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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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氮化镓干法刻蚀研究进展摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AIGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于8O。且刻蚀表均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因索进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。关键词:氮化镓;下法刻蚀;等离子体;刻蚀损伤1引言氮化镓(GaN)材料具有良好的电学特性⋯,如宽的禁带宽度(3.4eV)、高击穿电场(3×106V/Cm)、较高的热导率(1.5w/Cm・K)、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、高压、大功率电子器件和短波长光电子器件的理想材料。刻蚀是GaN电子器件制造工艺中非常重要的一步,但是GaN材料是极稳定的化合物,其键能达到8.92eV,在室温下GaN不溶于水、酸和碱,在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解,所以用湿法刻蚀很难获得满意的刻蚀速率,可控性较差『21。与传统的湿法刻蚀比较,干法刻蚀技术具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点,所以反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振等离子体(ECR)、感应耦合等离子体(ICP)等多种干法刻蚀方法被应用于GaN材料的刻蚀中。ICP以其廉价的等离子体...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进摘要:在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的去离子水(DIW)清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理,并通过合理的实验设计和分析,给出了具体的解决方案。关键词:半导体制造;氮化硅;湿法刻蚀;湿法清洗;1引言热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用了几十年了。由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀具有良好的均匀性和较高的选择比,一直到了90nm的最先进制程也是采用热磷酸来刻蚀氮化硅与氮氧化硅。常用的热磷酸刻蚀液是由85%浓磷酸和15%去离子水(DIW)配合而成,并保持在160℃的温度下进行刻蚀。热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用热去离子水清洗。当芯片从160℃的磷酸槽进入水槽时,芯片表面残余磷酸的粘度极剧增加,并且形成一层带有磷酸和副产物的薄层紧贴于芯片表面。如果不将这层残余物质清洗干净,将严重影响芯片的后续制程,造成芯片成品率的损失和可靠性问题。所以热磷酸后清洗比其他酸液(如SC2,SPM,HF等易去除的试剂)之后的清洗更关键,也更具有挑战性[1]。2清洗缺陷产生机理分析随着工艺尺寸的逐渐缩小,定义和刻蚀精准的多晶硅线条变得越来越困难。工业界常采用在多晶硅表面覆盖一层由化学汽相沉积的氮氧化硅(SiON)来解决这个问题。在定义多晶硅线...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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单晶硅片KOH碱刻蚀工艺研究在太阳能电池片制造行业中,通常单晶硅片需要进行清洗,去除各种杂质,或者利用化学品对硅片行刻蚀后形成特定的表面状态,这样才能够继续进行后续工艺生产。其中,利用碱溶液KOH进行刻蚀清洗,是一种重要的硅片处理方式。在湿法设备中集成多种化学品后,可以在单个设备上完成刻蚀、清洗等不同工艺,达到对硅片进行综合处理的目的。KOH溶液的质量分数、刻蚀时间等对硅片表面状态有重要影响。KOH刻蚀过程中需要使用大量的化学品,近年来随着技术的进步,出现了KOH碱刻蚀辅助添加剂,通过在KOH溶液中混合辅助添加剂,不仅能够达到原先的工艺要求,还能够有效减少化学品用量,降低化学品废液的处理量和难度,为今后KOH碱刻蚀大规模用提供了条件1 实验材料和工艺实验中,使用砂浆切割和金刚线切割的单晶硅片外观尺寸为156mm×156mm,厚度为200um,电阻率为1-3Q·cm。该单晶硅片为市场常见硅片。电池片生产工艺采用车间量产的PERC(射极纯化及背电极)单晶生产工艺。各类化学品原液质量分数如表1所示。2 实验结果与讨论2.1KOH预清洗砂浆切割的硅片表面有大量的切割损伤和各种杂质等“,需要进行清洗才能开展下一步扩散工艺。通常采用KOH刻蚀的方式来对硅片进行预清洗,去除硅片表面各种脏污杂质等,达到清洗效果。清洗工艺中,通常刻蚀时间对工艺效果影响较大。实验中,保持KOH溶液...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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单晶硅片的制造技术摘要:随着IC技术的进步,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径( ̄<200 mm)硅片的生产;随着大直径硅片的应用,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点。关键词:IC 硅片研磨抛光磨削 集成电路(IC)是现代信息产业的基础。IC所用的材料主要是硅、诸和碑化嫁等,全球90%以上IC都采用硅片。制造IC的硅片,不仅要求具有极高的平面度和极小的表面粗糙度,而且要求表面无变质层、无划伤。目前硅单晶制备技术可使晶体径向参数均匀,体内微缺陷减少,0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05个/cm2;对电路加工过程中诱生的缺陷理论模型也有了较为完整的认识,由此发展了一整套完美晶体的加工工艺。此外,随着半导体工业的飞速发展,为满足现代微处理器和其它逻辑芯片要求,一方面,为了增大芯片产量,降低单元制造成本,要求硅片的直径不断增大;另一方面,为了提高IC的集成度,要求硅片的刻线宽度越来越细。IC制造技术已经跨入0.13和300mm时代,这对单晶硅片的制造技术提出了新的要求。1硅片直径及集成电路的发展趋势按照美国半导体工业协会(SIA)提出的微电子技术发展构图,到2008年,将开始使用直径450mm的硅片(硅片直径的发展趋势如图1...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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TSV基础知识介绍硅通孔技术(TSV):第4代封装技术硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。日月光公司集团研发中心总经理唐和明博士在Chartered上海2007技术研讨会上将TSV称为继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。然而,TSV与常规封装技术有一个明显的不同点,TSV的制作可以集成到制造工艺的不同阶段。在晶圆制造CMOS或BEOL步骤之前完成硅通孔通常被称作Via-first。此时,TSV的制作可以在Fab厂前端金属互连之前进行,实现core-to-core的连接。该方案目前在微处理器等高性能器件领域研究较多,主要作为SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再进行TSV的制作,然后完成器件制造和后端的封装。而将TSV放在封装生产阶段,通常被称作Via-last,该方案的明显优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。目前,部分厂商已开始在高端的Flash和DRAM领域采用Via-last技术,即在芯片的周边进行通孔,然后进行芯片或晶圆的层叠。刻蚀工艺是关键尽管TSV制程的集成...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究摘要:通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。关键词:碳化硅;背面通孔刻蚀;感应耦合等离子体(ICP);刻蚀速率;        引言SiC与GaN为继Si和GaAs材料之后的第三代半导体材料的典型代表,用其制作的半导体微波功率器件及其微波单片集成电路(MMIC)具有工作温度高、应用频率高、功率输出大、增益高等优点[1-2]。由于SiC材料具有较高的热导率和稳定性及与GaN材料的晶格匹配较好,在SiC衬底上外延GaN材料成为当今GaN功率器件发展的主要方向,特别是在高性能GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率器件及其...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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干法刻蚀之铝刻蚀在集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀;后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀,可以严格控制纵向和横向刻蚀。 干法的各向异性刻蚀,可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指,与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部,表面的原子键被破坏,扩散至此的自由基很容易与其发生反应,使得这个方向的刻蚀得以持续进行。与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整,从而形态得到保护。侧壁钝化机制是指,刻蚀反应产生的非挥发性的副产物,光刻胶刻蚀产生的聚合物,以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待刻蚀物质表面形成钝化层。图形底部受到离子的轰击,钝化层会被击穿,露出里面的待刻蚀物质继续反应,而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击,阻止了这个方向刻蚀的进一步进行。在半导体干法刻蚀工艺中,根据待刻蚀材料的不同,可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。金属刻蚀又可以分为金属铝刻蚀、金属钨刻蚀和氮化钛刻蚀等。目前,金属铝作为连线材料,仍然广泛用于DRAM和flash等存储器,以及0.13um 以上的逻辑产品中。本文着重介绍金属铝的刻蚀工艺。  金属铝刻蚀通常用到以下气体:Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。Cl2作为...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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RENA前后清洗工艺什么是太阳能电池?1. 太阳能电池的原理太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子—空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。2. 制造太阳能电池的基本工艺流程二、前清洗(制绒)1. 制绒工艺的分类:制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒:    利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率(各向异性腐蚀),对(100)面腐蚀快,对(111)面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面,经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面(金字塔状),称为表面织构化。但是对于多晶硅,由于晶体排列方式杂乱,如果利用碱液,无法进行腐蚀得到良好的金字塔织构化表面,此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀,获得表面存在许多凹坑的表面结构,也能起到良好的陷光作用。2. 陷光原理:当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。腐蚀深度在4.4± 0.4...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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GaN材料介绍1.1GaN的晶体结构一般地说,GaN具有三类晶体结构,分别为:纤锌矿,闲锌矿和岩盐矿。闪锌矿和岩盐矿是比较少见的。它们的晶体结构示意图有下图1.1所示。人们所制各的GaN的结构,一般来说都是纤锌矿结构,因此着重介绍一下Gab]的纤锌矿结构。GaN晶体是可以看作山两套六角密堆积的晶格相互嵌套的纤锌矿结构。这就是说.这种结构相当于两套格子沿着C轴(0001)方向错了3/8的晶格常数位簧,而两套格子中任何一个格子都由一类原子(N原子或者Ga原子)构成,如1.1图所示。在纤锌矿结构的GaN中沿C轴(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延续。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人给出了被广泛的接受GaN的晶格常数,分别为a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化学性质GaN的化学性质十分稳定,在室温下,几乎不与酸和碱的溶液反应1271。到现阶段为止,只有熔融的KOH能比较有效的与GaN反应【2引.而这个方法被人们用来检测(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,还有电化学湿法刻蚀,本文会在后面讲到。由于GaN的化学性质稳定,难以通过常用的化学反应手段进行腐蚀。因此,在GaN器件的制作过程中常用干法刻蚀。主要是感应耦台等离子刻蚀和反应离子刻蚀的两类刻蚀方法。这两类的干法刻蚀所用的刻蚀气体一般是氯元素的化...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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摘要:化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关捷要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。关键词:化学机械抛光;原子级精度表面;清洗技术0引言目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性,导致微结构缺陷,引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题⋯1。计算机硬盘技术中,随着硬盘存储密度的快速上升,磁头的飞行高度已降低到10姗以下L2J。原子级表面粗糙度(原子直径小于0.3nm)、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求,也是关系其性能的关键因素。目前一般采用CMP技术进行片子表面的高精度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高,以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米Si02、纳米AIO粒子)、多种化学品等因素,工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物,导致CMP后清洗极其困难。集成电路技术中,对0.35pm及以下的CMOS工艺,要求后清洗提供的片子上0...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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