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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
浏览次数:65
半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(中)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
浏览次数:67
半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(上)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜,其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。↑  掩膜通常在光罩上形成图形的基本步骤和硅片相似,一般来说光罩的制作分为数据处理部分和工艺制造部分。↑  光掩膜制作流程1、数据转换:将如GDSII版图格式分层,运算,格式转换为光刻设备所知的数据形式;2、图形产生:通过电子束或激光进行图形曝光;3、光阻显影:曝光多余图形, 以便进行蚀刻;4、铬层刻蚀对铬层进行刻蚀, 保留图形;5、去除光阻去除多余光刻胶;6、尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位;7、初始清洗清洗并检测作为准备;8、缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形;9、缺陷补偿对缺陷进行修补;10、再次清洗清洗为加保护膜版作准备;11、加保护膜保护膜加在主体之上, 这防止灰尘的吸附及伤害;12、最后检查对光掩膜作最后检测工作, 以确保光罩的正确。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 硅片的生产过程↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途单晶硅片制备阶段,需要将硅单晶棒加工成具有高面型精度和表面质量的原始硅片或光片,为IC前半制程中的光刻等工序准备平坦化超光滑无损伤的衬底表面。对直径Φ≤ 200mm的硅片,传统的硅片加工工艺流程为:单晶生长→切断→外径滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。↑  硅片加工工艺流程延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 26
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华林科纳生产的清洗机中,QDR 快排冲洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液,使晶圆表面洁净。QDR 是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块,主要由喷淋槽、溢流槽、匀流板、快排汽缸体、喷嘴喷管、管路和管件等组成。↑ QDR 示意图槽体由进口 NPP 板材焊接加工而成,由安装在槽体底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及顶部左右两侧的 DI 水喷嘴实现槽体的快速注入与排放,有氮气鼓泡功能。在溢流排放口安装有 DIW 电阻率检测仪,可对冲洗溢流的水质适时检控。一、喷淋管路上喷淋管路共有两路, 形成相互交叉喷淋,但去离子水不宜直接喷淋冲洗晶圆表面,因晶圆在水蚀作用下直接喷淋晶圆表面,易产生微粒污泥而污染晶圆表面,因此,在去离子水的喷淋过程中,需要对冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试,以达到微粒污染少的最佳效果。 良好的喷嘴所喷淋范围涵盖全部晶圆及片盒; 而不良的喷淋冲洗形状,没有涵盖全部晶圆及片盒, 未被喷淋冲洗的死角地带,微粒、杂质及化学药液残留含量仍然很高,而达不到良好的清洗效果。二、氮气鼓泡上喷淋同时, 下喷淋管路由底部两侧不断进水,而后由内槽上沿四周溢出,这样,每个晶圆片缝、各处边角的去离子水都能连续得到更新。 同时,纯净氮气由下喷淋管路进入槽体。 氮气鼓泡有以下几个作用:(1)增加了去离子水的冲刷力,对槽体本身有很好的自清洗作用;(2)晶圆在水...
发布时间: 2018 - 11 - 20
浏览次数:386
湿法腐蚀是半导体行业生产加工中不可或缺的工艺,是利用化学反应腐蚀特定区域的硅进行刻蚀,其中,SiO2的腐蚀是用HF来实现的,药液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蚀速度快,因而均使用 NH4F(氟化铵)作为缓冲剂来减慢腐蚀速度。普通叫做缓冲腐蚀。此种工艺在常温下进行,而根据我国南北方生产的需要为了维持常温,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加热器,以防止反应结晶;而在南方则需加入冷却盘管,以适当控制温度。一般工艺槽体材质选用 PVDF 材质。除此之外,管路中还需接入泵来提供药液的循环动力。由于隔膜泵在连续不间断工作时膜片使用寿命较短,更换膜片频繁,目前这种应用方式逐渐被风囊泵所取代。因此药液的循环过滤:由风囊泵、过滤器、循环溢流槽、阀门、管件等组成药液的循环系统。实现药液的循环过滤,保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。↑ 二氧化硅腐蚀的循环管路示意图近几年来,伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,华林科纳适应着时代的发展,在不断的竞争中,有广泛的市场前景和发展空间。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 19
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华林科纳研发的单片清洗设备已升级为单腔多层的机台类型,可以支持多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台,它载着硅片变换不同的高度。在不同高度处,会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域,酸液即可被循环使用。↑ 单腔多层腔体结构示意图延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 15
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旋转喷淋清洗是浸入型清洗的变型。系统中一般包括自动配液系统、清洗腔体、废液回收系统。喷淋清洗在一个密封的工作腔内一次完成化学清洗、去离子水冲洗、旋转甩干等过程,减少了在每一步清洗过程中由于人为操作因素造成的影响。在喷淋清洗中由于旋转和喷淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均匀,同时,接触到硅片表面的溶液永远是新鲜的,这样就可以做到通过工艺时间设置,精确控制硅片的清洗腐蚀效果,实现很好的一致性。密封的工作腔可以隔绝化学液的挥发,减少溶液的损耗以及溶液蒸气对人体和环境的危害。各系统分别贮于不同的化学试剂,在使用时到达喷口之前才混合,使其保持新鲜,以发挥最大的潜力,这样在清洗时会反应最快。用N2喷时使液体通过很小的喷口,使其形成很细的雾状,至硅片表面达到更好的清洗目的。此方法适用于除去氧化膜或有机物。因为化学物质在硅片表面停留的时间比较短,对反应需要一定时间的清洗效果不好。在喷洗过程中所使用的化学试剂很少,对控制成本及环境保护有利。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 12
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作为我市集成电路产业“一园三基地”的重点园区,“芯港小镇”再次迎来重大发展机遇。11月2日上午,中芯宁波200毫米特种工艺(晶圆/芯片)N1产线正式投产,小镇内中芯宁波N2项目、南大光电与安集微电子也将正式动工。自2017年开园以来,“芯港小镇”已签约落户14个集成电路企业项目,总投资200亿元。↑ 一批集成电路龙头企业在我市加速集聚宁波瞄准集成电路发展机遇,抢项目、争创新、扩规模,全市集成电路产业发展进入新拐点,一批支撑项目开工投产,取得明显效益。数据显示,2018年前三季度,我市集成电路及相关产业完成工业总产值127.6亿元,同比增长9.8%;实现利润13.36亿元;实现利税16.48亿元。60余个项目落户 “芯光”照亮创业路“目前,我们的设备正准备打包发往国内,如果一切顺利,预计2019年9月可实现量产。”在近日举行的中国半导体材料和零部件创新发展大会上,已在国外生活、工作30余年的华菲难掩回国创业的激动之情。2018年3月,看好宁波集成电路产业发展前景与氛围的华菲来到故土,并在余姚成立了宁波华芯电子科技有限公司。华菲说,在国内,小于100微米的高端半导体焊球以及高可靠性焊球的制造技术仍属空白。如果在甬发展顺利,她将加大投资,将研发及生产的触角伸至更多集成电路领域。“芯港小镇”开园未满一年,便吸引了中科院宁波微电子应用研究院、集成电路材料和零部件联盟宁波产业促进中心等两个技术...
发布时间: 2018 - 11 - 05
浏览次数:202
硅晶圆大厂合晶今(26)日举行郑州新厂启用典礼,第一阶段为月产能20万片的8吋产能,明年正式量产后,全年产值可望达5亿人民币,第二阶段则规画12吋产能20万片、磊晶产能7万片,部分资金已到位,待两阶段产能均启用后,年产值可望上看20亿人民币。合晶今日举行启用典礼,郑州合晶为合晶与郑州空港经济综合实验区合资成立,为郑州地方政府取得的首个半导体投资案,其中,合晶持股约6成,双方合资投资额共12亿人民币,第一阶段为一条月产能20万片的8吋产线,12月开始送样,合晶郑州董事长刘苏生表示,明年正式量产后,全年产值可望达5亿人民币。在第一阶段郑州8 吋厂启用后,合晶第二阶段计划透过具有磊晶生产能力的12 吋厂,扩大产业布局。合晶12 吋厂也将采取合资形式,董事长焦平海就提到,「跨足12 吋是必然的」。据悉,12吋厂资金预计投入45亿人民币,目前部分资金已到位,月产能规划为12吋产能20万片、磊晶产能7万片,最快可望于2020年量产,刘苏生表示,待两阶段产能均到位后,年产值可望上看20亿人民币。目前合晶台湾杨梅厂为6 吋重掺硅晶圆产能,月产能为33 万片;龙潭厂为8 吋硅晶圆产能,将由目前的30 万片逐月增加至年底的32 万片。在中国的产能部分,扬州厂主力为8 吋以下单晶晶棒;上海晶盟磊晶厂将在明年农历年前,月产能达20 万片。合晶总经理陈春霖表示,第一期产能预计12 月初送样客户端认证,认证时...
发布时间: 2018 - 10 - 29
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