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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言从模型抵抗薄膜中浸出到静态水量中的过程遵循一级动力学。从饱和浓度和浸出时间常数出发,得到了时间零处的浸出速率,这是评价透镜污染潜力的一个高度相关的参数。在模型中看到的浸出水平通常超过静态和基于速率的动态浸出规格。浸出对阴离子结构的依赖性表明,疏水阴离子越多,饱和浓度越低,而浸出的时间常数随着阴离子链长度的增加而增大。因此,在我们的模型系统中,非烧脱离子和PFOS阴离子的初始浸出速率是相同的。对水预冲洗过程的调查意外地表明,虽然预冲洗时间大大超过了浸出现象饱和所需的时间,但一些PAG仍可从表面浸出,预计这相当于表面可浸出PAG的完全耗尽。提出了一个模型,通过在预冲洗过程中空气/水/空气接触序列中表面能量的变化来解释这一现象。 实验使用的模型PAGs为三苯基三氟酸磺酸、非磺酸和全氟磺酸,这是商业获得的。模型电阻剂在PGMEA中配制,并使用每g固体36µmolePAG的PAG加载。在4英寸或8英寸的晶片上,软烘烤130°C后,薄膜厚度约为150nm。浸出实验要么在前面描述的全晶圆浸没装置1中进行,要么使用直接放置在晶圆表面的Oring(内径4厘米)进行。对于全晶片浸没装置,需要约45ml的水来完成填充,对应于8“晶片上方约1.3mm的水柱高度。在o形环法中,将称重量的水(约4.3-4.9g)迅速倒入圆环中,并在规定的时...
发布时间: 2022 - 02 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文报告了证明硅的预氧化清洗对5种不同清洗程序的氧化动力学的影响的实验结果。这些清洗处理包括简单地冲洗以及nh4OH-HHCI-H202和HF溶液的组合。在低厚度下计算的不同速率表明了界面效应对初始氧化状态的影响。在高厚度计算的速率差异表明,由于清洁处理,氧化物结构的变化,这是由折射率的椭偏距测量表明氧化物密度的变化。使用不同的预氧化前清洗程序可以通过硅的热氧化来改变二氧化硅的生长速率。本文描述了硅表面处理后的氧化动力学的类似研究结果。选择这些化学处理方法进行研究,因为它们构成了那些在广泛使用的RCA清洁剂中。结果表明,氧化动力学在所研究的整个厚度范围内都发生了变化,即24-430nm。经过一系列实验,8次氧化处理的厚度与时间的数据如图1所示。所绘制的厚度是至少4个测量的平均值,2个样本中每个至少2个测量。前四种氧化时间小于200分钟,只含有“不清洁”、“仅碱”、“仅酸”和“碱+酸+HF”样品。为了更好地了解高频预处理对氧化的影响,我们加入了“NoClean+HF”组。首先,需要注意的是,每次氧化的相对厚度顺序都是相同的。“碱+酸+HF”总是有最厚的氧化物,所有的氧化作用都与相对厚度一致,这有力地证明了预氧化处理对氧化动力学有显著影响。 图 2图1数据的另一个主要特征是这些点在较短的氧化时间下聚类,随后在较长的氧化时间下发散。当比较“仅...
发布时间: 2022 - 02 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究通过提高镀电铜薄膜的原子构型,研究了控制底层结晶度的有效方法,结果表明,通过控制底层的结晶度,提高电镀铜薄膜的结晶度,提高薄膜的力学性能,提高电镀铜互连的稳定性和寿命,本研究从晶界和晶界结晶度变化的角度,实验研究了微观结构和物理性质变化的主要因素,详细研究了通过控制电镀铜薄膜基材的结晶度的控制方法。为了控制互连的性能和可靠性,消除多孔边界以减少填充TSV结构的铜薄膜的体积变化是非常重要的,这些多孔晶界经常出现在晶层材料上,晶格常数高度不匹配,如图所示1,钽通常被用作屏障层,以防止铜扩散到围绕铜互连的氧化物薄膜和硅衬底中。然而,钽与铜晶格常数约18%的大不匹配是外延生长铜结晶度低于大块铜的主要原因。因此,有必要控制底层的微观纹理,以提高电镀铜薄膜的结晶度。 图1首先,利用CVD(化学蒸汽沉积)在硅片上沉积了一个1.5m厚的二氧化硅薄膜,其次,用EB(电子束)或RF溅射法依次沉积50nm厚Ta阻挡膜和150nm厚Cu种子膜,研究沉积方法对电镀铜薄膜结晶度的影响,在电流密度为10mA/cm2或50mA/cm2的条件下,用779g/l纯水、157g/l硫酸盐和64g/l氧化铜混合镀5m厚的铜膜,溶液中不添加添加剂以简化微纹理,最后,将基板切成小条状样品,4个样品在50oC/min的400℃电镀30分钟后退火,退火后,将样品以20℃/min...
发布时间: 2022 - 02 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文根据测量的OCP和平带电压,构建了氢氧化钾水溶液中n-St的定量能带图,建立了同一电解质中p-St的能带图,进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图,硅在阳极偏置下的钝化作用归因于氧化物膜的形成,氧化产物的氧化速率和扩散速率之间的竞争决定了阳极氧化是蚀刻过程还是钝化过程。研究了重掺杂硅的蚀停止,原因是高载流子浓度下氧化膜的生长速率提高。采用(I00)方向的商业n和pSt。n-St的电阻率为6~i~-cm,p-St的电阻率为15~20~-cm。这些样品在沸腾的三氯乙烷、丙酮和甲醇中依次脱脂,用去离子水冲洗后,将样品浸入HF/H20溶液中,以去除天然的氧化物,将共铜合金粘贴在样品和铜板之间,为电化学测量提供良好的接触,将样品和铜板固定在聚四氟乙烯样品支架中,其中硅的暴露面积为0.072cm2,在2M氢氧化钾溶液中浸泡前,将样品浸入HF/H20溶液中几分钟,然后用去离子水冲洗。在样品达到平衡后,用恒电位器将n-St的电位控制在比OCP稍多的阳极电位上,记录了稳定的电流,称为暗电流,然后打开光,阳极电流突然变化,达到一个稳定的值,称为光电流。当能带弯曲时,在n-St中存在一个电场,将光化电子和空穴分开,这些光生孔对阳极电流的贡献是光电流的磁化率(hi),对于n-St,光产生的电子和空穴重组的机会增强了,因此,当施加的阳极偏置接近平带电压时,光电流的敏...
发布时间: 2022 - 02 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文我们展示了一个使用纯湿法方法的清洁过程的性能,光刻胶和侧壁聚合物的去除是通过结合浸泡和使用环保化学方法的高压喷雾工艺来完成的,这减少了流程步骤的总数,从而降低了总体成本,先前的工作表明,物理分析,包括SEM、EDX和Auger,以及电气测试,都需要确定清洁度,本研究的重点是电气测试,以确定仅湿清洁的性能。通过硅通(TSV)技术允许通过芯片垂直进行电气连接,当集成到设计中时,该技术可用于减少互连长度,减少软件包的大小,并增加芯片之间的带宽。在博世DRIE蚀刻过程中,这是通过交替进行的腐蚀性蚀刻步骤和含氟聚合物沉积来完成的,各种清洁的工艺被用来从TSV中去除这种聚合物材料,我们展示了一个使用独家湿式方法的新湿式清洁过程的性能,使用电气测试进行性能评估,并使用物理计量学进行验证。每个晶片在精确控制的条件下浸泡在加热、循环、溶剂浸没浴中,测序基于下游工艺时间,确保芯片浸泡时间相同,通过适当的化学性质,浸泡时间允许光刻胶的溶解和去除侧壁聚合物涂层,浸泡后,溶剂湿晶片被运送到一个单晶片自旋工艺站,以完全去除残留的光刻胶和侧壁聚合物,高压化学风扇喷雾的使用增强了残差的去除。冲洗过程确保了晶片的完全清洁和无颗粒。工艺流程如图2所示。正硅酸四乙酯(TEOS)薄膜首先沉积在(a),蚀刻TSV与由臭氧/TEOS热化学气相沉积过程(c),形成的氧化物排列铜屏障和种子...
发布时间: 2022 - 02 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文报道了利用等离子源体分子束外延(PSMBE)对6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN薄膜晶体质量的影响,我们了解了AlN在不同温度下在PSMBE系统中的生长机制。AlN薄膜的沉积是利用我们实验室开发的一种独特的技术,即等离子体源分子束外延(PSMBE)来完成的,一种高纯氩气和氮气的混合物被供应到中空阴极,其中形成了由高能铝、氩气和氮气组成的等离子体,能量在1eV左右的+和N的+离子留下空心阴极源,由于施加在衬底上的负偏差,进一步加速了这个通量。AlN薄膜在440℃、500℃、560℃、640℃和800℃下生长,衬底偏置电压为-15eV,这是我们的PSMBE系统的最佳电压,通过压电厚度监测器测量,所有薄膜的厚度都约为2000a。用反射高能电子衍射(RHEED)和原子力显微镜(AFM)、x射线衍射(XRD)和光学反射率对薄膜进行了原位表征,AFM表征是使用数字仪器纳米镜III与标准氮化硅针尖进行的,在scintagX1θ-θ衍射仪中对薄膜进行了XRD表征,样品被支撑在一个零背景的石英板上,对于电测量,Pt电极沉积在磁磁控溅射系统中,在500℃生长的样品上,毯子电极沉积在碳化硅衬底的底表面,直径为1毫米的顶部圆形接触通过硬掩模沉积在薄膜表面,使用HP4192ALF阻抗分析仪在1MHz频率下进行C-V表征。I-V测量是在带有直流电压源的HP414...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在氢氧化铵溶液中,使用各向异性硅蚀刻技术,在SOI晶片上制备了无连结fet(JL-FET)器件,以O2/N2电子回旋共振(ECR)等离子体作为栅极介质生长氮氧化硅,以反应性溅射作为栅极金属沉积硝化钛,利用扫描电镜成像和电学测量方法对其结构进行了表征,最终得到的硅通道厚度为65nm,器件的电性能与预期一致。通常在几纳米内从1020个原子/cm3p型掺杂剂到1020个原子/cm3n型掺杂剂,相比之下,JLFET器件在整个器件中具有相同的掺杂浓度,从而降低了掺杂剂的扩散速率,除了使用标准的热退火和更少的离子注入步骤可以降低制造成本外,JL-FET也因其性能而脱颖而出,电流密度通过衬底[1]的厚度分布,参与电流的载流子为大多数类型,并且一些电荷散射现象可以通过极化栅在平带条件来减轻,这允许给定器件的更大电流。在高频缓冲溶液中,使用湿式氧化和氧化硅蚀刻法将衬底变薄到约200nm,然后将晶片在50keV下离子注入磷,剂量为1013个原子/cm2,掺杂剂活化在1000°C的常规烤箱中惰性气体中进行30分钟,这一离子注入步骤的计划比通常剂量低,因为较低浓度的掺杂杂质会导致更宽的耗尽区域,通过牺牲一些电接触质量,在模拟步骤中只在25nm中观察到的晶体管行为,以及在更薄的器件中,即使在75nm厚的器件上也可以观察到,通过光刻技术确定了活性区域。通过ECR等...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料随着生长技术的改进,异质结构器件变得越来越突出,高选择性蚀刻工艺通常是必需的。在这项研究中,我们将观察压力、源功率和阴极rf功率对蚀刻选择性的影响。本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的。本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的,电感耦合等离子体反应堆是一个负载锁定的等离子体-热单反770,它使用一个2兆赫,3圈线圈电感耦合等离子体源,使用导热膏将所有样品安装在阳极化的铝载体上,铝载体夹在阴极上,用氦气冷却,通过在样品上叠加射频偏压(13.56兆赫兹)来定义离子能量或德拜,样品用Shipley 4330光致抗蚀剂图案化。 图1在500瓦电感耦合等离子体源功率、2毫托室压力和130瓦阴极射频功率下,氮化镓、氮化铝和铟的蚀刻速率在图1中显示为%氩在Cl2/氩等离子体中的函数,随着%氩浓度的增加,氮化镓和氮化铝的蚀刻速率在大于20%氩时先增加后降低,蚀刻速率的最初增加归因于氩离子对蚀刻产物更有效的溅射解吸,然而,在较高的氩含量下,由于等离子体中氯离子浓度较低,蚀刻速率降低,铟蚀刻速率通常随着%氩的增加而增加,InN蚀刻机理的强物理依赖性可能是低挥发性InC的结果,InC是在25 ℃下形成的蚀刻产物,必须从表...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种用于在线测量氢氧化钾蚀刻工艺中的氢氧化钾浓度的方法。在这个过程中,每蚀刻一个硅原子就释放一个氢分子。 溶液中的硅酸氢离子H2SiO42倾向于聚合物- ize,这有时会导致反应产物出现“黏糊糊”的外观,并使确定实际反应更加困难。 为了简单起见,这里使用上面显示的反应来描述该过程,并且通过使用氢氧化钾和硅酸氢二钾的摩尔质量来计算本文后面显示的重量/重量浓度值。 氢氧化钾浴中硅的蚀刻速率取决于浴的温度和氢氧化钾浓度。为了获得蚀刻时间的足够精确的估计,必须测量这两个参数。 虽然测量温度是一项微不足道的任务,但也有一些挑战浓度测量中的长度。随着蚀刻的进行,氢氧化钾被消耗,如上面所示的反应方程式所示。硅复合物不参与该过程,但是随着浓度的变化,蚀刻速率变化。 有一些测量,例如折射率测量 能够以足够的精度测量水中氢氧化钾的初始浓度。这个误差源对于单个蚀刻批次来说并不显著。如果在不更换KOH溶液的情况下进行几批蚀刻,累积误差将产生不可接受的结果。间接方法包括测量硅浓度并从总浓度中减去该浓度,这需要两次独立的测量。制造再利用或回收系统背后的经济依赖于获取和处理化学品的高成本。这一成本必须与以足够精度测量浓度所需的测量系统的额外成本相平衡。测量系统也应该是免维护的除了可能的定期校准外,很少维护。该系统在物理上也应足够小,以便安装在处理站中,并且应在线测量浓...
发布时间: 2022 - 01 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文章介绍了一种深垂直晶片孔和铜金属化射频硅集成的新方法,通过晶片孔通过深干蚀刻工艺实现,并使用铜电镀填充;提出了一种填充干蚀刻、高高宽比、紧密间隔间隙的新技术,并介绍了通晶片铜插头的制备工艺和电学表征,利用该技术,成功地实现了几种具有通晶片连接的新型射频结构。实现三维射频组件的工艺流程如图1所示,在这些实验中使用了标准的4英寸硅片,采用各向异性湿蚀刻步骤,局部将晶片厚度降低至目标值(到晶片正面的期望距离地平面),在我们的实验中,使用了25-150µm厚的硅膜,通过膜的电感耦合等离子体蚀刻,实现了方形和圆形的高纵横比通孔,通过PECVD或LPCVD在孔的两侧或孔内沉积一个氧化物隔离层,在晶片的背面蒸发了20nm的Cr粘附层和300nm的Cu种子层,这种蒸发过程具有方便的特点,蒸发的金属不能深入内部。 图1因此,铜岛在通道的底部附近形成,并迅速生长,这导致了通道底部的部分堵塞,这对于下一步的自下而上的电镀是非常理想的,采用光刻法确定这一侧的金属结构,并进行铜电镀,以增加这些结构的金属厚度,在这一步中,随着铜从内部的铜种子生长,通道的底部完全堵塞。一旦达到晶片背面Cu结构的期望厚度,在这一侧施加光刻胶层,同时进行自底而上的铜电镀,直到孔完全填充,得到均匀的通晶片铜塞,然后在晶片的正面进行另一次铜蒸发,然后进行光刻和电镀,以实现这一...
发布时间: 2022 - 01 - 25
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