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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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光刻光刻(英语:photolithography)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。首先,通过金属化过程,在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光(一般是紫外线)后可以被特定溶液(显影液)溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上,可以对光刻胶进行选择性照射(曝光)。然后使用前面提到的显影液,溶解掉被照射的区域,这样,光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施,改善剩余部分光刻胶的一些性质。上述步骤完成后,就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程,未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后,将进行光刻的最后一步,即将光刻胶去除,以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常,半导体器件制造整个过程中,会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻,而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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封装最早的集成电路使用陶瓷扁平封装,这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装,开始是陶瓷,之后是塑料。1980年代,VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制,最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。表面贴着封装在1980年代初期出现,该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距,引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)为例,比相等的DIP面积少30-50%,厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出,引脚间距为0.05英寸。Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)和PLCC封装。1990年代,尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package(TSOP)成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理器现在从PGA(Pine Grid Array)封装转到了平面网格阵列封装(Land Grid Array,LGA)封装。球栅数组封装封装从1970年代开始出现,1990年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中,晶片(die)被上下翻转(flipped)安装,通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列(称...
发布时间: 2019 - 01 - 09
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集成电路集成电路(英语:integrated circuit,缩写作 IC;德语:integrierter Schaltkreis),或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)[1][注 1]是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路[注 2]。本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜集成电路。从1949年到1957年,维尔纳·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·达林顿(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都开发了原型,但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖,但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯,却早于1990年就过世。
发布时间: 2019 - 01 - 09
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刻蚀刻蚀(英语:etching)是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。[1] 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻,光刻对材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清洁度。 但是,对于电子束刻蚀,由于电子的波长极短,因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板,因此对平整度的要求不高,但是电子束刻蚀很慢,而且设备昂贵。对于大多数刻蚀步骤,晶圆上层的部分位置都会通过“罩”予以保护,这种罩不能被刻蚀,这样就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中,罩的材料为光阻性的,这和光刻中利用的原理类似。而在其他情况中,刻蚀罩需要耐受某些化学物质,氮化硅就可以用来制造这样的“罩”。
发布时间: 2019 - 01 - 08
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掺杂 (半导体)掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。载流子浓度掺杂物浓度对于半导体最直接的影响在于其载流子浓度。在热平衡的状态下,一个未经掺杂的本征半导体,电子与空穴的浓度相等,如下列公式所示:n=p=ni对于非本征半导体在热平衡的状态下,这个关系变为(对轻掺杂而言):n0 · p0=ni2其中n0是半导体内的电子浓度、p0则是半导体的空穴浓度,ni则是本征半导体的载流子浓度。 ni会随着材料或温度的不同而改变。对于室温下的硅而言, ni大约是1.5×1010cm-3 。通常掺杂浓度越高,半导体的导电性就会变得越好,原因是能进入导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的集成电路制程来取代部分金属。高掺杂浓度通常会在n或是p后面附加一上标的“+”号,例如 n+ 代表掺杂浓度非常高的n型半导体,反之例如 p-则代表轻掺杂的p型半导体。需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体退化为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大。以一个有晶格结构的硅本征半导体而...
发布时间: 2019 - 01 - 08
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半导体光刻工艺 ——  光刻工艺步骤↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 25
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半导体清洗工艺 ——  RCA湿法清洗工艺↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 25
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 10
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(中)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 10
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(上)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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