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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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1Marangoni干燥机理分析:Marangoni干燥原理如图1所示,晶片在IPA气氛下与水分离(可通过晶片提拉或水慢排的方式实现),完全分离后,流体慢排使花篮干燥,开启排风将IPA蒸汽抽掉,同时通入氮气吹干晶片表面残留的IPA。 在IPA蒸汽存在的环境中,由于IPA的表面张力比水小得多(25℃,IPA表面张力为20.9×10-3N/m:水的表面张力为72.8×10-3N/m),所以会在坡状水流表层形成表面张力梯度,产生Marangoni对流,使水更容易从晶片表面脱离。 图1中的第2个步骤“晶片缓慢提拉”是Marangoni干燥的核心环节.提拉过程中,晶片表面的水会呈坡状流下,如图2所示,如果两片晶片距离很近(例如处在花篮的相邻槽中),这种坡状水流会相连为弯月形[1].这种坡状水流的最高点与晶片接触,主要受到4种力的作用,即水的重力G,晶片/水的界面张力γls,晶片的表面张力γs和水的表面张力γl,θ为水与晶片的接触角,如图3所示。2实验部分利用100mm(4英寸)硅抛光片进行IPA干燥,分两组实验,干燥后利用光散射测试系统检测水痕缺陷。A组:分别在提拉速率1mm/s、2mm/s和3mm/s下进行不同IPA流量的Marangoni干燥,减压排风阶段氮气流量80L/min。B组:提拉速率1mm/s、IPA流量20L/min下进行Marango...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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SiC单晶的清洗:SiC单晶的湿化学清洗法研究中,样品的清洗和接触角的测定在同一实验室完成,有效避免样品的再次污染;为防止清洗过程中的污染,清洗所用的容器均是定制的聚四氟乙烯(PTFE)器皿。实验中尝试了不同的湿化学清洗法,下面是主要清洗方法的流程:1、RCA清洗法:(1)将30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中,边搅拌边缓慢加入10mlH2O2,将SiC单晶样品放入混合液中,恒温加热30min;(2)DI水冲洗3min,将样品表面的混合液冲洗干净,N2吹干;(3)将30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中,然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2,将样品放入混合液中,恒温加热20min;(4)DI水冲洗,N2吹干;(5)将30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中,然后加入10mlHCl和10mlH2O2。将样品放入混合液中,恒温加热20min;(6)DI水冲洗,N2吹干。2、硫酸和双氧水混合液(SPM)单步清洗法:(1)将30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中,然后边搅拌边缓慢加入10mlH2O2,将SiC单晶样品放入混合液中,恒温加热30min;(2)DI水冲洗3min左右,将样品表面的混合液冲洗干净,N2吹干。3、实验用清洗剂+SPM两步清洗法:(1)用干净的电动牙刷蘸取适量实验用清洗剂刷洗SiC单晶样品5min;(2)DI水冲洗3min,将样品表面的清洗剂冲洗干净;(3)将样品置于...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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一、 紫外光表面清洗和改质的工作原理:低压紫外汞灯发射的双波段短波紫外光照射到试件表面后,与有机污染物发生光敏氧化作用,不仅能去除污染物而且能改善表面的性能,从而提高物体表面的浸润性和粘合强度,或者使材料表面得到稳定的表面性能。根据不同需要,既可以对物体进行紫外光表面清洗,也可以进行紫外光表面改质(或叫表面改善),紫外光表面清洗和改质的机理有相同点,但也有区别。1.1紫外光清洗工作原理:VUV低压紫外汞灯能同时发射波长254nm和185nm的紫外光,这两种波长的光子能量可以直接打开和切断有机物分子中的共价键,使有机物分子活化,分解成离子、游离态原子、受激分子等。与此同时,185nm波长紫外光的光能量能将空气中的氧气(O2)分解成臭氧(O3):而254nm波长的紫外光的光能量能将O3分解成O2和活性氧(O),这个光敏氧化反应过程是连续进行的,在这两种短波紫外光的照射下,臭氧会不断的生成和分解,活性氧原子就会不断的生成,而且越来越多,由于活性氧原子(O)有强烈的氧化作用,与活化了的有机物(即碳氢化合物)分子发生氧化反应,生成挥发性气体(如CO2,CO,H2O,NO等)逸出物体表面,从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物。紫外光表面清洗原理表达式: 1.2紫外光改质工作原理:低压紫外汞灯发射的185nm和254nm波长的紫外光除有清洗去除物体表面的有机污染物的功能...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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半导体晶片清洗机,包括若干根支撑腿,支撑腿顶端共同固定连接有支撑平台,所述支撑平台内部开设有第一空腔,第一空腔通过第一软管与外界的引风机相连接,所述支撑平台上表面均匀开设有若干第一通孔,且支撑平台表面放置有半导体晶片;所述支撑腿侧壁上固定连接有安装座,安装座上均固定连接有升降装置,升降装置的顶端固定连接有水平杆,两根水平杆之间共同固定连接有圆板,圆板下侧转动连接有旋转装置,旋转装置的底端固定连接有清洗刷,清洗刷呈圆形,清洗刷内部开设有第二空腔,第二空腔下侧均匀开设有若干第二通孔,所述清洗刷下表面布置有刷毛,清洗刷上侧开设有进水口:所述圆板上侧放置有清洗水箱,清洗水箱通过第二软管穿过圆板与旋转装置内部相连通,第二软管上设置有泵体。第一通孔直径为0.5mm-1.5mm。升降装置为电动推杆或液压伸缩杆。旋转装置包括竖直套筒,竖直套筒底端与清洗刷上侧固定连接,竖直套筒的顶端固定连接有圆环板;所述圆板下侧开设有截面呈L型的环形悬挂凹槽,竖直套筒的顶部以及圆环板均位于环形悬挂凹槽内部;所述竖直套筒的内侧壁上固定连接有齿圈,齿圈上啮合有齿轮,齿轮上侧固定连接有转轴,转轴穿过圆板向上延伸,且转轴顶端与位于圆板上的电机输出轴固定连接。竖直套筒的轴线与清洗刷的轴线相重合。转轴与圆板的接触处设置有轴承。第二通孔的直径为2mm-4mm。进水口截面呈等腰梯形,且进水口的小端朝下设置。 图1...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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超高压清洗机设计一.高压水冲毛机:高压水冲毛机(清洗机)系用于混凝土浇筑施工中混凝土水平施工缝表面冲毛处理的专用机械,是高压水射流技术在生产实际中的一种应用。该机以清水作为工作介质,自来水经高压泵加压后,经节流阀、喷枪、喷嘴,使高压水变为高速射流打击于混凝土表面。在高压水流的冲蚀作用下,混凝土表面乳化皮层迅速剥落呈粗砂状,从而达到表面处理要求。可用于电力、石油、化工、轻工等各工业部门的管道、管束内外壁,容器与罐槽内壁的清洗剥层;车辆、船舶、闸门及钢质设备的表面除锈、除脂;市政管道疏通、清洗;铸件清理等工作。其驱动力有电机或内燃机两种方式,以供用户选择。二.混凝土冲毛·混凝土输送带的冲洗、喷雾、保湿·大型混凝土清除和剥离钢筋·混凝土结构的水清拆三.机型扩展其中,本机型可以扩展为表格中对应的流量和压力,以适用于不同行业的清洗。四.本机组成SL-10027型高压水射流清洗机,本机包含01部套-调压部套02部套-泵体部套03-柱塞筒部套04-压力显示部套05-传动箱部套06-底架部套07-外罩部套08-润滑冷却部套09-电气控制部套。1、进水系统–采用增压泵进水,避免气蚀现象的产生–采用高精密过滤器过滤,保证不会有任何杂质进入泵体内部;–大口径管路,保证进水充分要求;–采用能量包分配形式进料,保证每个缸体的充分进料;–卡箍式易装拆结构,并且容易清洗;2、泵体系...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1、适用范围:六槽清洗机、八槽清洗机的腐蚀清洗的生产。 3、准备工作3.1、配制腐蚀液3.1.1、八槽清洗机按NaOH:H2O==100g:1L的比例的溶液注入第一槽,容量达到规定要求。按HNO3:HF:H2O:15g:150g:1L的比例的溶液分别注入四、五、六槽容量达到规定要求。3.1.2、六槽清洗机按HF:HN4F:H2O==40g:5g:1L的比例的溶液注入第一槽,容量达到规定要求。按HCL:H2O==100g:1L的比例的溶液注入第三槽,容量达到规定要求按HCLH2O==30g:1L的比例的溶液注入第四槽,容量达到规定要求3.2、确认各槽清洗温度设定及分布正常。3.3、确认各槽清洗状态正常各槽内注入规定的溶液正确。3.4、确认各槽控制系统工作正常程序准确时间设定准确。3.5、确认氮气流量为5L/min4、操作过程:4.1、确认投入作业的硅片的型号、批号、数量、工序。4.2、戴好一次性手套双手将片子一片一片地插入片架内。如果片子经过超声清洗过的片子就无需这样做直接做下工序4.3、用双手操作将插满硅片的片架按顺序平稳地放入清洗花篮内。4.4、用双手将放有硅片的清洗花篮挂上机械手臂上。4.5、再检查一遍运行程序正常符合工艺要求。按下“启动”键程序开始运行。4.6、八槽清洗机运行时随时查看运行状况确保运行正常。4.7、程序运行结束设备报警提示。4.8、双手操作取...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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㈠、目的和原理:利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用,去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层,同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性,争取表面较低反射率较低的表面织构。 解释:①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶 硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片金刚砂硬度很高会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱,是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得,价格比较便宜,每500克6元。化学反应方程式为: 分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应,但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元,用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒,不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外,碱性系统与硅反应,基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀,可以保证一定的平行度。 ㈡、步骤: 1. 本工艺步骤是施博士制定的,是可行的具有指导意义的两步法碱腐蚀工艺。第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。第二步细抛光,表面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠,化学反应方程式为: 2. 第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层,化...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9),其特征在于:所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10),所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面,所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置,所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部,且与驱动机(4)的输出端传动连接,所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上,所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)内部底端面,所述内箱(6)位于集水槽(7)上方;所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧,所述升降机构(2)包括电机一(21)、滑轮(22)、传动轴(23)和绳索(24),所述传动轴(23)转动连接在加工箱体(1)内部靠上部位,所述滑轮(22)设有两个,两个滑轮(22)对称转动连接在传动轴(23)上,所述滑轮(22)通过绳索(24)与内箱(6)固定连接,所述传动轴(23)与电机一(21)的输出端传动连接;所述清洗机构(9)包括辅助清洁组件(91)和电机二(92),所述电机二(92)设置在加工箱体(1)底端面,所述辅助清洁组件(91)设有两个,两个所述辅助清洁组件(91)对称设置在加工箱体(1)内部,所述辅助清洁组件(91)包括支架(911)、高压喷头(912)、滑块(913)、齿条(914)、齿轮(915)和安装轴(916),所述齿...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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制备绒面的目的:•减少光的反射率,提高短路电流,以致提高光电转换效率•陷光原理•当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。单晶制绒:单晶制绒流程:预清洗+制绒预清洗目的:通过预清洗去除硅片表面脏污,以及部分损伤层。 单晶制绒:预清洗方法:1、10%NaOH,78oC,50sec;2、①1000gNaOH,65-70oC(超声),3min;②1000gNa2SiO3+4LIPA,65oC,2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 预清洗原理:1、10%NaOH,78oC,50sec;利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时,采用上述工艺,硅片腐蚀速率可达5μm/min;损伤去除完全后,硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀,硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液,从而完成硅片的表面清洗。经50sec腐蚀处理,硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比,不考虑损伤层影响,硅片不同晶面的腐蚀速率比为:(110):(100):(111)=25:15:1,硅片不会因各向异性产生预出绒,从而获得理想的预清洗结果。缺点:油污片处理困难,清洗后表面残留物去除困难。预清洗原理:2、①1000gNaOH,65-70oC(超声),3min;②1000gNa2Si...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1等离子体刻蚀装备与工艺:图1给出了大连理工大学PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片。该装置主要包括两组13.56MHz的射频功率源、阻抗匹配源、电感线圈和同轴电缆构成的复合射频源系统、刻蚀/聚合加工室、等离子体诊断系统、供气和真空系统等4部分。两组射频功率源分别为1.5kW和1kW。刻蚀加工样品置于加工室中的样品台上,样品台采用循环水冷,温度控制范围为5~30℃。该装置可以实现等离子体/离子等不同类型的刻蚀工艺。本试验典型的工艺条件:射频源功率分别为200~400W,50~200W,工作气体BCl3,气体流量30~100sccm,工作气压1~10Pa,刻蚀时间3~10min。 图1PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片2等离子体刻蚀结果:试验研究的Er3+掺杂Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜,通过热氧化法在Si(100)基片表面制备SiO2薄膜,再采用溶胶—凝胶法在SiO2/Si表面提拉制备Er3+掺杂Al2O3薄膜。Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜制备工艺详见参考文献[6]。图2给出了制备的Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜的扫描电子显微镜(SEM)照片。Si(100)基片上生长的SiO2层厚约为2.5m,提拉获得的Er3+掺杂Al2O3薄膜约为2m。Er3+掺杂Al2O3薄膜致密、连续地覆盖于氧...
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