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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      超临界二氧化碳(COC)由于其低成本、低毒性、不燃性和环境可接受性,已被确定为各种精密清洁应用中氟氯化碳的有前途的溶剂替代品。本文介绍了最近使用COC作为清洗溶剂的经验,以将该技术应用于商业实践。      超临界流体在精密清洗中的应用源于过去十年该技术的发展。超临界流体的新的溶剂特性,特别是二氧化碳,已经在食品、制药和石油工业中得到商业利用。最近,超临界流体技术已被商业应用于从工业废水中提取有害有机化学品。目前,二氧化碳正被用于多种精密清洁应用,第一批商用系统正在运行中。 实验      典型的一氧化碳清洗过程是使用多个清洗容器作为间歇操作或半连续过程进行的。典型的间歇系统由两个主压力容器、一个清洗室和一个分离器组成。其他主要设备包括期间很少或没有操作员注意清洁周期。在后一种情况下,一组预编程的操作参数。针对正在清洗的材料进行了优化,可控制过程中的流程示意图Figure1说明了基本的批量清洗操作。      使用合适的篮子、容器或固定装置将待清洁的材料装入清洁室。然后,使用为操作人员和工作环境设计的快速开启关闭机构来密封腔室。清洁过程开始于将液态一氧化碳从储存容器泵入清洁室,并将清洁室加压至工作条件。...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着超精密加工技术的发展,在机械加工中也需要纳米级的加工控制技术,从这个观点出发,近年来,利用扫描型探针显微镜(SPM)的极微细加工技术被广泛研究1)~5)。为了确立纳米级的机械加工技术, 考虑到化学效果,理解加工现象是重要的研究课题。 实验      图1是利用FFM机制进行的极微细机械加工(以下称FFM加工)的概略图。      图2是实验方法的概略图。首先,使用安装了加工用悬臂梁的FFM机构,对单晶硅的抛光面((100)面,Ra5nm)进行正方形领域的凹痕形成加工,其次,用KOH水溶液对该试料进行蚀刻处理。为了提高蚀刻处理后的试料表面的粗糙度,将异丙醇(IPA)作为添加剂混合在蚀刻液中使用。加工条件如表1和表2所示。经过一定时间后,充分进行流水冲洗,使表面干燥后,用观察用悬臂梁对加工部的变化进行AFM观察。 图2实验方法的示意图      以垂直负荷789μN,加工速度120μm%s进行机械加工的试料表面的AFM观察像。形成了深度约34nm的凹痕。图1是用15wt%KOH水溶液进行20分钟蚀刻处理的加工部的AFM观察像。加工部表面显示出很强的掩膜作用,其周围被选择性地蚀刻。其结果,残留形...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      介绍了摩擦力显微镜下的悬臂梁对单晶硅表面(100)正方形进行微加工的研究。结果发现,用氢氧化钾溶液蚀刻工件后,加工区域变为凸凸。了解了凸面的高度取决于加工条件,特别是氢氧化钾溶液的浓度的关系。为了了解相反的刻蚀处理结果,采用透射电镜(发射电子显微镜)和激光拉曼法对加工表面的结构进行了分析,得到了表面的厚氧化和下劣化。此外,还验证了超声波清洗结合刻蚀提高粗糙度和去除残留物的效率。并应用实验结果,提出了无掩模形成微结构的方法。 实验      在加工部位发现了很强的面罩作用, 发现了凸状结构残留形成的情况。这个掩膜作用是加工条件, 特别是显示了对KOH水溶液浓度的强烈依存,即, 如图1D所示, 用浓度约20wt%以下的KOH水溶液蚀刻FFM加工区域后,加工区域会有选择地呈凸状(掩蔽效果)。 明确了在20wt%以上的情况下反而变成凹状(蚀刻促进效果)。      通过用浓度不同的KOH水溶液蚀刻FFM加工后的试料,产生掩蔽效果或蚀刻促进效果。这表明,在FFM加工区域的表层存在结晶性紊乱,与大气中的氧结合,化学性质发生变化的层。因此,为了阐明这两种相反的化学效果的机理,FFM; 对加工表面层进行了结构分析。 图1氢氧化钾浓度与结构...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      单晶S1, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性烯酸,精密地加工出微细的立体形状。以各向异性烯酸为契机的半导体加工技术的发展,在晶圆上形成微细的机械结构体,进而机械地驱动该结构体,在20世纪70年代后半期的Stanford大学,IBM公司等的研究中,这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中,关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术,在叙述其研究动向和加工例子的同时,还谈到了未来微机械的发展方向。 实验      作为用于化学各向异性蚀刻的蚀刻剂,已知有KOH水溶液、乙烯胺水溶液等1}。当使用这些进行蚀刻时,具有轮胎蒙特晶体结构的S1的(111)的蚀刻率与其他晶面的蚀刻率相比显示出极小的值。例如,在40℃下对40%KOH水溶液的所有方向的蚀刻率进行测量的结果如图1所示2)。用等高线表示布。全方位中表示蚀刻速率的最大值的是(110),表示最小值的是(111)。两者的蚀刻速率的比约达到1801.另一方面,S1的氧化膜(S102),氮化膜(S13N4),另外掺杂了大量杂质的S1的蚀刻速率与S1相比也非常小。利用这样的性质...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距和更高的大规模集成电路密度,已经研究了颗粒和微污染对晶片的影响,以提高封装产量。湿法清洗/蚀刻工艺的湿法站配置有晶片装载器/卸载器、化学槽、溢流冲洗槽和干燥器。 介绍      本文开发了多化学品供应系统,并将其应用于湿式站,该系统采用多化学品同浴工艺。多化学品供应系统有两个化学品瓶、气动系统、两个供应泵、电容传感器、化学分析仪和可编程逻辑控制器(PLC)单元。为了控制两种化学品的浓度,供给泵控制逻辑使用可编程逻辑控制器编程。 实验      图1显示了在三京湿法站中使用的一种槽配置,其中100:1稀释氢氟酸(DHF)化学品和去离子水(去离子水)被供应到槽中。DHF化学用于预扩散清洗、预氧化物剥离和氧化物蚀刻。浴槽由聚四氟乙烯材料制成,过滤器用于过滤...
发布时间: 2021 - 11 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      许多晶圆清洗技术都在竞争高效太阳能电池处理的使用。有些是从集成电路制造中借鉴而来的,在本工作中,对上述技术进行了定性比较,并在清洁效率和作为预扩散清洁的适用性方面对后三种技术进行了实验比较,所述预扩散清洁用于加工效率超过21 %的双面和IBC n型太阳能电池领域的工业应用。      一般认为高效太阳能电池器件,如PERC电池、双面n型太阳能电池如ISC的BiSoN概念和交叉背接触(IBC)太阳能电池如ISC的ZEBRA概念需要比标准铝背表面场太阳能电池更先进的晶片清洗。电池效率在20% (BiSoN) 左右和21% (ZEBRA) 以上,只有在高温步骤前表面足够清洁的情况下才能实现。对于这种太阳能电池概念的工业实施来说,需要直接且成本高效的高通量清洁技术。 实验      清洁效率的比较:根据图1清洗使用RENA monoTEX纹理化的晶片。      在所有清洗程序中,使用的稀释氟化氢(d HF)浓度为2%。POR和工业清洗液中稀释的氯化氢浓度为3%,浸泡时间为5分钟。      在80℃下,在SPM(硫酸过氧化氢混合物)中的浸泡时间为10分钟。整个POR过程需要45分...
发布时间: 2021 - 11 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究考察了利用超临界二氧化碳和共溶剂添加剂去除硅晶片表面Si3N4刨除的技术。 首先,通过关于几种表面活性剂和添加剂的超临界二氧化碳溶解度及刨花板分散性评价,确定了其对超临界工艺的适用性。 通过调整各种变量,进行了刨花板洗脱实验,确立了最佳去除条件。 实验中使用的表面活性剂除垢效果差,实验后证实有次生污染物形成。 而trimethyl phosphate是IPA共溶剂和微量HF混合的清洁添加剂,含超临界二氧化碳为5 wt%的流体,温度50℃; 在压力2000psi下,以15mL min-1的流速洗脱4分钟,结果表明,除垢效率为85%。 实验试剂和材料:作为实验中使用的蚀刻用试剂,HF水溶液以HF/water(1:1, 德山),并购买了IPA(东友精密化学)、Tergitol(ALDRICH)、TMN-6(ALDRICH,)、Trimethyl phosphate(ALDRICH)作为公用溶剂和添加剂,按适当比例配伍使用。 这些药品均为试剂级,没有单独的提纯过程使用,试验使用的蒸馏水采用了三次蒸馏水。 购买并使用纯度为99.99%的二氧化碳(临沧气体),购买并使用Silicon nitride(Si3N4,50 nm,ALDRICH)作为污染样品的污染源,wafer使用的是由纳米综合Fab中心设备制作的silicon材质bare w...
发布时间: 2021 - 11 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了应用于透明导电氧化物电极(transparent conductive oxide electrodes),在RF磁控溅射方法中的年玻璃基板上沉积了氧化锌薄膜。为了实际的消磁应用,通过光子光成像形成pattern,通过湿式蚀刻探讨其特性。湿式蚀刻中使用的蚀刻溶液(etchant)使用了多种酸溶液(硫酸、草酸、磷酸),并了解了酸浓度变化时的蚀刻特性以及蚀刻时间和蚀刻图像(表面形状)的变化。结果,氧化锌的湿式蚀刻与酸的种类无关,很大程度上取决于所买溶液的农度(即pH),随着pH的增加,蚀刻率在指数函数上下降,同时首次考察了各种蚀刻图像的出现。 实验      氧化锌薄膜的合成:为了用作透明导电电极,需要高透光率和低电阻。氧化锌根据溅射沉积条件(例如目标与基板的距离、基板的温度、RF power、沉积温度等)进行其特性的变化。为了了解氧化锌薄膜在优化条件下的结构特征(与目标和基板的距离为30毫米、RF功率为200 W、常温沉积),本烟区观察了wide scan XRD,如图1所示。众所周知氧化锌是从基体表面开始平行于C轴生长的。该林1显示了以(002)面生长的氧化锌,在34附近以高C轴生长的图表。另外,图1中插入的图表示33~36之间的高解析XRD模式。图1 典型...
发布时间: 2021 - 11 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文简要综述了所提出的清洗机制。然后介绍了聚VA刷摩擦分析结果。在摩擦分析中,刷的粘弹性行为、平板的表面润湿性以及刷的变形是重要的。此外,我们还介绍了PVA电刷和接触面之间真实接触面积的可视化结果。在半导体器件制造过程中,这次的专题“清洗与净化”是一个非常重要的事项。基本上半导体工厂都是洁净室,各种工艺都是在极度受控的环境下使用的。 实验      用PVA刷摩擦表面的清洗机构并不那么简单。那是因为使含有非常多液体的刷子在表面移动,因此提出了如Fig.1所示的各种清洗模型。用液体和固体去除表面存在的粒子,为正混相流。   图1粒子移动模型另外,在这样的干洗中,据说粒子的除去性会根据进行 洗涤的高分子(洗涤工具)、要除去的粒子、以及被洗涤物 表面各自之间的分子间力的大小的不同、该高分子的形 状而发生 变化。例如对附着有二氧化硅粒子的PMMA平 面(被清洗物)进行清洗。面向壁虎自清洁机 制的阐明,报道了活跃的研究成果“3-7” O在利用模拟 它们的高分子进行干洗(不使用液体的干燥状态下的粒子 除去)中,Fig.2中显示。 图2加载-拖动-卸载运动中的干清洁图3显示的是利用测压元件在板上压缩PVA电 刷时的垂直力FX和变形的关系...
发布时间: 2021 - 11 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言III―V族的化合物半导体GaAs,与Si半导体相比,如果能利用快6倍的电子移动度和少的配线容量,就有利于高速化,由于是单纯的晶体管的构造,高集成化元件也是合适的。根据这样的特征,GaAs在超高速演算元件,半导体激光,通信领域被广泛应用。以Si晶圆为代表,用于器件平坦化的CMP被积极地研究。但是,GaAs晶圆的CMP与其重要性相比,研究并不多。这是因为GaAs晶圆的直径还很小,使用量也不如Si,即使是现有的浆料也能满足CMP特性的要求。目前,III-V族化合物半导体,特别是GaAs和lnP晶圆的CMP用浆料主要使用次氯酸钠(NaOCl)作为蚀刻剂,其镜面加工的机理也在考察中。但是,由于对环境问题的应对越来越多,对开发新的GaAs超精密抛光用浆料的要求越来越高。本方法的主要目的是开发对人体和机器的工作环境无害的新的GaAs CMP浆料。 实验本方法中的GaAs晶圆是Si掺杂N―type的(100)方位角。浆料的成分是具有光触媒用锐钛矿结晶状的TiO2的粉末,过氧化氢使用30%浓度的溶液。为了比较加工特性,使用了GaAs晶圆专用的研磨药品。研磨实验全部进行了3次。图1表示实验装置。图1(a)是一般的CMP装置的模式图,(b)是为了调查本研究中使用的紫外线照射的影响的CMP装置。在表面板上使用紫外线吸收少的石英,为了将紫外线通过石英直接照...
发布时间: 2021 - 11 - 23
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