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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      热氧化的目的:Si晶片在大气中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜复盖。 Si和在其上产生的SiO2膜的密合性很强。 在高温下进行氧化,会产生厚而致密且稳定的膜。 Si的熔点为1412℃,但SiO2的熔点为1732℃,复膜具有非常高的耐热性。 并不是所有的金属和半导体都具有被密合性高的致密的氧化膜容易被复的特性,而是作为将Si组装到半导体元件上的实用上非常有益的效果被利用。最初发明的Ge晶体管代替了Si晶体管,也是因为它通过热氧化形成了与Si相容性好的电、机械、热、化学特性优良的绝缘体SiO2,可以应用于MOS晶体管结构和钝化。      热氧化温度在800~1100℃下进行,但该温度区域属于晶片制作工序的其他热处理温度的最高温度范围。 因此,在进行热氧化的同时,同时进行几个热处理效果。 另外,在本来应该在比其更低的温度下进行的处理之后进行热氧化的话,之前的处理就会无效。 因此,热氧化是晶片工艺初期、晶体管形成以前( FEOL )使用的工艺技术。 金属布线中使用的Al的熔点为660℃,布线处理后不能使用热氧化,所以SiO2绝缘膜用堆积法形成。图5-1比较表示各种热处理工艺及其温度。 图5-1 晶片制作工序中的各种热处理工艺及其温度    ...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料一直以来,对于粒子的洗涤效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)为指标进行讨论。 通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱(清洁后)值和初始(清洁前)值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的,但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性,需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法,即使用微粒涂覆装置改变粒径,在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。  图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL(聚苯乙烯胶乳)颗粒,用SP2测量的结果。 图2显示了使用SURF monitor的同一晶圆的PRE计算方法的概念图。考虑到SP2测量环境和洗涤效率,设定了颗粒直径和颗粒数量(密度)的条件。 此外,虽然这次采用了PSL球,但是该涂覆装置具有可以引入其他颗粒(例如二氧化硅和氮化硅)的优点。 双流体清洗:图3显示了一个典型的单片双流体清洗的PRE.1氮流量为14L/min.图3所示结果的最大要点是,即使是PSL颗粒,由于容易去除,被认为不适合清洗评价中的强制污染颗粒,随着颗粒直径的减小,PRE也会降低。特别是在60nm以下,PRE会显著降低。图4显示了PRE对40nm和200nm两个PSL粒子的氮流量依赖性。200n...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      电解是一种能够通过向液体通电,在阴极发生还原反应 ,在阳极发生氧化反应,从而制造新物质的有趣的方法 o特别是在阳极的氧化反应中,由于不稳定,可以通过 电能生成通常存在比率小的过氧化物。例如,如果是硫 酸溶液的话,可以从硫酸生成H9SOs或H9S90g这样的 过硫酸(过氧化物}。其他还有过乙酸、过硼酸、过碳酸 、过磷酸、高氯酸等。 实验      电解硫酸顾名思义就是电解硫酸溶液。电解硫酸后,如式(1)和(2)所示,生成硫酸根离子硫酸氢离子释放出电子,变成过硫酸(HS, Og)。通过使用钳电极的电解法详细说明了反应机理。硫酸浓度从1摩尔/升( 9wt % )变化到13摩尔/升( 76wt % ),过硫酸的生成效率是从4摩尔/升( 32wt % )到12摩尔/升( 72wt % )左右。 在本文中也得到了同样的结果,其理由也是考虑到图1的解离平衡可以接受的。过氧化氢与硫酸反应因为会变成乙酸和水,所以每次添加都会稀释药液中的硫酸,光致抗蚀剂去除能力也逐渐降低。与此相对,电解硫酸只要电解具有所需硫酸浓度的硫酸即可, 并且如式(1)和(2)所示,可以通过电量控制过硫酸浓度。图2总结了SPM及电解硫酸的处理时间和各种浓度的变化示意图。电解硫酸可以使硫酸浓度及氧化剂浓度保持一...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料使用超临界流体去除污染物的过程,即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度,使其能够快速穿透缝隙和边界层膜,并完全去除其中包含的有机和无机污染物。此外,通过在超临界和亚临界值之间循环压力,颗粒可以在脉动的膨胀阶段被非常有效地排出。超临界流体的定义可以通过查看相图来充分理解。 图2中的一氧化碳。关键特性是在任何压力下都不能出现超过临界温度(T)的冷凝。T右侧和P上方的区域定义了超临界状态。超临界流体的密度可以非常高。二氧化碳作为清洗液:超临界CO被选为主要清洗液,因为其低粘度(0.05厘米泊)、高扩散率、非常低的表面张力,以及其他环境、安全和成本考虑。对于CO,临界温度T为31℃,临界压力也在实际范围内(Pc=73bar=1050psi)。图3显示了略高于临界温度的等温线的密度与压力。密度随着临界点附近的压力而显著变化。例如,在31℃时,在环境压力下,密度仅为0.002g/cm3,而在PC下,密度为0.468g/cm3(增加了234倍)。高于Pc的CO2具有与有机液体相当的密度和溶剂化能力。对于恒定的温度,CO2的溶剂浓度随压力而变化。物理化学性质可以在Pc以上和以下使用,即超临界和亚临界性质在设计良好的清洗过程中都很重要。在这一过程中,流体在两个压力之间循环,如图3所示。  图3晶圆清...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      最近,氮化镓基蓝色、绿色和紫外线发光二极管取得了巨大进展。这些氮化物基发光二极管也有可能用于固态照明。然而,为了实现固态照明,需要进一步提高这些发光二极管的输出效率。众所周知,氮化镓基发光二极管的光提取效率主要受到氮化镓薄膜和周围空气折射率差异大的限制。光子从氮化镓薄膜中逃逸的临界角由斯内尔定律决定。角度对于发光二极管的光提取效率至关重要。      本文通过化学湿法刻蚀工艺制备了背面粗糙的氮化镓基发光二极管,提高了光提取效率。稳定的晶体蚀刻面形成为氮化镓面。当近紫外和蓝色发光二极管以20 mA的正向电流工作时,发光二极管的输出功率从13.2和24.0毫瓦。不同的增强比归因于湿法刻蚀后N面氮化镓衬底上的六角锥导致的透射率随波长的变化。 实验      本方法中使用的n-UV和蓝色InGaN/GaN发光二极管都是在SR-4000大气压金属-有机化学气相沉积系统中生长在c面(0001) 2英寸GaN衬底上的。我们制造了氮化镓衬底。发光二极管结构由4米厚的掺硅氮化镓氮包层、多量子阱(MQW)有源层、20纳米厚的p型掺镁铝镓氮层和200纳米厚的掺镁氮化镓层组成。MQW有源区由5个周期的2.4纳米厚的未掺杂铟镓氮阱层和9纳米厚的未掺杂氮化镓阻...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,太阳能电池和电池板等可再生能源的使用量显著增加。在已安装的光伏系统中,90%以上的是单晶硅电池和多晶硅电池,具有成本低、面积大、效率较高的优点。清洁硅晶片的表面是器件处理技术中最关键的操作之一,特别是在光伏工业中。污染物的完全去除和表面可充电态的钝化是提高对表面重组速度敏感的硅太阳能电池的能量转换效率的非常重要的问题。关键是需要更多的能量来去除更小的粒子,因为在物理上传递微小尺寸的必要的力更困难。      在这种情况下,在其他技术中,超声波搅拌被广泛用于向湿清洗浴中添加能量。平面和图案硅片通常用超声波清洗。在这个过程中,晶片浸在高功率声波的化学活性溶液中。超声化学清洗已被证明是特别有效的,例如,预氧化后、化学前气相沉积、前外延生长、灰后和化学后硅晶片机械抛光。 实验       太阳级n型和p型硅晶片、晶晶和多晶在蒸馏水清洗浴中进行超声。设置如图1所示,施加于朗之万传感器的振幅为U0的振荡电压导致其振动,用硅片将声功率传递到充满水的烧瓶中。传感器-水的共振频率(28kHz)由水的高度h定义。在整个处理过程中,散装水的温度保持在70~80°C之间。在图1中所示的几何图形中,在U0≥45V时很容易观察到空化...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着可再生能源推广扩大政策,太阳能电池用硅片的产量正在增加。硅太阳能电池制作过程中发生的最大问题之一是与制造过程中使用的化学物质的反应以及固化引起的化学物质残留。太阳能电池用硅晶片,单晶及多结晶都在制造,考虑到制造成本,对共晶污染度处理得比较宽容。太阳能电池领域的工艺污染结果包括晶片表面的变质和微细粒子物质的残留,统称为STAIN(STAIN),被区分为主要污染。本文分析了在硅太阳能电池制造中用作基板的156 mm硅晶片的制造过程中,导致产品不良和性能下降的晶片表面污染源,并对去除这种污染的臭氧水清洗进行了实验。污染物是由晶片切割球晶中使用的浆料及清洗液中包含的有机物和从烧结丝分离出来的微粒形成的,可以通过臭氧水清洗工艺去除。应用该技术,可以廉价、高效、环保地制造太阳能电池用晶片。 实验臭氧功能水的制备:为了制造臭氧功能水,首先要制造大量臭氧气体,必须将制造的臭氧气体高浓度溶解到超纯水中。臭氧(O3)是不稳定气体上的物质,主要由放电产生,氧化反应后显示出被自然减半消灭的特性。这种性质具有化学性质,可应用于亲环喇叭超精密清洗方法。清洁领域需要高浓度臭氧,因此主要使用在能效、稳定性、控制便利性方面具有优良特性的无声放电(silent discharge)型臭氧发生装置。为了生成高浓度臭氧,本方法制作并使用了具有特殊结构的无放电型臭氧发生...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着可再生能源推广扩大政策,太阳能电池用硅片的产量正在增加。太阳能电池用硅片是半导体用硅晶片生产技术的结合,彼此有相似之处,但太阳能电池领域有其特殊性。硅太阳能电池制作过程中出现的问题有物理和化学方面。就理性问题而言,太阳能电池硅晶片的厚度比半导体用晶片薄,制造过程中可能会出现裂纹的发生或损坏,化学方面的门零点与制造过程中使用的化学物质存在反反应和固化引起的化学物质残留。太阳能电池用硅片同时制造单晶和多晶,考虑到制造成本,对工艺污染度处理得比较宽容。太阳能电池领域的工艺污染结果是,被统称为stain的晶片表面的变质和阻碍纹理的物质残留被区分为主要污染。本方法考虑到太阳能电池用硅片制作工艺的特点,通过对硅片清洗和表面污染源的清除,研究了亲环境、便宜、有效的清洗机制。 实验和分析微细粒子清洗实验:我们首先将臭氧功能水产生的实验装置作为硅片的无机物清洗配合使用,可以替代臭氧功能水的晶片清洗过程。晶片暴露在普通大气中数天后污染后,作为污染源,对有机物、无机物、金属等成分没有区分,清洗实验前后的微粒总数,分析了清洗性能。此时,在臭氧浓度分别为20 ppm和30 ppm的清洗槽中对晶片进行了3分钟的清洗后,确认了晶片表面的微粒清洗程度。清洗前后的微进尺测量是用装有可见光及紫外线光源的光学显微镜观察并判读的。图6的顶部是以可见光为光源拍摄的照片,...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      金属氧化物半导体的传统制造工艺包括各种步骤,如蚀刻、沉积、化学机械抛光等。在每个过程中,晶片很容易被纳米尺寸的颗粒污染。晶片表面的这些颗粒可能会影响产量的降低。根据国际半导体技术路线图(ITRS),随着动态随机存取存储器(DRAM)半节距的缩小,临界粒径正在减小到1纳米。物理清洗过程,如超声波、喷射、气溶胶等。,由于其不可控的物理力,无法防止30纳米以下的图案损坏。因此,使用湿化学清洗工艺清洁表面以防止图案损坏是非常重要的。      湿化学清洗过程主要有两个因素。一个是表面刻蚀,另一个是颗粒与基体的相互作用力。众所周知,SC1清洗机制可以代表性地去除硅衬底上的颗粒。然而,污染在表面上的粒子不仅仅是硅表面,还有多硅、氮化硅、二氧化硅等多种表面。因此,必须根据化学物质的蚀刻机理和相互作用力,证明其对各种表面的颗粒去除效率。      在本文中,我们研究了使用半导体清洗工艺中常用的清洗化学品在基于硅衬底的各种表面上去除颗粒的关键因素。实验采用多晶硅、热二氧化硅和高温氮化硅作为衬底。稀释NH4OH (NH4OH:DIW = 1:1000),SC1 (NH4OH:H2O2: DIW = 1:2:50,60℃)和稀释HF(HF:DIW = 1:1000)溶...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料蚀刻是一类用于受控去除材料的常见工艺。氧化铝的蚀刻在各种应用中被发现,包括制造微器件,特别是薄的薄膜磁性结构,更特别是磁头。有各种类型的蚀刻工艺;然而,它们通常都包括将反应物输送到表面、表面反应和从表面输送产物的共同作用。几个特征被用来描述蚀刻工艺的能力。蚀刻速率是蚀刻材料厚度随时间的减少。更快的蚀刻速率通常是有利的,但必须与控制去除材料总量的能力相平衡。希望整个表面和表面之间的蚀刻均匀。蚀刻过程的各向同性也被考虑。由蚀刻工艺引起的选择性和损害的特征通常控制哪种类型的蚀刻工艺用于特定的应用。表面通常由一种以上的材料组成,其中只有一种材料需要蚀刻。待蚀刻的材料被称为蚀刻材料。底层和周围材料指的是结构中不被蚀刻的其余部分。选择性通常被定义为蚀刻材料的蚀刻速率与结构中不被蚀刻的其他部分的蚀刻速率之比。损害往往与选择性直接相关。如果可以实现完美的选择性,那么只有蚀刻材料会被去除,而其他材料不会发生蚀刻。如果选择性差,那么对其他材料的蚀刻很可能是广泛的,因此被描述为损坏。腐蚀过程的部件和结构中的材料之间的不相容性(通常是化学性质的)也可能导致损坏,例如导致结构腐蚀。选择性是蚀刻工艺中的一个重要考虑因素,因为需要过蚀刻来确保蚀刻材料的完全去除。过蚀刻指的是需要继续蚀刻,即使蚀刻工艺已经充分去除蚀刻材料以暴露下层。需要过蚀刻,因为在典型的表面上,由于以下原因,...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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