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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-华林科纳(江苏)CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注华林科纳(江苏)半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-华林科纳(江苏)CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称华林科纳(江苏)CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化,以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步,新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80 nm间距以下的特征。特别是,为了确保自对准通孔(SAV)集成,需要更厚的TiN-HM,以解决由光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)未对准引起的通孔-金属产量不足和TDDB问题。由于结构的高纵横比,如果不去除厚的TiN,则Cu填充工艺明显更加困难。此外,使用TiN硬掩模时,在线蚀刻和金属沉积之间可能会形成时间相关的晶体生长(TiCOF)残留物,这也会阻碍铜填充。在线蚀刻之后的蚀刻后处理是该问题的一个解决方案,但是N2等离子体不足以有效地完全抑制残留物,并且中提出的CH4处理可能难以对14 nm节点实施,因此有效的湿法剥离和清洁提供了更好的解决方案。开发了利用无铜暴露的SiCN保留方案去除厚TiN-HM的方法,并显示出良好的电气和可靠性性能,但仍有降低工业挑战成本的空间。在本文中,我们通过使用一体化湿法方案图1作为解决这些问题的替代方法,展示了厚锡-HM去除工艺,重点关注实现大规模生产的以下标准(如表1所示)。 结果和讨论首先,为了达到目标值( 200/min),研究了每种产品的锡蚀刻速率的温度依赖性。图2显示了锡蚀刻速率和从每个斜率计算的活化能(E...
发布时间: 2022 - 04 - 12
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发布时间: 2022 - 04 - 11
浏览次数:73
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文介绍了用于微型量子频标的MEMS碱蒸气室技术开发的实验结果。包含光学室、浅过滤通道和用于固态碱源的技术容器的两室硅电池的经典设计在湿法各向异性硅蚀刻的单步工艺中实现。为了防止在蚀刻穿透硅腔的过程中破坏过滤通道,计算氮化硅掩模的凸角处的补偿结构的形状,并且通过实验找到硅蚀刻剂的成分。实验结果用于制造含氖大气中87Rb或133Cs同位素蒸汽的芯片级原子钟单元。 介绍在过去的几十年中,深碱性硅蚀刻已经广泛用于微机电系统(MEMS)工业。有机和无机碱性溶液中硅微加工的各向异性本质是由于单晶硅不同刻面的溶解速率的显著差异。与硅的深度垂直等离子体蚀刻相比,碱性蚀刻不需要昂贵的设备,并且允许同时处理大量晶片。因此,优选的是批量生产各种MEMS,这些MEMS包含具有不高纵横比的简单矩形拓扑的体结构。这些是压力传感器、热传感器、加速度计、微流体芯片等。同类型的MEMS包括用于芯片级原子钟(CSAC)的气室。包含碱金属蒸汽的MEMS原子单元是微型光泵量子器件[5]的关键元件,如卫星导航中使用的磁力计或频率标准。基于相干布居俘获(CPT) 效应运行的CSAC体积小、能耗低,这是其在这一领域不可否认的优势。原子蒸汽室通常由夹在两个透明硼硅酸盐玻璃晶片之间的硅晶片制成。MEMS电池技术的主要过程是硅的穿透晶片蚀刻、填充碱金属源以及在适当的缓冲气氛中真空密...
发布时间: 2022 - 04 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中,含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙,导致受影响的阵列电路中的高电阻和功能故障。去离子水中的溶解氧浓度必须最小化,以防止铜的蚀刻。 介绍与铝互连相比,铜互连具有更高的电阻率和可靠性,因此在微电子行业获得了广泛认可。然而,存在许多与铜金属化相关的产量问题,尤其是在湿法化学清洗期间的稳定性方面。在与化学机械抛光(CMP) 或通孔蚀刻相关的湿法清洗后(即在蚀刻停止移除之前)[5],经常会观察到铜的腐蚀或蚀刻。已经报道了三种不同类型的铜互连腐蚀;光腐蚀、电偶腐蚀和化学腐蚀。要发生腐蚀,至少需要两个反应;阳极反应和阴极反应。在阳极,金属表面被氧化,形成金属离子和电子。在阴极,电子被几种可能的电子消耗。此外,阳极和阴极之间必须有电连接,并且必须有电解质与阳极和阴极都接触。铜互连的腐蚀通常取决于图案。当Cu电连接到衬底中的p型Si区时,在光的存在下观察到光腐蚀。连接到p型硅(阳极)的铜比连接到n型区域(阴极)的铜处于更正的电位,使其更容易受到腐蚀。光允许电流流过硅并完成具有电解质的电化学电池,提供腐蚀发生所需的电荷载体,在等式和中)。铜的蚀刻通常与去H2O冲洗有关。起初,这似乎是一个令人惊讶的结果,因为迪H2O通常被认为是一种无...
发布时间: 2022 - 04 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在化学机械平坦化(CMP)抛光工艺之后去除晶片上的残留物是非常重要的,因为这些残留物会对晶片造成各种缺陷。自20世纪80年代以来,在抛光处理之后,氢氧化铵溶液或其混合物已经被用于去除颗粒和污染物。通过混合水、过氧化氢和氢氧化铵制备的被称为标准清洁(SC)溶液的RCA化学品被称为SC1,而水、过氧化氢和盐酸的混合物被称为SC2。使用兆频超声波和SC溶液对CMP工艺进行的研究得出结论,SC化学品的浓度越低,[的清洗效率越高至今仍被广泛用作清洁剂用于去除硅基表面有机和金属污染物的试剂,因为它们具有挥发性且与硅化合物的反应性低。除了SC溶液之外,通过使用稀释的氢氧化铵产生电排斥的方法去除颗粒在半导体工业中普遍采用本文介绍了对非氨基替代解决方案进行的研究。鉴于新的受控参数,本研究将氨态氮纳入符合表1工业废水限值的参数中。对于位于集水区下游的标准B设施,工业废水的允许限值设定为百万分之20(ppm)。 图 1 图2 化学机械抛光氧化物机理CMP氧化物机理如图2所示。抛光垫挤压这些磨粒以抛光晶片表面,抛光过程将均匀地发生在晶片的整个表面上。由于抛光液富含钾离子和颗粒,抛光后有效去除这些残留物至关重要。抛光站和OnTrack清洁器集成在一起,确保从抛光的晶片上有效去除污染物。SFI工具采用了三个步骤的CMP工艺流程,从抛光开始,接着...
发布时间: 2022 - 04 - 09
浏览次数:87
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言已经研究了从缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)到裸硅、二氧化硅和图案化硅水的铜沉积。在二氧化硅表面上不会发生沉积,而在图案化的二氧化硅区域1上观察到的沉积水平介于裸硅和二氧化硅上的沉积水平之间。每次浸入BOE溶液后,晶片清洗的持续时间、硅材料以及衬底掺杂不会影响沉积量。从BOE溶液中沉积铜的过程均匀地发生在晶片表面上。 讨论在氢氟酸(HF)和BOE溶液中,铜原子与氟原子形成络合物。因此,铜可能以Cu”、CuF*或CuF物种的形式存在。这三种物质的分布取决于溶液中氟离子的浓度(图10)。对于在整个实验中使用的30∶1 BOE溶液,氟离子浓度为11.54M,结果铜主要以CuFJ形式存在。铜在硅表面上的沉积机理如下 si+2cu F3-r Cu+SiF { fiG,=-624 kJ铜沉积到硅表面上的过程作为电化学还原发生,其中铜离子在硅表面的选定位置被阴极还原,而硅在相应的阳极位置进行溶解。作为半导体的硅衬底能够在阳极和阴极反应之间传导电子,并维持电化学电池。基本上,电化学反应与控制整个过程的混合电位有关。人们认识到,在反应过程中,混合电位可能会移动。这一现象当然得到了实验结果的支持。从第三组晶片的结果来看,铜的沉积随时间保持线性。与吸附等温线不同,这种行为持续到超过6×101 Cu原子·cm-3的沉积水平,接近单层...
发布时间: 2022 - 04 - 09
浏览次数:73
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言已经研究了RCA清洗顺序的几种变化对薄栅氧化物(200-250A)的氧化物电荷和界面陷阱密度的影响。表面电荷分析(SCA) xvil1用于评估氧化物生长后立即产生的电荷和陷阱。然后制造具有铝栅极的电容器,以通过在HP4145参数分析仪上的破坏性电场击穿测试来确定器件的介电强度,使用同时高频/低频系统从C-V测试中获得总氧化物电荷和界面陷阱密度。 介绍水清洗工艺是去除污染物最常用的技术。这种去除对半导体工业至关重要,因为人们普遍认为集成电路制造中超过50%的产量损失是由微污染造成的。此外,留在表面上的金属会扩散到硅中,导致产量损失和/或可靠性问题。无论污染物是特定的还是一般的,也无论污染物的来源是已知的还是已知的,成功去除污染物是清洁的本质。二氧化硅和氧化物-硅界面的电子性质对器件的工作和长期可靠性有深远的影响。在大多数情况下,这些效应在器件设计和加工过程中已经考虑在内。在已经使用的许多清洁溶液中。最普遍的是RCA溶液,它是过氧化氢。氧化物的完整性和可靠性对于金属氧化物半导体(MOS)超大规模集成(ULS)技术是非常重要的。MOS电容-电压(C)测量是监测自然生长氧化物中污染的最常用技术。C-V曲线的特征被用于提取氧化物的几种性质,包括总氧化物电荷(Qox)、dlld界面陷阱密度(D,I)。不幸的是,C-V测量技术需要额外的氧化后处理...
发布时间: 2022 - 04 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体器件制造中涉及的一个步骤是在进一步的处理步骤,例如,在形成栅极氧化物之前。进行这种清洗是为了去除颗粒污染物、有机物和/或金属以及任何天然氧化物,这两者都会干扰后续处理。特别是清洁不充分是对栅极氧化物的性质有害,这反过来影响整个器件的性质。种程序用于清洁硅晶片。一个广泛使用的程序是标准的RCA清洁。RCA清洗包括暴露在三种不同的溶液中——SC1、氢氟酸和SC2。SC1溶液包含氢氧化铵、过氧化氢和水,通常能有效去除颗粒和金属从硅晶片表面去除。SC2溶液含有盐酸、过氧化氢和水,通常能有效去除不溶于氨水的碱金属离子和金属氢氧化物氢氧化铀。HF从表面剥离任何自然氧化物。存在多种RCA清洁剂,但有35种由于使用了SC1和/或SC2解决方案,仍被称为RCA院长。典型的RCA清洗包括连续的步骤:HF 去离子水冲洗® SC1 ®去离子水冲洗® SC2 去离子水冲洗。也可以执行40中的步骤不同的顺序,例如颠倒HF和SC 1步骤的顺序,或者省略一个步骤,例如省略SC2步骤。然而,RCA清洗的一个问题是,SC1溶液有导致粗糙化的趋势硅表面,由于OH-在45SC1解决方案。并且这种粗糙化有可能干扰器件性能,特别是50随着器件尺寸和间距变得更小。因此,不使硅表面变粗糙的栅极前清洗是理想的。可通过以下方式获得有利的平滑度。在进行HF清洗的情...
发布时间: 2022 - 04 - 08
浏览次数:123
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了抗蚀剂工艺的基础知识,包括实用技术,接近模式是一种具有成本效益的过程,具有实现任意2-3微米宽度模式的潜力,在解释了标准过程和机制之后,描述了MEMS区域中的一些问题。光刻的基础是基板面统一的并列处理,与利用工具的机械加工相比,能够越精细地增加制作装置数量等,发挥包括生产率在内的威力,在MEMS领域中,在图案化中,可能不是利用步进器,而是利用对准器的近距离曝光,成本效益高,最小稳定图案宽度为2-3微米。图1图1是经验少的学生利用OFPR-800LB光刻胶进行图案化的例子,图1(a)乍一看是坏的(1)整个基板上附有细小的垃圾;(2)光刻胶颜色不均匀,有渐变部分;(3)上部提供间距为10微米的线-和-空间(占空比为1:1),但5µm宽的线可能倾斜或丢失。说明原因:(1)中的细小垃圾当然应该清除,将圆型晶片切割,做成小芯片状使用,可以认为是此时的垃圾,作为基板清洗,学习使用食人鱼溶液(硫酸和过氧化氢水)等强化学药品进行处理。实际上,在图1(a)中进行了该清洁处理,但是,划片中最有可能的垃圾是硅的碎片。食人鱼溶液对有机物有效,不能去除硅。建议用有机溶剂和软纤维,如棉签,机械擦拭,擦拭的方向不要往复,以一定的方向为好;(2)和(3)是同样的理由,从细小的模式流动可以推测,模式转录本身已经完成,但湿显影处理发生了异常,正抗蚀剂基本上与基板...
发布时间: 2022 - 04 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通过基于DLVO理论计算相互作用力、利用AFM测量浆液颗粒与晶片表面之间的粘附力等基础研究,可以提高对清洗机理的认识和清洗过程的发展,本文从基础原理到当前和未来,概述了CMP后的清洗过程,为了控制表面的润湿性,研究了在不同浓度的氢氧化钾基添加剂溶液中的接触角和附着力,接触角和粘附力随溶液a浓度的变化而减小,溶液A作为聚硅表面的表面氧化剂,在去离子水中形成更亲水的表面。在测量了聚硅CMP过程中的摩擦力和衬垫层温度与溶液a浓度的关系,由于溶液A浓度的增加,表面的亲水性导致摩擦力和垫温度低,在疏水聚硅晶片表面观察到垫片颗粒的污染,晶片上的衬垫颗粒污染量随着溶液A浓度的增加而减少,说明有机硅表面的疏水性可能是由有机垫颗粒污染和疏水性引起的,众所周知,在干燥过程中,在疏水表面上比在亲水表面上更容易产生水痕,在垫颗粒周围观察到水痕迹,结果表明,对晶片表面润湿性的控制对有机残留物在聚硅表面的粘附力和去除力起着重要作用。选择性对于减少侵蚀非常重要,当晶片在染色垫上抛光时,由于浆料分布不佳,铜的去除率降低了约30%左右,由于垫上表面的副产物增强了机械磨损,选择性降低了40%以上,选择性越低,对抛光图案晶片的侵蚀程度就越高,染色垫上较高的摩擦力导致铜的温度和蚀刻率升高,这可能是铜线凹陷和倾斜的原因,通过调节溶液的pH值,可以控制溶液中粒子与表面之间的相互作用力。下图...
发布时间: 2022 - 04 - 07
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