欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言作为光学部件的镜头,由于其光学特性,有各种各样的硝种,被认为是不可能用水清洗的,同时,由于其量产化的计划,无论如何都必须自动化,与大型照相机制造商共同研究,试制了光学镜头的超声波自动清洗装置,才确立了量产化。之后,镜头的自动清洗装置大量销售,并且通过清洗系统的改良、机构的简化、洗涤剂的开发、振动器的改良等,一直延续到现在。 实验就像光学透镜一样, 液晶玻璃, 磁盘, 磁磁头 光掩膜等表面抛光的零部件的清洗, 已经有人说,如果不使用超声波清洗,就无法得到清洁面。当然, 超声波清洗不是全部,与其他清洗方法的组合,洗涤剂的选择,清洗系统的构成,干燥系统的构成等都是重要的因素,不要忘记。在原理上被认为是理所当然的。使用单一共振频率的振子强制制造驻波, 相反,我们需要做的是, 如何使安装有振动器的面有效地进行活塞运动。当然, 洗涤物, 如果进行机械性的摇摆运动,就会横穿气蚀发生区, 反而可以期待同样的洗净效果。因此,与以往的使用空化的洗涤的想法不同。像这样,超声波洗涤有各种系统的组合方法,如果频率、振动器输入等不设定适当的值,洗涤物就无法洗涤,反而会造成损伤,因此必须十分注意这些系统的选定。因此,本公司一旦有洗涤委托,就会请教其前工序,即附着了什么样的污物,经过什么样的工序附着了污物,根据这些来决定洗涤系统。然后,进行实验,判断洗涤结果,进入...
发布时间: 2021 - 11 - 30
浏览次数:9
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言作为半导体器件和MEMS微加工技术基础的光刻技术中,显影和清洗等湿法工艺是必不可少的。在本稿中,介绍了能够定量评价超临界CO2处理对微细光刻胶图案―基板间的粘接强度带来的影响的、用于微小结构材料的粘接强度试验法。 并且,实际利用该试验法,测量在不同的超临界CO2处理条件下制作的微细光刻胶图案的粘附强度,通过超临界处理条件提高粘附强度的定量性证明了这一点。  实验该微细加工技术还应用于Micro―electro―mechanical system(MEMS)器件的微机械元件的制造。 MEMS器件是指在基板上集成由数~数百微米尺寸的部件构成的微机械元件和电子电路。 图1显示的是一般的半导体·MEMS微加工技术的示意图。 图1左图是作为半导体器件制造基础的二维微细加工技术,利用光刻法,在通过旋涂等在基板上薄薄涂布的感光性光刻胶膜上,利用紫外线、电子束等对微细图案进行曝光、显影,从而在基板上用高分子光刻胶薄膜制作超微细图案的技术。 通过利用该微细抗蚀剂图案作为掩模对基板上的薄膜进行蚀刻,或者利用该微细抗蚀剂图案作为模具进行气相沉积、电镀等,在基板上制作高密度集成电路。在MEMS器件中,通过组合该二维光刻法和三维微加工双方的微细加工技术并反复实施,同时进行超微细电子电路和微小机械要素的制造、组装。如前项所述,由于急剧的高集成化,光刻...
发布时间: 2021 - 11 - 30
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,由于用于经济和社会活动的信息量急剧增加,特别是对信息电子设备的高性能和小型化的强烈要求,为了实现这些要求,开发了制造半导体元件的各种技术。 其技术趋势,主要可以梳理为“大口径化”和“精细化”。 也就是说,通过使元件的结构更精细来提高集成度,从而实现小型化和高性能,并且通过扩大作为主要材料的硅晶片的直径来实现有效的生产。  实验在作为一种化学气相沉积(CVD)方法的硅外延薄膜的生长中,由于使用气流,因此可以通过将表面化学反应与质量守恒方程、动量守恒方程、能量守恒方程、化学物种守恒方程和理想气体状态方程相关联来进行数值计算,从而预测生长速率和膜厚分布。通过将气体入口的详细形状包括在计算中,可以预测膜厚分布的精细特征(谷)的形成。 在生长中,通过使用膦气体和二硼氧化物气体将磷和硼混合到薄膜中来调节电阻率,并且如果掺杂剂的浓度被认为是一种组成,则可以通过确定掺杂剂的沉积速率与总沉积速率的比率来预测掺杂剂的浓度,同时考虑主原料气体和掺杂剂气体之间的表面化学反应的竞争。由于通过使用生长装置的具体结构计算传输现象和化学反应,可以在实际水平上预测外延生长速度,因此可以在预测最终结果的同时设计生长装置。 如果在有机分子粘附的情况下形成氧化膜,则氧化膜的绝缘性降低,并且当想要限制电子时,电子泄漏。 为了...
发布时间: 2021 - 11 - 30
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了阐明半导体制造业中用于冲洗和干燥过程的马兰戈尼干燥过程中硅片上液滴干燥行为的机理,利用CCD相机研究了液滴在有机气体溶解过程中的干燥时间。用微光学浓度传感器测量了液滴中有机成分的浓度。此外,还分析了由相平衡得到的评价干燥时间和浓度的数值方法。两者在质量上都很一致。最后,通过数值分析,提出了降低水印、有机和水浓度的指南。 实验      如图1所示,通过这样做,在晶圆和纯水的界面上形成的弯月面尖端的薄膜部分,有机物成分浓度比其根部部分高,使薄膜部分的表面张力更低。结果,在弯月面的根部部分之间产生表面张力梯度,通过Marangoni力将弯月面吸引到根部部分,即促进排水。      在本研究中,在马兰戈尼干燥方面, 在明确晶圆上残留的液膜、液滴的干燥机理的同时,通过它以得到降低水印的指针为目的。为此,本论文进行了以下的讨论。液滴的IPA浓度和干燥时间,由于实际的干燥是在室温下进行的,所以即使除去温度的影响,干燥气氛气体的IPA浓度和水蒸气浓度(相对湿度)也是密切相关的。在此,首先,通过模拟晶圆上残留液滴的干燥的实验装置,通过CCD摄像机的观察和独自的浓度测量探针,分别明确了气氛气体的IPA浓度和水蒸气浓度(相对湿度)对干燥时间的影响,...
发布时间: 2021 - 11 - 30
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在作为半导体光刻原版的光掩模中,近年来,与半导体晶圆一样,图案的微细化正在发展。 在半导体光刻中,通常使用1/4~1/5的缩小投影曝光,因此光掩模上的图案线宽是晶圆上线宽的4~5倍,虽然要求分辨率比半导体工艺宽松,但近年来,从边缘粗糙度、轮廓形状等角度来看,干蚀刻已成为主流。      半导体用光掩模是对在合成石英基板上成膜的铬、氧化铬、氮化铬等铬系薄膜进行图案化的掩模,特别是在尖端光刻用掩模中,现状是从硝酸铈系的湿蚀刻剂加工,基本完成了向氯、氧系混合气体的等离子蚀刻加工的转移。 实验      关于半导体光刻技术,在移位掩模技术中,多采用大小中最小间距的半数,在世代或技术节点上进行讨论。 到目前为止,为了实现更精细的技术节点,主要是通过光刻的短波长化来应对,但近年来,图案的精细化正在以超过短波长化的速度发展。       如表1所示,从180nm技术节点开始,晶圆上的解像线宽变得低于曝光波长,在今天的90nm技术节点中,变得不到一半有吗? 另外,关于预定于2007年开始量产的65nm技术节点,也在继续开发193nm波长下的曝光,现状是要求形成波长1/3的线宽。 图2   ...
发布时间: 2021 - 11 - 30
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言由于玻璃材料具有耐用性,光滑性,高绝缘性和透明性的特点,近年来,除了显示器,光学元件和记录介质外,人们对其应用于MEMS(微机电系统)和类似TAS(微全分析系统)等新领域的期望越来越高。 此外,还研究了许多将玻璃材料与金属等不同种类的材料接合以制造新功能元件的方法。 特别是多成分玻璃表面的性质与帕尔克有很多不同,最表面的组成、硅烷醇基等官能基、水分和有机物的吸附等因素对表面的耐候性、耐化学性、与异种材料的粘着性、包括加工性在内的机械特性等有各种各样的影响。 因此,在新功能材料中控制或改性表面性质是重要课题之一。基本原理是利用了在加载压力的情况下,在玻璃表面形成压缩层后,该部位的耐酸性,特别是腐植酸引起的耐蚀刻性发生较大变化的现象。 在本方法的要素技术中,有机械加工工艺和化学方面的玻璃表面的改质这2个方面。 在本综述中,笔者等人将从迄今为止的研究中,首先从表面改质的观点,介绍压力加载引起的玻璃表面化学性质的变化,并结合实验结果,然后阐述其在微细加工中的应用。 实验在此,首先对铝硅酸盐类玻璃的结果进行说明。 图1显示的是,对于含有碱金属氧化物、碱土金属酸化物及微量氧化物等的各种铝硅酸盐类玻璃,关注作为主要成分且形成玻璃骨架的SiO*和AkOia, 在没有加载压力的部位,随着SiO―AU0S的减少,蚀刻速度显著增大。  图1(S...
发布时间: 2021 - 11 - 29
浏览次数:6
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      太阳能电池的世界生产量相当于每年约1.2 GW(2004年,换算成峰值发电能力),其组件的总面积达到1千万m。 制造的太阳能电池的80%以上是使用单晶或多晶硅晶圆的晶系硅,预计其生产量今后也会加速增加。 与此同时,确立能够适应这种大规模生产的制造技术将变得越来越重要。 一般的晶系硅太阳能电池的结构概略如图1所示,其中,在兼顾经济性的同时,为了提高太阳能电池的转换效率,进行了很多努力。 其中,降低硅晶圆表面反射率、降低光反射损耗的技术是提高效率的关键。 平坦的硅晶圆的反射率在波长400~1100nm下平均为40%左右,非常高,产生了很大的损耗。   图1 普通晶系硅太阳能电池的结构      表面涂有折射率小于硅的透明薄膜作为抗反射膜。 具体来说,使用的是二氧化钛(单晶太阳能电池的情况)和氮化硅(多晶太阳能电池的情况)等薄膜。 另一项降低表面反射率的重要技术是在硅晶圆表面形成具有细微凹凸形状的结构(称为纹理结构)。 一般的纹理结构是几μ~几十μm大小的凹凸。  图2纹理结构的效果      作为这样的纹理结构的效果,已知有以下3个(图2为模式图):①表面多次反射导致表面反射率降低:通过凹凸使表面反射一次的...
发布时间: 2021 - 11 - 29
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了进一步增加太阳能电池的普及率,降低太阳能电池板的成本变得很重要。在晶体Si系太阳能电池板中,Si晶圆的材料成本和制造成本占整个电池板的成本的比例不少。通过将金刚石磨粒附着在线材上的金刚石线材进行固定磨粒切割的方法正在普及。 切出的Si晶圆表面发生损伤,切断槽宽度(卡洛斯)的降低有界限等问题。在这样的背景下,作为不依靠机械加工的新Si的切断技术,正在讨论放电加工和电解加工,等离子蚀刻等加工技术的应用1―3)。作为不依靠机械加工的切片法之一,笔者们开发了利用湿法蚀刻的新切断技术“蚀刻援用切片”4)。该加工技术的特征是,在蚀刻液(蚀刻剂)中行进的金属丝,通过与Si锭接触进行相对运动,以化学作用为主体进行加工。本报告将利用开发的加工技术对单晶Si进行加工,并介绍其加工特性和加工面质量。 实验由于湿法蚀刻通常是各向同性蚀刻,因此即使在Si表面上施加掩模,蚀刻剂也会侵入掩模的下部,从而产生底切通常很难进行加工。另一方面,在湿法蚀刻中,如果能够在抑制沟的宽度方向的蚀刻速度的同时,促进深度方向的蚀刻速度,就可以实现各向异性的加工。      因此, 向Si锭提供蚀刻剂, 设想了用行进的金属丝摩擦铸锭的加工方法。在Si铸锭和金属金属丝的接触点,通过产生摩擦热和引入新鲜的蚀刻剂等,可以提高向深度方向的蚀刻速度。另一方面...
发布时间: 2021 - 11 - 29
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制,以Si为例,以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工,而且是通过研磨和研磨等机械加工和干法工艺产生的变形层和损伤层的去除、化学溶液和自由基束的结晶表面的清洗、为了调查位错等缺陷的坑形成等被广泛利用的加工技术。蚀刻大致分为(1)使用酸、碱等化学溶液的湿法蚀刻和(2)使用等离子中的反应种类(离子、高速中性粒子、自由基(中性活性种类)、气体)的干法蚀刻。蚀刻技术, 从半导体制造工艺的历史来看, 以前是从湿法蚀刻开始的,随着图案尺寸的细微化、高精度化的要求,干法蚀刻起到了其中心的作用。 实验在各向同性蚀刻中, 在待加工材料的掩模开口处, 由于蚀刻与表面法线方向同时向掩模下部各向同性地进行, 可以看到所谓的侧面蚀刻(底切)(图1(a))。另一方面,极力抑制这样的侧面蚀刻,利用结晶各向异性,实现由特定晶面((图1(b)中Si的(111))构成的三维形状的蚀刻方法是各向异性蚀刻(结晶各向异性蚀刻)。从结论上来说,在湿法蚀刻的一系列反应生成物过程(以下的①∼④)中,取决于哪种现象控制了过程的速度。①向反应种表面的扩散、供给②向反应种表面的吸附③反应生成物的生成(反应种与被加工材料的反应)④反应...
发布时间: 2021 - 11 - 29
浏览次数:9
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言利用金刚石多丝锯切割硅锭,制备了太阳能电池的硅晶片。近年来,由于对超薄硅晶片的需求不断增加,迫切需要采用不产生硅表面损伤的切片方法。本研究提出了一种基于化学蚀刻技术的新型硅切片方法。在该方法中,在含有硝酸和HF的蚀刻溶液中用运行丝摩擦硅锭。研究了切片硅的去除特性和表面质量。随着蚀刻剂化学品浓度的增加,去除率提高,而通过优化蚀刻剂的成分,可以降低切角。扫描电镜观察和拉曼光谱分析结果表明,该方法对硅表面无损伤作用。该方法比传统的金刚石线切割产生了更平滑的硅表面。太阳能电池用硅晶圆是通过金刚石线锯从硅锭上同时切出多个晶圆的方法制作出来的。 晶圆损坏, 由于这是破损的原因,薄壁晶圆的切出是有限度的1)。另外,从晶圆制作成本削减的观点出发,要求减少成为削边的卡洛斯(切断沟)。因此,通过使用化学作用的新加工方法,进行了硅晶圆的切断技术的开发。在本研究中,尝试了使用能够进行硅的高效蚀刻的氟硝酸的切断技术的开发。由于氟硝酸的硅的蚀刻是各向同性地进行的,因此有必要将蚀刻的进行限定在切片方向上。在蚀刻剂浴中,通过用导线摩擦硅,探讨了促进纵向蚀刻的方法,并评价了其加工特性。 实验      过程中显示了开发的切断实验装置。在固定在加工槽中的硅胶的上面供给蚀刻剂,在那里使钢丝和硅胶接触,通过运行进行加工。装置的材质考虑到耐化学...
发布时间: 2021 - 11 - 27
浏览次数:4
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开