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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文讨论了湿式化学蚀刻作为锥面加工的一种新技术。研究了石英晶体刻蚀材料的去除条件和成型条件。为了解决从晶片切割成所需尺寸的晶体片被桶加工数百小时并被抛光成斜面形状的问题,因为晶体振动器由于从晶片切割成条形而具有差的振动特性,因此需要将晶体振动器加工成凸形(斜面加工)。 本研究的目的是开发一种新的斜面加工方法。 实验      在该方法中,如图1所示,在晶片阶段预先将凹槽加工成斜面形状,并将注意力集中在湿法蚀刻上,该湿法蚀刻被认为可以进行微加工,并且在生产率和成本方面具有优势。 为了解决在湿法蚀刻中进行斜面加工时需要掌握适当的材料去除条件和建立形状形成条件的问题。 因此,我们研究了蚀刻条件和抗蚀剂条件。 图1 斜角加工工序      用氢氟酸(液温40℃、浓度5、10wt%)进行实验得到的结果如图2所示。 5重量%下约0.25μm/h和10重量%下约1.25μm/h的蚀刻速率得到了。 此外,氟化钠只能获得0.01μm/h左右的非常小的蚀刻速率。 由于推测所需的斜面量为2μm左右,因此决定用氢氟酸进行研究。 图2 蚀刻速率      抗蚀剂涂布条件:将光致抗蚀剂滴入用丙酮和纯水超声波洗涤...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本研究将三维安装过程 为了实现高品质、低成本, 我们的目的是建立高通量,无损伤的湿加工工艺技术及其制造设备技术的基础。 关于通过湿法蚀刻使硅晶圆变薄的问题, 为了提高作为课题的蚀刻速度和蚀刻均匀性,明确要控制的参数。 将对其进行高精度控制的要素技术导入到旋转方式的片叶湿法蚀刻装置中, 利用大口径的硅晶圆,明确了其效果。另外, 进行加工后的晶圆评价, 在加工后的晶圆上, 不存在损伤层(破碎层、微裂纹、晶体缺陷等); 强度没有降低; 并且,确认装置的电气特性没有变动, 另外,对加工后的晶圆进行了评价,确认了加工后的晶圆中不存在损伤层,为了防止Cu的污染,可以维持衬垫氧化膜,以及器件的电特性没有变动,确立了适用于三维叠层半导体工艺的通过湿法蚀刻形成硅贯通电极的技术的基础。另外,通过实现本目的, 晶圆减薄和插拔可以在同一装置中实施。 实验      由于传统技术的背面研磨的硅晶圆的减薄会产生损伤,虽然进行了损伤去除,但是存在无法去除的深度的损伤,因此发现了确立不产生减薄加工损伤的无损伤的减薄工艺的必要性,提出了通过湿法蚀刻的硅晶圆的减薄。另外,作为不使用干法蚀刻的硅贯通电极形成工艺,提出了通过湿法蚀刻的硅贯通电极形成。      关于硅晶圆...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了激光通量对光纤的氢氧化钾+过氧化氢蚀刻剂中单晶硅无碎片凹槽的影响。在固定扫描条件下,凹槽的深度随着通量的增加而增大,但当通量为2.9J/cm2及以上时,由于激光诱导冲击波引起的光纤振动,直槽加工困难。试图通过多次和慢扫描增强累积激光通量,使沟槽更深,将单脉冲通量限制在1.4或2.2J/cm2,以避免光纤振动。通过比较相同单脉冲通量下形成的沟槽深度,发现其深度随累积通量呈线性增加的趋势。另一方面,累积通量和单脉冲通量不同的凹槽深度相似,表明其深度与单脉冲通量呈非线性关系。      我们探讨了通过将加工物设置在电动XY工作台上来展开槽加工的方法。 虽然可以进行无碎屑槽加工,但是槽深度不够,在能够实现深槽的例子中,槽底有严重的裂纹等,无法找出能够得到良好槽的加工条件6)。因此,在本研究中,以不产生裂纹等而得到深槽为目的,通过改变激光输出,调查了注量对加工速度等的影响。另外,由于在前面的报告中,槽是通过单脉冲加工的单纯重叠而形成的,因此通过改变工件的扫描速度和扫描次数来增减累积的激光注量,调查了槽的深度相对于累积注量是否呈线形增减。 实验      由于激光可以得到高峰输出,可以使用光纤,因此使用了Nd:YAG激光。波长为106...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在本报告中,氢氧化钾和nH4HF2作为蚀刻剂进行了测试,讨论了通过光纤传输的激光束增强硅化学钻孔的可能性。      结果表明,成分优化将使该蚀刻剂适用于光纤钻井。nh4hf2激光增强蚀刻,蚀刻速率与氢氧化钾和过氧化氢速率匹配。然而,保护硅光纤免受nh4hf2影响的想法对于实现光纤钻孔的必要条件,因为高激光功率必须损害塑料光纤需要足够的蚀刻速率。      MEMS器件的制造包括干蚀刻装置和CVD装置; 为了解决以下问题:为了制作掩模而组合了多种电子束描绘装置等,这些设备规模大,初期投资大。 MEMS器件的小批量生产容易导致成本过多1)。为了应对MEMS器件的试制和少量生产, 并提出了通过激光直描在硅表面形成掩模,然后进行湿法蚀刻的图案形成技术2)。 由于此时形成的掩膜层极薄,无法承受长时间的蚀刻, 形成深穴和深沟是很困难的。      因此,在本报告中,考虑到通过光纤传送的激光对硅的辅助蚀刻,比较各条件下硅的激光辅助蚀刻特性,研究适用于深孔钻孔的蚀刻液。 实验      尝试在0.1 wt%KOH水溶液中对P型硅晶圆(100)进行了激光照射(但是,此时使用的是氩离子激光,...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了实现微粒子的x射线荧光分析(XRF),需要单色色的x射线化和聚焦。作为一种器件,有一种具有双曲率和单色聚焦x射线。但是,它要求晶体的表面没有缺陷。作为制备双弯曲晶体材料的硅单晶的方法,我们提出了采用化学反应的数控局部湿蚀刻(NC-LWE)。本文报道了NC-LWE机对五轴硅单晶的加工性能。通过利用以SPring―8为代表的大型放射光设施的X射线, 虽然得到了较高的空间分辨率, 必须将测量试料带入设施, 不能发挥迅速、简便的优点,为了发挥这一优点, 希望在研究室水平开发具有亚微米级空间分解能的微小部分荧光X射线分析装置。因此,本文提出了数控局部湿蚀刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作为其加工法2)。本加工法的特征是,通过双重结构的加工喷嘴头供给蚀刻剂。加工成厚度为30µm的圆筒状,之后,对于曲率半径R,2Rsin2円的台座,研究了双重弯曲,使之粘结的2阶段的程序。 实验NC-LWE中硅的加工特性:为了通过LWE进行NC加工, 通过对目标去除形状和单位加工痕迹形状进行反卷积模拟, 有必要求出加工喷嘴头的停留时间分布,因此,首先, 采用吸口径φ5mm的加工喷嘴头获取单位加工痕迹, 测定了其形状。测定中, 使用了扫描型白色显微干涉仪(ZYGO公司制造New Vi...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文报道了1wt%氢氧化钾溶液中Si{100}湿蚀刻的蚀刻特性。蚀刻速率随着温度在90度以下的升高而逐渐增加 C. 接近沸温度(100℃)时蚀刻速率低于90℃ C. 在1wt%KOH溶液中的最大蚀刻速率约为1µm/min。研究发现,这个比率是切实可行的。然而,微金字塔出现在蚀刻的表面。作为硅各向异性湿法蚀刻的代表性蚀刻液, 使用氢氧化钾(KOH:毒物)或氢氧化四甲基铵(TMAH:毒物)水溶液。      这次,评价了使用1wt%KOH水溶液时的蚀刻速度及蚀刻表面外观,把握了加工特性的特征,因此进行报告。 实验      实验方法蚀刻装置是将蚀刻槽、加热器、温度计以及搅拌器的表面作为聚四氟乙烯材料,直接浸入液体中的构造。      通过该装置,可以将蚀刻液的温度控制调整到±0.2℃以内。作为试料,使用了将P型Si{100}晶圆切成1边1cm的四角形的小片。在芯片上,蚀刻部分形成了1边约1mm的四角形图案等。蚀刻前浸入1%HF水溶液中,除去表面的自然氧化膜。之后,进行了所希望的时间的蚀刻。蚀刻完成后,水洗,干燥,用激光显微镜评价蚀刻深度,用光学显微镜评价蚀刻表面外观。蚀刻液使用1wt%K...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法,该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以形成含氟蚀刻溶液;(b)从硅源向等离子体提供硅;以及(c)将氮化硅暴露于蚀刻物质,以相对于衬底上的其他含硅材料选择性地蚀刻氮化硅。硅源可以提供给衬底上游的等离子体。在一些实施例中,硅源被提供给远程等离子体发生器中的等离子体。替代地或附加地,硅源可以被提供给衬底和容纳衬底的腔室的前端之间的等离子体。硅源可以在容纳衬底的室的喷头处或附近提供给等离子体。      硅源可以包括两个或多个硅源。在各种实施例中,硅源是固体。硅源的例子包括含硅化合物,例如石英、硅、硅锗、碳化硅和氧化硅。在一些实施例中,硅源是包括硅的适配器环。在一些实施例中,硅源是包括硅的气体扩散器。衬底可以容纳在包括喷头的腔室中,喷头可以包括硅。在一些实施例中,硅源附着到等离子体发生器的壁上。      在各种实施例中,硅源是硅源,并且可以是含硅化合物。例如,进入容纳衬底的腔室的气体总流量的至少约0.5%(体积)可以是硅源。流体硅源的例子包括硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯硅烷、正硅酸乙酯和四甲基硅烷。实验      进行了...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性,以保护下面的膜不被降解。如今,大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上,与通常的各向同性湿法蚀刻条件相比,由于非常高的各向异性,反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此,当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时,使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示,以及评估这种保护的相关新方法。 实验      这里测试的所有聚合物都是248纳米深紫外线商用光敏抗蚀剂。选定的湿蚀刻剂取决于要蚀刻掉的材料。SC1(标准清洁1)在室温下以1 / 4 / 27的比例(NH4OH / H2O2 / H2O)用于蚀刻TiN膜。测试的氮化钛薄膜厚度为7纳米,由PVD公司沉积。氢氟酸或BOE(缓冲氧化物蚀刻剂)用于二氧化硅。BOE比是1 / 7 / 160 (HF / NH4F / H2O),在样品中仅使用了热氧化物。湿法蚀刻系统由300毫米旋转干燥单晶片工具或浸没式批量工具组成。非接触C (V)(电容(电压))测量在来自Semilab的FAaST工具上进行。 结果和讨...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体器件的制造是在半导体衬底或其它衬底上形成特征的多步骤过程。步骤可以包括材料生长、图案化、掺杂、沉积、蚀刻、金属化、平坦化等。形成在衬底上的特征可以包括各种晶体管。晶体管可以是平面的或非平面的,也可以有单栅极或多栅极。非平面晶体管(有时称为3D晶体管)包括鳍式场效应晶体管等。这种非平面晶体管通常包括垂直取向的或者用作源极和漏极之间的沟道的凸起鳍片。栅极也是垂直定向或凸起的,并且位于鳍片上方(鳍片顶部和鳍片侧壁周围)。这种非平面晶体管可以具有多个鳍和/或多个栅极。平面晶体管也具有相关的高度,尽管非平面特征的相对高度通常大于平面晶体管的相对高度。半导体器件的制造通常包括放置隔离物和/或虚拟材料,以帮助构造给定的特征设计,包括非平面晶体管上的特征。为了改善栅极功能,通常在非平面晶体管上指定侧壁隔离物。随着晶体管栅极的尺寸继续缩小,栅极和触点之间以及栅极和源极/漏极面之间的边缘电容已经增加。为了抵消边缘电容的增加,低k介电材料被用作隔离材料。间隔物的成功受到间隔物蚀刻工艺的影响,该工艺可以影响间隔物的介电常数以及间隔物覆盖图1是各种衬底上保护层生长的横截面示意图 图2是示出根据本文公开的实施例的蚀刻技术的曲线图 图3是这里描述的示例方法的流程图 包括增加材料间蚀刻选择性的方法。这里的技术包括氮化硅(SiN)隔离物和硅(例...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文一般涉及处理光掩模的领域,具体涉及用于从光掩模上剥离光致抗蚀剂和/或清洗集成电路制造中使用的光掩模的设备和方法。光掩模是涂有金属层的透明陶瓷衬底,该金属层形成电子电路的图案。在集成电路的制造过程中,薄膜通常用于密封光掩模使其免受颗粒污染,从而隔离和保护光掩模表面免受来自光掩模图案焦平面的灰尘或其他颗粒的影响。为了以高成品率生产功能性集成电路,光掩模和薄膜需要无污染。光掩模的污染可能发生在光掩模本身的制造过程中,也可能发生在光掩模的使用过程中集成电路制造过程中的光掩模,特别是光掩模加工和/或处理过程中的光掩模40。一种类型的污染是光掩模表面的有机/分子污染。光掩模表面上的有机/分子污染物,例如化学污渍或残留物,降低并降低了透射率特性45和/或光掩模的特性,最终影响被制造的半导体器件的质量。光刻过程中影响集成电路质量的另一种污染是微粒污染。颗粒污染物可以包括任何小颗粒,例如灰尘颗粒,它们可以在光掩模上或者夹在光掩模和薄膜之间。光刻过程中投射的是从光掩模表面剥离光刻胶。类似于集成电路器件的制造,在光掩模的制造过程中,光致抗蚀剂被施加到光掩模的表面,并且光和/或紫外线辐射以期望的电路图案被施加到光掩模表面。在光掩模制造过程中和作为集成电路维护的一部分,光掩模的制作和清洁10个晶圆厂。常规方法使用硫酸和过氧化氢的高温混合物(“SPM”)来在第二步中剥离...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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