来良品率的减压,因此控制这种污染的技术非常重要。因此,在半导体制造技术方面,污染控制技术,如设计技术和工艺技术等具有重要意义,一直在发展。作为污染控制技术的一部分,清洁技术在制造工艺上实际上一直被用作连接到晶片上的直接污染控制手段,半导体工艺约占清洁工艺的20%。事实上,为了稳定地形成高质量的超细薄膜,确保高选择性的VLSI/ULSI制造技术,基于邀请晶技术的SI基板清洗变得非常重要。例如,晶片必须在热氧化杂质扩散硅薄膜的外延生长、化学气相沉积和其他热工艺等工艺之前清洗干净。目前,湿式清洁被广泛使用,原因是它对从硅酮表面清除嘴、金属污染物和自然氧化膜有效。但是,湿式清洁不仅需要大量的化学试剂和DI Water,而且因为化学试剂的废弃成本高、有害,所以越来越接近其有用性的极限。      本方法通过SEM和XPS分析了在去除金属污染源的清洗方法中,利用UV/O3代替等离子体、UV/Cl2、Vapor phase对硅片进行精密清洗的方法,在臭氧和紫外线各自的清洗方法中,根据清洗时间,Vapor表面残留物质。 实验      图1显示了通过本实验使用的臭氧发生器、原料气体...
发布时间: 2021 - 11 - 09
浏览次数:3
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,微米级低温固体微粒的热流体机械高功能性在应用于高热发射器件的超高热通量冷却技术领域受到关注。为了在先进的纳米技术领域有效利用这种低温固体颗粒的高性能,我们实验室开发了一种新的物理半导体清洗方法,该方法采用低温喷雾。      在本方法中,为了阐明微观(SN2)颗粒行为的详细机理,进行了综合计算流体动力学分析,以阐明传统测量难以获得的微观低温单固体颗粒传热机理。对于控制方程的表述,单个微SN2颗粒相变的热流体动力学行为由纳维尔-斯托克斯方程、连续性方程和能量方程控制。这种现象的决定性特征是发生在SN2粒子和周围气相界面的强烈蒸发(以及后来的冷凝)。除了这些热流体动力学分析之外,还研究了微SN2喷雾在半导体晶片清洗技术中的应用。从实验和数值两个方面阐明了SN2粒子撞击硅片抗热机械去除清洗特性。特别研究了超高热通量冷却对有机材料热收缩抗蚀剂去除性能的影响。此外,新发现了超声雾化微固态氮对晶片超净性能的影响。 实验      对于在本方法中使用的晶片样品,检查了正KrF光致抗蚀剂涂覆的多晶硅/栅极氧化硅/硅衬底的剥离性能。这些晶圆是按如下方式制造的。首先,热氧化8英寸p型硅衬底,并在衬底上沉积6纳米厚的栅极氧化硅层。使用LPCVD(...
发布时间: 2021 - 11 - 09
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      应用兆频超声波能量去除颗粒已被证明是一种非常有效的非接触式清洁方法。对晶片表面的清洁同样重要的是干燥过程。一种非常常见的方法是高速旋转干燥,但从减少颗粒和防止水痕的角度来看,这都是无效的。一种高性能的替代品是基于旋转力和马兰戈尼力的“旋转戈尼”干燥器。这两种技术的结合为清洗和干燥晶片提供了有效的平台。      这两种技术的结合为清洁和干燥晶圆提供了一个有效的平台。氧化后CMP清洁的结果表明,相当于标准清洁,减少COO和工具足迹。铜-cmp后巨气清洗使用专有的清洗化学,然后“拮抗”干也是非常有效的颗粒去除。此外,有图案的铜表面无腐蚀。      晶片表面的有效清洁是任何半导体工艺的重要部分。清洁中经常被忽视的一个方面是清洁后的干燥。忽略干燥过程,清洁带来的许多好处可能会丧失。因此,有效的清洁是干燥程序中必不可少的。 实验      所有兆频超声波清洗和干燥数据都是在维泰克金手指200毫米单晶片平台上收集的。典型的转子式干燥条件为300至500转/分钟,去UPW流速为200毫升/分钟,N2流速为2毫升/分钟,干燥时间小于25秒。以1800转/分的速度旋转干燥需要25秒。所有加工都在室温去离子(19℃)下进...
发布时间: 2021 - 11 - 09
浏览次数:3
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在半导体器件的制造过程中,兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中,平面硅片被浸入水基溶液中,并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面的方向传播。兆频超声波清洗领域的大部分工作都是针对寻找兆频超声波功率和磁场持续时间等条件来优化粒子去除。已知或相信在兆电子领域中有几个过程是有效的,即微空化、声流和压力诱导的化学效应。兆声波可以想象为以音速传播到流体中的压力变化。当声波通过固体颗粒时,该波中的压力梯度会对该颗粒施加作用力。本文的主要目的是从理论上研究与二阶声场相关的现象,如声波流动,特别是兆频超声波清洗过程中颗粒去除的施里希廷流动。该理论研究由两部分组成,即计算固体/粘性流体界面处的时间相关(一阶)声位移场,然后计算时间无关(二阶)压力场。在典型的兆频超声波清洗槽中,一次清洗几个晶片。晶片在盒子中彼此平行排列。兆声波传播通过的介质是不均匀的,因此可以简单地表示为由水基流体层分开的交替硅板组成的层状复合材料。因为晶片直径明显大于兆声波的波长,所以层状复合材料在这里被视为在平行于晶片/流体界面的方向上是无限的。此外,为了简化模型,我们将固体介质视为各向同性的。在本文中,我们考虑两种多层几何形状。首先,我们研究了入射声波和由硅和水组成的两个半无限同质介质之间的单个界面之间的相互作用。这个系统将...
发布时间: 2021 - 11 - 09
浏览次数:7
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在镶嵌集成方案中,铜被用作互连材料。在镶嵌集成方案中,通过等离子体工艺的蚀刻处理导致形成聚合物残留物、在电介质侧壁上溅射的铜、通孔底部的铜氧化以及硬掩模表面的铜沉淀。为了去除这些杂质,必须进行通孔后蚀刻清洗。      我们测试了几种由稀释的氟化氢和有机酸组成的含水清洗溶液。稀释的氟化氢主要用于去除聚合物残留物和有机酸,以清洁铜表面。这些混合物已经被研究过,并且与几种多孔和致密的ULK材料相容。本文研究了稀氢氟酸溶液中有机酸和气泡对铜和氧化铜溶解速率的影响。首先,通过X射线反射仪表征确定的铜溶解动力学获得氧化铜和铜蚀刻速率和粗糙度。其次,进行形态计算以解释作为溶液和气体鼓泡的函数的铜蚀刻速率差异。 实验      通过在硅衬底上100-150的TiN层上沉积500的铜(PVD)层来制备200 mm样品。将铜晶片暴露在洁净室气氛中,以获得几埃(35至40埃)的氧化铜膜。测试了几种含有3.5重量%有机酸或稀释的0.05重量%氟化氢加3.5重量%有机酸的溶液(水基化学)(表1)。通过O2或N2气体鼓泡来调节溶液中的气体含量。 表1 测试的清洗溶液      对于动力学研究,将相同的铜样品在25℃的溶...
发布时间: 2021 - 11 - 09
浏览次数:12
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在过去的几十年中,结晶硅基聚乙烯醇缩丁醛由于其低成本、稀土丰富和可靠性而在商业聚乙烯醇缩丁醛中占主导地位;然而,差的红外线由于其间接带隙的吸收,以及由表面纹理化工艺产生的高反射率,损害了电池效率,因此对硅基光伏模块的大规模部署提出了令人生畏的挑战。此外,努力更有效地利用阳光的新思想也在发展中。一种有前途的高效硅光伏技术是使用黑硅太阳能电池,这种电池基于具有微/纳米结构表面的晶体硅(c-Si)晶片,它可以有效地捕获宽范围波长和入射角的太阳光。硼硅卓越的光俘获能力允许显著减小晶片厚度,即使没有应用抗反射涂层;因此,它是具有成本效益银图标聚乙烯吡咯烷酮的有前途的候选材料。迄今为止,硼硅生产中最强的趋势之一是在氧化氟化氢溶液中利用金属催化的硅蚀刻,因为它具有以下优点:简单、快速、多功能和可扩展性。近年来,通过浸渍法可规模化生产硼硅的进展促进了其在高效硅太阳能电池中的实际应用。MacEtch制造b-Si的成功与其简单性和与现有工业硅太阳能电池生产设施的兼容性密切相关。 硅浸渍法制备黑硅:浸渍黑硅表面的微/纳米结构取决于金属催化剂的种类、蚀刻时间、蚀刻剂的组成和处理温度。图10a–d显示了镀银硅片在含氧化性硝酸盐的HF水溶液中的形态演变。随着蚀刻时间的推移,银颗粒逐渐深入大块硅中,并导致在硅表面形成排列整齐的SiNW阵列。在氧化HF溶液中,硅的金浸...
发布时间: 2021 - 11 - 08
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着半导体器件不断向越来越小的尺寸发展,保持硅表面无污染以提高器件功能、产量和可靠性变得越来越重要。基于RCA的湿法化学清洗仍然广泛用于半导体器件制造工艺。经过SC-1和SC-2处理后,硅表面具有约1纳米厚的化学氧化层。对于预浸清洗,低质量的化学氧化层最好在生长高质量的热栅氧化层之前去除。这可以通过稀氟化氢(DHF)处理来实现。在本方法中,我们结合电位测量技术、TXRF技术和电感耦合等离子体质谱法来测定不同添加剂在DHF溶液中对硅表面超压铜输出的影响。用光散射和透射电镜研究了溶液中表面活性剂与铜离子的相互作用。用扫描电镜研究了表面活性剂对减少硅表面铜成核的影响。硅表面吸附的表面活性剂层用原子力显微镜进行了验证。在此基础上,总结了DHF清洁生产中对铜产出的表面影响。 实验我们选用盐酸、双氧水、硝酸、阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂等不同添加剂,研究它们对铜输出的影响。我们使用的阳离子表面活性剂是烷基四甲基溴化铵(CTAB),阴离子表面活性剂是含硫表面活性剂。它们具有相似的链结构和分子量。我们之前的结果表明,这两种方法在稀释过程中都有效地防止了颗粒的再沉积。用一个2英寸(100)电阻率为1-10ωcm的n型硅片(Silicon Quest International)在安装到定制的特氟隆电化学电池之前,经过SC-1清洗、DHF清洗和去...
发布时间: 2021 - 11 - 08
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      硅晶片在晶片制造工艺或元件制作工艺过程中,会受到各种污染物、表面特性的影响。 这些污染物是导致半导体元件产出率下降的原因,可以在晶圆制造工序后的最后阶段进行清洁处理,也可以在元件制造工序前和工序中间进行清洁处理。进行清洁工程,使污染物浓度最小化。      使用HF清洗后,必须对重新吸入的微粒进行清除。BOE溶液是NH4F和HF混合的溶液,与DHF溶液一样,NH4F溶液有助于酸的货物去除和NH4F溶液去除微粒,NH4F和HF混合使效果比HF颤抖。本方法对广泛应用于通用器件的Polished Si晶片和用于逻辑器件的Epitaxially-grown Si晶片进行了表面处理时表面的化学物理变化,确定了相互之间的三个定过程后特性差异。 实验      本方法对直径为300mm的抛光晶片和EpiLayer晶片采用不同的清洁液进行表面处理后,表面的变化进行了鉴定。晶片为P-type兴奋剂,以抑制杂质为1016cm−3浓度,在1200摄氏度高温下进行离子注入掺杂。 切成10 mm×10 mm大小的雕塑试片后,用清洁液进行了表面处理。 选用SC-1作为RCA洗脱方法; SC-1洗脱方法是由氨水及过氧化氢水、超纯水按1:1:5的比例混合...
发布时间: 2021 - 11 - 08
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶圆-机械聚晶(CMP)过程中产生的浆体颗粒对硅晶片表面的污染对设备工艺中收率(Yield)的下降有着极大的影响。      为了去除氧化后CMP晶片表面的颗粒,通过与DHF(稀释HF)、非离子表面活性剂PAAE(聚氧乙烯烷氧芳基醚)、DMSO(二甲基亚砜)和D.I.W.混合制备了新的清洗溶液。硅酮晶片故意被硅、氧化铝和PSL(聚苯乙烯乳胶)污染。与传统的AMP(氢氧化铵、过氧化氢和D.LW的混合物)相比,这种大气辐照下的清洗溶液可以在室温下同时去除颗粒和金属,而不会增加微粗糙度、金属线腐蚀和有机污染物沉积等副作用。这表明这种清洗溶液在铜刷清洗工艺和传统的铜刷后清洗工艺中具有广阔的应用价值。 实验      本方法采用直径在0.1 nm~0.5 im之间的二氧化硅颗粒、铝矾土颗粒和polystylene latex(PSL)颗粒。 在人为污染的清洁槽中加入晶片,吸附量调整到表面约30000个左右,该数值在本实验期间保持恒定使用。 所用超声波采用的是间接方式的1000 KHz/600 W,本方法研究的清洁液A-HF(DHF,Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether和Dimethylsulfoxide的混合物)的...
发布时间: 2021 - 11 - 08
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言最近,作为替代能源,太阳能电池在世界范围内受到很大的管道种植。太阳能电池是将太阳能转换为电能的无污染和半永久性装置,其发展性备受期待。在多种太阳能电池中,晶体硅太阳能电池占整个太阳能电池市场的80%以上,正处于太阳产业的核心。据预测,这种晶体硅太阳能电池的产业发展战将持续一段时间。可以说,太阳能电池产业最重要的是提高效率,降低制造单价。为了减少光的表面反射损失,形成了表面组织和防反射膜,形成了防止太阳电池背面电子-专业对团聚损失的背面电场,提高了短波长区域光能的吸收率。在表面钝化的情况下,减少晶体硅片表面的dangling bonds等引起的电子-专业对团聚。在HF处理引起化学钝化的情况下,由于晶圆表面的dangling bonds等键的氢种团,期待钝化效果。Si3N4膜由于最小的氢(hydrogen)减少了dangling bonds等缺陷、固定电荷(fixed positive charge)的电场效应减少了团聚等原因,正被用作或正在研究太阳能电池前/后的钝化膜。本文采用光引起的矿化度carrier lifetime测量方法,考察了N型硅片的化学HF(以下简称HF)处理效果。 实验表1显示了本研究中的实验方法。样品采用4等分法使用了无电阻3-5ωCM、厚度500-550 m的N型(100) 4inch单晶硅基板。样品的基本清洗采...
发布时间: 2021 - 11 - 08
浏览次数:3
1085页次13/109首页上一页...  891011121314151617...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开