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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取相关半导体资料引言本文描述了用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案,随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH/IPA溶液进行湿法蚀刻以产生硅鳍。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜来确定形貌,包括鳍之间区域的表面粗糙度和硅的蚀刻速率。 介绍硅蚀刻在图案从光掩模转移到衬底之后,下一步是蚀刻衬底,以获得与抗蚀剂上完全相同的图案。硅蚀刻有两种分类标准。一种是基于蚀刻形状;另一种是基于蚀刻技术。蚀刻后的硅的形状可以是圆形的,也可以是尖角形的,分别称为各向同性蚀刻和各向同性蚀刻。对于IC制造,最常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。 各向异性蚀刻和各向同性蚀刻各向同性蚀刻是一种非定向移除部分基板的蚀刻方法(图2.1 (a)),从而产生圆角。相反,各向异性蚀刻意味着每个晶体取向具有不同的蚀刻速率,因此拐角是尖锐的(图2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向异性蚀刻形状是底角为54.74°的等腰形状(图2.1 (...
发布时间: 2022 - 03 - 23
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发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:114
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是,硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在硅晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。为了正常工作,硅晶片必须完全没有任何污染物。然而,去除这些污染物并不是最简单的任务,因为硅晶片非常易碎。因此,半导体制造企业必须坚持精心制定的清洁计划,确保晶圆表面恢复到清洁状态,同时保持最小的损坏风险。为了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推荐以下清洗步骤:第一步:溶剂清洗半导体制造企业使用溶剂成功去除硅片表面的油和有机残留物。虽然溶剂确实能去除这些污染物,但溶剂本身也会在晶片表面留下残留物。由于这个原因,实施了双溶剂方法以确保晶片回到无污染状态。溶剂清洗方法概述如下:·准备两个浴槽,一个玻璃容器装有丙酮,另一个装有甲醇。·将丙酮容器放在加热板上,将丙酮加热至不超过55°c的温度。·一旦变暖,将硅片浸泡在丙酮浴中10分钟。·丙酮浴完成后,取出硅片并将其放入甲醇容器中5分钟。·时间一到,将晶片从甲醇中取出,在去离子水中冲洗。·用氮气吹干硅片。 第二步:清洁RCA-1通过混合5份去离子水和1份氢氧化铵(27%)开始准备RCA槽。将RCA容器放在加热板上,将...
发布时间: 2022 - 03 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外,湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。尽可能多的来源已被用来提出一个蚀刻剂和工艺的简明清单。 晶圆清洗通常使用一系列化学物质来清洗硅晶片。该序列首先由RCA实验室开发,因此通常被称为RCA过程。这种化学顺序不会侵蚀硅材料,而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程;在整个工业中,对顺序和化学比例的排序有许多变化。一般清洗:一般清洗是通过使用硫酸和过氧化氢的混合物来完成的。混合这些化学物质是危险的,会产生极高的热量。这种工业标准的清洗去除了晶片上的有机和无机污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·颗粒去除:在5∶1∶1的去离子水∶氢氧化铵∶过氧化氢混合物中的兆频超声波清洗(约70 ℃)将从晶片上去除二氧化硅和硅颗粒,以及去除某些有机和金属表面污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒将去除晶片表面的自然氧化物层和氧化物中的任何污染物。HF极其危险,必须小心处理。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。&#...
发布时间: 2022 - 03 - 22
浏览次数:8
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文主要阐述在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓中都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。此外,GaAs的表面很难控制,可能对看似微小的工艺条件很敏感,例如用水冲洗晶片的时间长度。据我们所知,只有一篇参考文献引用了在GaAs上使用预涂自然氧化物蚀刻来提高粘附性。该参考研究表明,基于水滴接触角实验,预涂处理是有前途的,并且在光致抗蚀剂显影步骤之后验证了粘附性。没有参考文献引用在湿法蚀刻过程中使用预涂处理进行粘合也不影响对湿法蚀刻轮廓的观察效果,这通常归因于蚀刻剂的GaAs晶体结构...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的,但是在剥离过程中,材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题,以及最终去除其上沉积有材料的抗蚀剂掩模。 基本原理图124显示了过程se-中的基本差异,通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺,光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的,而在剥离工艺中,涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通过抗蚀剂掩模的开口直接施加到衬底上的材料根据需要保留在那里。如图所示,用于抗蚀剂处理的光掩模必须倒置或交替使用当在蚀刻和剥离工艺之间改变时,光刻胶的正性和负性处理。 图124 通过蚀刻工艺(左)和剥离工艺(右)构造(例如金属)层的基本工艺顺序 与蚀刻工艺相比的优点和缺点只有当阻止了抗蚀剂侧壁的涂覆时,剥离过程才实现可再现的限定结构,这在各向同性溅射工艺中是不可能的。对于诸如金或氮化硅的一些材料,由于施加到其上的抗蚀剂掩模的粘附性差,湿法化学蚀刻是有问题的,因此干法蚀刻或剥离是合理的替代方案。如果所需的化学物质不能用于例如工作,则湿法化学蚀刻工艺不适用安全原因。如果由于涂覆过程及其持续时间而对衬底有很高的加热,剥离过程是关键的...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度,对高功率电子器件也很有吸引力。然而,由于普通材料的活化能较大,已经证明在GaN膜中实现高p型导电性非常困难。这导致GaN N-p-n异质结双极晶体管(HBTs)中的基极电阻过大。在本文中,我们解决了基极电阻的来源,并提供了这个问题的实验和理论解决方案。 介绍基极接触电阻由于半导体的大功函数以及低的受主电离效率,难以实现与p-GaN的低电阻欧姆接触。通常获得10-3ω-cm2范围内的特定接触电阻。最近,提出了一种新型的金属-半导体接触,即所谓的极化增强接触。这一概念基于薄GaN基合金中存在的由极化效应产生的大内部电场。在这种接触中,极化感应电场增强了典型隧道接触中空间电荷区的电场,导致空穴的隧穿距离更短,接触电阻降低。图1示意性地示出了这种效果。 图1 a)传统金属/ p型半导体接触和b)极化增强接触的能带图我们考虑生长在AlGaN层上的GaN薄层的情况,其中GaN具有内部极化效应产生的电场。假设金属和GaN层之间有一个三角形势垒,接触电阻可以用解析方法计算,参数为GaN层厚度d、金属-半导体势垒高度φB和内部电场强度e。图2显示了最小GaN层厚度与产生特定接...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多把半导体相关资料引言本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了GaAs,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓在都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。我们的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺改变,首先,我们从Clariant AZ4330光刻胶切换到Shipley SPR220-3。我们已经发现,后一种抗蚀剂具有更好的旋转均匀性和分辨率,但是其对GaAs的粘附力略次于AZ4330。其次,我们将湿蚀刻从基于手动浸没的工艺转移到SSEC 3300喷雾蚀刻系统。虽然有可能产生更好的蚀刻均匀性和可重复性,但是喷雾蚀刻系统可能是对光致抗蚀剂粘附力...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来,与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展,并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。大多数物质在与溶液接触时,会获得表面电荷,胶体化学中就是这么说的。据认为,这种电荷是由固体表面电离、离子吸附到固体表面和离子溶解引起的。溶液中的带电固体表面影响界面周围区域的离子分布;与带电固体表面符号相反的离子被拉向界面,而符号相同的离子被迫离开界面。这样,在溶液中的带          电界面形成双电层,并随后影响与晶片表面相关的颗粒吸附和去除。接下来,将简要说明ζ电势。如果一个固体浸入溶液中时,在固-液界面上存在双电层。图10.1显示了一个固体—液体界面的结构模型,它是基于斯特恩的理论,适用于带正电荷的表面。在这个双电层中,在几乎是固体的部分,有一个吸收相反离子的斯特恩层。此外,扩散层存在于其外部。船尾层外侧存在一个滑移面。这个滑移面的电势称为ζ电势。滑移面位于液体中的某处,而不是正好在固-液相边界。ζ电势用于解释颗粒对晶片表面的粘附和去除。图10.2显示了溶液中颗粒和晶片表面的示意图。例如,由于吸收H”离子,推测两个表面都带正电。在...
发布时间: 2022 - 03 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻速度快,而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性,同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中,以改变从{110}壁到{100}壁的选择性,并提高表面光滑度。氧化物和氮化物在KOH中都蚀刻缓慢。氧化物可以在KOH蚀刻浴中用作短时间的蚀刻掩模。对于更长的时间,氮化物是更好的掩模,因为它在KOH中蚀刻得更慢。另一种选择(对许多其他功能有用)是用硼掺杂晶片。这也将降低蚀刻速率,实际上停止富硼硅的蚀刻。当KOH浓度在80℃时达到18wt%时,蚀刻速率随着KOH浓度的增加而增加。当KOH浓度增加超过18wt%时,蚀刻速率降低。蚀刻过程中发生的化学反应就是这种变化的结果。这将在后面更深入地讨论。然而,通常不使用最大蚀刻速率的浓度,因为表面光滑度随着浓度的增加而提高(明显高于30%)。其中浓度以摩尔/升为单位,k0 = 413米/分钟*(摩尔/升)-4.25,EA = 0.595电子伏。KOH的密度和分子量分别为2.055克/立方厘米和56.11克/摩尔,水的密度和分子量分别为1.00克/立方厘米和1...
发布时间: 2022 - 03 - 18
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