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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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GPP器件关键工艺设备制造技术研究1GPP二极管工艺制程图l为GPP二极管制造主要工艺流程示意图,包括晶片来料湿法清洗、磷预扩散、硼扩散及磷再分布、一次光刻、V形沟槽刻蚀、s口OS(SE.mi—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON)半绝缘多晶硅保护膜淀积、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃烧结、LTO(LOWTEMPERAN】reoxid撕on)低温氧化层淀积、三次光刻、接触面刻蚀、镀镍、镍烧结、镀金、电性测试。 从以上流程可以看出,GPP二极管的制程主要为三层保护膜的制作,其中SIPOS起到束缚电子的作用,烧结玻璃是对PN结的保护、Si0:是防止镍层与玻璃的附着;而这三层保护膜的完成都是基于同一位置——晶圆V形深沟槽中,由此可见沟槽的宽度、深度、形状、均匀性等直接影响着玻璃覆层的附着及厚度,进而影响着GPP二极管的性能参数。以往多采用机械式划槽技术,采用高速砂轮划V型槽,由于易造成碎片,沟槽深度也有一定的限制,因此现在多采用半导体平面刻蚀槽工艺技术,即光刻掩膜后利用湿法腐蚀的原理刻蚀V形槽。V型槽腐蚀液配比通常为硝酸:氢氟酸:冰醋酸=5:5:2,腐蚀温度为一10℃~0℃,时间20~25rnjn(腐蚀时间随槽深而确定),通常为100~120斗m,关键是控制好腐蚀速率。2GPP器件关键工艺设备GPP二极管主要工艺流程为沟槽制作及保护膜的制作,因...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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铬和钒的掺杂含铬和钒的硬质合金有很高的硬度及一定的韧性,其热膨胀系数接近钢。使用这些材料沉积扩散涂层可获得非常好的结合力。工业CAD工艺在中温下,在油淬的碳钢制零部件上沉积硬质涂层,某些情况下会产生不一致的结合力。通过含cr或V的扩散过渡层,工艺和结合力可得到很好的控制。图1展示了结合力较差的涂层(见图la)和通过Cr扩散涂层获得的结合力较好的涂层(见图1b)。 这些复合涂层的实现需要额外的前驱物质及设施用于沉积工艺。在上例中,需要额外的发生器来产生挥发性的含Cr化合物——C尤l。口1。在此发生器中,不同的金属(粒状或碎屑状)与氯气或氯化氢进行反应。而此发生器的使用不应将最终的cr或V残留物带人到后序的涂层中(如氧化铝)。使用带内部金属氯化物发生器的同一CAD设备,可沉积带掺杂的CAD涂层,通过加入一定量的一种或几种合金(如铬、钒、钨或铊)来改善TiN,TiC或Ti(C,N)涂层性能。形成的涂层一般为(Til0Q“一。cr。V6w。)C,N,O:,其中戈+y+z=1,其机械性能(如硬度及韧性)与TiN,TiC和Ti(C,N)类似,但由于合金元素的存在,其抗腐蚀性能也得到改善。3硼的添加从早期的研究p1可知,在中温Ti(C,N)中添加硼可改变Ti(C,N)典型的柱状结构,获得相当高的硬度。在实际应用中,由于其较高的内部应力及脆性,这种涂层仅限于非常薄的涂层。因此,通过改变多...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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砷化镓的制造工艺:1.主动层的形成:由于目前砷化稼器件市场定位以高性能特性取胜,因此器件皆以异质接面方式成长为主,以求达到最佳的器件功能,目前器件以理及为市场主流,主要都是以磊晶成长方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取决于磊晶层的品质的好坏,所以需要成长出品质非常好的磊晶层,才能得到良好的器件特性。而要成长出良好的砷化稼磊晶品质,目前最普遍的是以或等方式成长,因为这些方式可以精准的控制磊晶纯度、厚度、掺杂浓度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的异质接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工艺目前主要以离子布植形成主动层,即使是有磊晶成长,皆是以为主,并无精确控制其接口成分的必要性。另外目前新兴以硅锗材料为主的制造工艺,其磊晶成长主要以技术为主,成长时需在工艺技术中使用选择性成长方式以便与技术集成,因此并无像砷化稼磊晶一般有专业代工厂成长磊晶层。2.微影制造工艺:砷化稼制造工艺中有干式蚀刻和湿式蚀刻,其中湿式蚀刻应用在一些砷化稼材料本身的蚀刻上,为制造工艺上极为关键的步骤。砷化稼湿式蚀刻基本上有非等方向的本质,其使用的蚀刻化学溶液和硅制造工艺不同,如硅是使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行蚀刻,而砷化稼可以用磷酸、双氧水与水的混合溶液蚀刻。比较特别的是,由于砷化稼为二元化合物,在不同面蚀刻后形状会不一样,随着不同平面、不同方向、不同溶液侵蚀,蚀刻后的形状可能为字型,亦可能为...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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晶体硅太阳电池制作流程太阳电池基本结构:一个单一的晶体硅电池输出电压在0.5V左右,而其最大输出功率则与太阳电池效率和表面积有关。如,一个接受光面积约为100cm2,效率为15%的太阳电池的最大输出功率仅为1.5W左右。达到一般应用要求,必须将许多太阳电池串联及并联在一起,形成所谓的模组(module)。并联的目的是为了增加输出功率,串联的目的在于提高输出电压,进一步的串联或并联则可形成阵列安排(array)。 在一把的太阳电池应用系统上,还包括蓄电池(storagebattery)、功率调节器(powerconditioner)和安装固定结构(mountingstructures)等周边设施,统称为平衡系统(balanceofsystem)。随材料和制造技术不同,太阳电池的架构会有不同变化,但最基本的结构可分为基板、PN二极管、抗反射层、表面粗糙结构化和金属电极等五个主要部分。 为达到最佳的转换效率,主要考虑的因素有:减低太阳光的表面反射;减低任何形式的载流子再结合(carrierrecombination);金属电极接触最优化。基板:在晶体硅太阳电池中,以单晶硅能达到的能量转换效率最高。要达到最优的能量转换效率,所使用的基板的品质最为关键,这里的品质指基板应具有很好的结晶完美性、最低的杂质污染等。就品质的完美性而言,所有的结晶硅中以FZ硅片(FloatZon...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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Al2O3-GaN外延片结构:•超晶格(异质结)就是将两种晶格常数不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构,超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜,事实上就是特定形式的层状精细复合材料。•由于GaN与衬底晶格失配为15.4%,因此要生长平坦而没有裂纹的高质量GaN外延层非常困难。Amano提出利用低温生长AlN或GaN作为缓冲再与高温(1000℃)生长GaN的二段生长法得到表面平坦如镜,低剩余载流子浓度,高电子迁移率的高质量GaN外延层。 外延片制造的基本流程: 衬底的制备:(a)、结构特性好,晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。(b)、接口特性好,有利于晶圆料成核且黏附性强。(c)、化学稳定性好,在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。(d)、热学性能好,包括导热性好和热失配度小。(e)、导电性好,能制成上下结构。(f)、光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小。(g)、机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等。(h)、大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。(i)、价格低廉。衬底材料的选用:Al2O3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3优点:化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;机械强度高,易于处理和清洗缺点:(1)晶格失配和热应力失配(...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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真空镀膜腔室,包括腔室门和对基板进行真空镀膜的至少一个真空制程腔,真空制程腔设于腔室门内;大气传输腔室,包括至少一个对镀膜后的基板进行散热的大气腔;以及移动装置,将基板移动至真空镀膜腔室或者大气传输腔室的输入端;其中大气传输腔室的数量少于真空镀膜腔室的数量。每个大气传输腔室对应设有至少两个真空镀膜腔室。真空镀膜腔室包括多个间隔设置的真空环境不同的真空制程腔和/或大气传输腔室包括多个间隔设置的大气环境不同的大气腔。真空镀膜腔室和/或大气传输腔室包括腔室门和真空阀,腔室门设于真空镀膜腔室和/或大气传输腔室的端部,真空阀连通真空制程腔和/或大气腔的内部和真空泵。真空镀膜腔室可切换为大气传输腔室,和/或,大气传输腔室可切换为真空镀膜腔室。真空镀膜腔室和大气传输腔室内均设有传输机构,传输机构包括设于腔室内的磁性导轨以及传送辊;移动装置设于真空镀膜腔室和大气传输腔室的同侧端部;真空镀膜腔室和大气传输腔室的两侧端部分别设置有移动装置;移动装置的传输方向垂直于所述传输机构的传输方向;还包括基板架基板固定设于所述基板架上基板架与所述磁性导轨磁性连接;所述基板架上设有与所述传送辊连接的传动轴。移动装置包括移动组件和与其连接的固定组件固定组件固定所述基板架移动组件驱动所述固定组件移动。固定组件包括机架和设于其上的固定辊固定辊上设有允许所述传动轴卡入的凹槽;所述移动组件包括带轮传动件机架与所述带轮传动件的...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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石英二元衍射光学元件制作工艺1.石英二元光学元件的制作二元光学元件的设计遵循光的衍射理论。衍射效率的高低是评价元件的重要指标。在表1中可见,理论上台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,随之的制作误差也变大,它又将导致元件的衍射效率降低。根据我们现有的工艺手段和设备制作8个台阶的元件是比较合理的。 8个台阶的元件要经过一次曝光,两次套刻曝光,三次刻蚀才能完成,其整个过程如图1所示。 1.1基片预处理预处理主要是用各种方法洗净基片表面粘附的脏物,增加光刻胶与基片的粘附能力,避免脱胶现象发生。处理后基片表面要镀一层厚度为100~200nm的铬层。它既可以增强光刻胶的粘附能力,又可以作为对准标记,以便在套刻时有良好的观察对比度。1.2甩胶及前烘处理好的基片要涂上一层光刻胶,用它来传递掩模版上的图形,然后经过反应离子刻蚀(RIE)把图形传递到基片上,这里胶的厚度W是一个主要参数,它主要由刻蚀深度h和刻蚀选择比C决定W=Ch实验时决定胶厚的因素有甩胶机的转速、甩胶时间、胶的类型以及稀释程度等。对这些因素作适当的配合就可以得到理想的胶厚。甩好的基片要及时放到恒温箱中烘烤。1.3曝光及处理工艺衍射元件设计好后可以由计算机处理成图形数据。量化级数L与曝光次数N的关系为L=2N例如,制作8个相台阶的菲涅尔透镜就要曝光3次,对应3组图形数据。如果用激光直写制作DOE,就可由计算...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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化学气相沉积装置有机金属化学气相沉积装置达成上述目的,其特征在于包括:腔室,提供对基板进行处理的处理空间;气体供给部,向腔室的内部供给处理气体;以及基板支撑部,配置于腔室的内部,具备安装基板的收容槽,对基板进行加热;且在收容槽的内侧形成有安装基板的安装部,在安装部的边缘与收容槽之间形成有中间槽。在基板安装到安装部的情况下,中间槽的宽度可被所述基板遮挡60%至95%。中间槽可形成为内部的边角具有棱角的形态。在此情况下,中间槽的宽度可为1mm至3mm。从安装部的上表面测定的中间槽的深度可相对于从基板支撑部的上表面测定的中间槽的深度而为40%至80%。进而,基板可沿圆形的圆周面而在至少一部分具备平面,收容槽具备从边缘向内侧突出形成而防止基板旋转的突出部。此时,基板的平面可与突出部接触。在此情况下,基板的圆周面与平面接触的角隅区域不与突出部接触。突出部相对于安装部的中心的圆周角度可相对小于基板的平面相对于安装部的中心的圆周角度。进而,能够以可装卸的方式配置突出部。基板支撑部可包括安装基板并加热的加热器区块,从加热器区块的底部向上部形成插入槽,在插入槽的内侧具备测定加热器区块的温度的热电偶。从加热器区块的底部测定的插入槽的高度可相对于加热器区块的高度而为60%至90%。发明效果根据具有上述构成的,在基板支撑部的收容槽安装基板的安装部与收容槽的内表面之间形成中间槽,由此引导如颗粒等的异物形成到...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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MOCVD工艺1反应室流体力学模拟系统:反应室流体力学模拟子系统包括3个部分:(1)有限差分网格的自动剖分;(2)气流传输方程的求解;(3)模拟结果的可视化处理,各部分的关系及功能如图1所示,剖分模块可对任何结构的反应室按用户要求进行自动有限差分网格剖分,并产生剖分文件供模拟模块使用,模拟模块对传输方程在现有网格上进行快速求解,并存储数据文件供显示模块使用,显示模块可以=维填充或等值线方式显示速度分布、压力分布和温度分布,并可打印输出,亦可保存成图像文件。 生长高质量半导体薄膜的前提条件是反应室内的气流应为层流,最佳反应室结构是指能够产生层流分布的结构,最佳结构是相对的,与生长条件密切相关这就要求设计人员必须根据生长的材料系统及生长条件来设计反应室结构,2化学反应热力学模拟系统:对于MOCVD系统,在一定条件下,当反应物的消耗速率及生成物的产生速率近似相等时,就可以认为达到一种动平衡,这时热力学分析的相平衡理论就可以运用于系统,通常进行热力学分析有两种方法,一种是求解质量作用方程组,可得到系统中各物种于平衡态时的浓度;另一种是以系统相平衡时自由能最小为判据,同样可得到反应后组分,后者更适于处理复杂的多元复相系统,在开发热力学模拟系统时我们采用了后者,将自由能最小原理推广到多元复相系统,并将各种工艺参数对系统引起的物种分配变化,集成于一个模拟系统处理,采用目前比较先进的VC...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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滤波器结构:所设计的并联电感耦合波导滤波器采用了三谐振器电感膜片耦合的结构如图1所示。图1滤波器结构示意图滤波器是四面封闭、两端开口的腔体结构腔体内部全部金属化立体结构如图2所示。滤波器的设计尺寸为240mm×50mm×25mm频率140GHz带宽10GHz。图2滤波器立体结构示意图滤波器工艺路线:研制波导滤波器的工艺步骤如下(图3)备片硅片厚800m。刻蚀掩模制备由于刻蚀深度达800m,刻蚀掩模需要使用厚度大于3m的氧化层或0.5m厚的铝或铬层。光刻:光刻腐蚀氧化层形成深槽刻蚀掩模。刻蚀:ICP刻蚀硅刻蚀深度800m将硅片刻蚀穿通。键合硅片去除刻蚀掩模后采用阳极键合技术封闭滤波器的底面。金属化溅射Au使硅结构表面金属化电镀加厚金属厚度3~8m。键合采用Au-Si共晶键合技术封闭滤波器的顶面,完成滤波器的芯片加工。划片通过划片工艺获得设计外形尺寸的THz滤波器样品。关键工艺技术:THz滤波器要求刻蚀深度深、四面封闭、内部金属化等。相较一般的体微加工工艺有其特殊性和难度主要的关键工艺技术有硅深槽刻蚀、腔体内部金属化和三层键合工艺。硅深槽刻蚀技术:采用等离子刻蚀机研究硅深槽刻蚀的两个关键问题掩模的选择和横向腐蚀的控制。试验表明厚度大于3m的热氧化硅或0.5m的金属铝或铬膜可以满足刻蚀硅通孔的要求同时深槽刻蚀需要提高刻蚀速率以满足刻蚀800m硅通孔的要求。最终的工艺加...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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