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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
新闻中心 新闻资讯
光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度…。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将LED照明列入为重点发展产业,LED行业迅猛发展。LED制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,导致光刻胶粘附到光刻版表面(图1)。对于IC行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2一]。由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。 1光刻版清洗工艺1.1光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同时可以超声提高浸泡...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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表面清洗硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前,采用物理或化学的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。在硅片加工工艺中,有多达20%的步骤为清洗。制造一种设备将硅片表面的沾污全部除去是不可能的。在硅片清洗过程中,将每片上的沾污从百万级降低到十万级相对容易,但要把沾污全部去除或在全部工艺中保证沾污不再增加却是非常困难的。所以,不同的工艺技术所要求的硅片最终表面态不同,其所需要的清洗方法也不相同,不可把各种清洗方法同等对待。1硅片清洗设备的清洗工艺清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污。1.1清除有机表面膜、粒子和金属沾污A类硅片清洗设备的工艺流程见表1。 1.2清洗工艺步骤第1步:NH4OH+H2O2+H2O比例为1∶1∶5第2步:HCl+H2O2+H2O比例为1∶1∶5此工艺分为氧化、络合处理两个过程。使用NH4OH+H2O2+H2O,温度控制在75~80℃。H2O2在高pH值时为强氧化剂,破坏有机沾污,其分解为H2O和O2。NH4OH对许多金属有强的络合作用。HCl+H2O2+H2O中的HCl靠溶解和络合作用形成可溶的碱或金属盐。分别在第1步和第2步的前、中加...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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蚀刻是从材料表面去除材料的过程。蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻(例如,等离子体蚀刻)。涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻。在等离子体蚀刻工艺中,也称为干蚀刻,使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料。干蚀刻会产生气态产物,这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出。干蚀刻有三种类型(例如等离子蚀刻):化学反应(通过使用反应性等离子体或气体),物理去除(通常通过动量传递)以及化学反应和物理去除的组合。另一方面,湿蚀刻仅是化学过程。干法刻蚀(等离子刻蚀)和湿法刻蚀的优缺点 湿法刻蚀工艺的优点是设备简单,刻蚀速率高,选择性高。但是,有许多缺点。湿蚀刻通常是各向同性的,这导致蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下方的基板材料。湿蚀刻还需要大量的蚀刻剂化学物质,因为基底材料必须被蚀刻剂化学物质覆盖。此外,必须一致地替换蚀刻剂化学物质,以保持相同的初始蚀刻速率。结果,与湿蚀刻有关的化学和处理成本非常高。干蚀刻的一些优点是其自动化能力和减少的材料消耗。与湿法蚀刻相比,干法蚀刻(例如,等离子蚀刻)的成本更低。纯化学干法蚀刻的一个例子是等离子体蚀刻。纯化学蚀刻技术(特别是等离子蚀刻工艺)的缺点是它们不具有较高的各向异性,因为反应物质可以在任何方向上反应并且可以从掩膜材料下方进入。各向异性是指仅在一个方向上进行蚀刻。当只需要在垂直方向上去除材料时,此属性很有用,因为不会去...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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SiO2膜在微技术中具有两个主要作用:作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下,通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时,SiO2被称为“热”。否则,它可以通过化学气相沉积(CVD)作为附加层而获得,不需要硅衬底。氧化物厚度通常在100 nm和1000 nm之间(即分别为1000Å和10000Å,这是在薄膜技术中仍非常流行的埃单位的使用)。它可以容易地用对硅的影响可以忽略不计的化学物质蚀刻。而且,许多硅蚀刻剂不影响氧化物。这种可能性被广泛用于所有基于硅的微技术中。如果氧化物用作硅加工的高温掩模,则必须预先在低温下使用基于抗蚀剂的微光刻工艺对其进行构图。当必须在硅上进行室温工艺时,可以避免使用氧化物掩膜,因为抗蚀剂可以直接充当硅的掩膜。但是,有些化学物质可以轻松蚀刻抗蚀剂和硅。典型的例子是硅的各向异性蚀刻,通常在KOH(氢氧化钾)中进行。在这种情况下,稀释的KOH也是用于正性抗蚀剂的典型显影液。因此,蚀刻过程应以黄光进行,抗蚀剂对此不敏感。这是不切实际的。但是即使如此,由于对于硅的可接受的蚀刻速率需要浓缩的KOH,因此再次不能使用抗蚀剂,因为未经稀释的KOH会去除抗蚀剂,即使它没有被曝光。SiO2的一种非常“选择性”的化学物质(即根本不腐蚀硅)是氢氟酸(HF)。如果直接使用,则这种蚀刻剂对氧化物具有过快和过强的作用,使得底切和线宽控制非常困难。...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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多晶酸制绒原理多晶硅绒面制备方法多晶硅表面由于存在多种晶向,不如(100)晶向的单晶硅那样能利用各向异性化学腐蚀得到理想的绒面结构,因而对于多晶硅片,目前主要采用各向同性的酸腐方法来制备绒面。主要方法:是利用硝酸和氢氟酸、去离子水来配制酸性腐蚀液。对于多晶硅片进行各向同性腐蚀,在硅片表面形成蜂窝状的绒面结构,从而提高太阳电池的光电转换效率。根据溶液对硅的各向同性腐蚀特性,在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。1.第一步:硅的氧化硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用,硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅,其反应为:3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO2.第二步:二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后,很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6总反应: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O终反应掉的硅以六氟硅酸的形式进入溶液并溶于水。这样,二氧化硅被溶解之后,硅又重新露出来,一步、二步的反应不断重复,硅片就可以被持续的腐蚀下去。单晶绒面图片多晶绒面图片 单晶硅制绒液体的组成和作用制绒溶液主要是由碱性物质(NaOH、KOH、Na2CO3等)及添加剂(硅酸钠、酒精或异丙醇)组成的混合溶液。碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反应,从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。酒精或异丙醇有三个作用:a、协助...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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目前,在国内外半一导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体器件制造者的重视。由于该工艺操作简便、成本低、可节约大量的化学试剂、对器件参数无影响、去胶效果好。在集成电路多层布线工艺中用高温氧气去胶常使一次布线铝层由于四百多度高温氧化发黄,而影响与二次布线铝层的欧姆接触,若用发烟硝酸去胶后擦片又常使铝层擦伤而降低了二次布线的合格率。采用等离子去胶则可大大减少铝层表面的擦伤,不氧化,无底膜,保证二次布线的欧姆接触,提高了多层布线的合格率。为大面积集成电路的发展提供了很好的前景。一、等离子体及产生等离子体的方法作为物质的第四态,高度电离的气体叫做等离子体。等离子体具有导电性。从产生方法不同又可分为高温等离子体及低温等离子体两种。高温等离子体如氢弹的爆炸,火花放电及太阳表面的高温都能使气体电离成为等离子体,这种方法产生的等离子体,温度能达到几千度到几十万度,称为高温等离子体去胶工艺使用的是低温等离子体,其作用原理是低压气体在电场力的作用下发生电离在电离过程中,低压气体中残存的少量自由电子在电场力作用下,向正电极运动,由于低压气体密度小,自由电子的平均自由程较大,在与气体分子的两次碰撞之间能够获得很高的能量,这种高能量的自由电子撞击气体分子,使它离解成电离子和自由电子,这些气体部分分子电离后又有更多的自由电子撞击气体分子,因此离子数...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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我们研究材料的红外光学特性的主要工具是红外光谱。例如,我们试图阐明纳米结构对III型氮化物材料中光学跃迁和电子传输的影响。减少氮化物红外光电器件中内置极化场的影响的重要且几乎未探索的途径是在GaN的非极性方向(例如m平面)上使用异质结构。该图显示了在c面GaN(极性方向)和m面GaN(非极性方向)上具有AlGaN势垒的两个结构相同的GaN QW的能带结构之间的比较。对于m面取向的GaN,极化矢量位于垂直于生长方向的平面上,因此异质结处没有极化不连续性。除了简化平坦频带条件下的器件建模外,非极性GaN上结构的一些直接优势还包括改进的光学偶极矩阵元素,隐式吸收以及对高能级能量的限制。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件最有希望。
发布时间: 2021 - 02 - 25
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随着科技的发展,在当前社会中,大规模集成电路、半导体器件等得到了越来越广泛的应用,对其可靠性、电能性等性能的要求也越来越高。因此,半导体单晶抛光片的表面洁净程度就显得更为重要。因此,在半导体单晶抛光片的清洗过程中,要想得到更为良好的抛光片质量,不能仅仅对抛光片表面的污染物进行清除。在实际清洗过程当中,除了抛光片表面的污垢以外,表面粗糙度、氧化膜厚度、表面化学态等都是应当关注的问题。1半导体单晶抛光片的清洗在当前的世界范围内,对于半导体单晶抛光片的清洗工艺来说,硅单晶抛光片的清洗工艺相对较为成熟,普遍采用的是美国无线电公司的RCA清洗法。而对于砷化镓、锗等半导体单晶抛光片来说,其清洗工艺仍然较为保密,相关的研究也不够成熟。因此,应当结合半导体单晶抛光片的清洗工艺实例进行分析,探寻清洗半导体材料抛光片的关键性技术,从而对硅、砷化镓、锗等半导体材料抛光片的清洗工艺和技术水平提高提供借鉴和参考。在清洗半导体单晶抛光片的过程中,由于半导体材料的性质、数量、氧化物种类等方面的不同,也存在着一定的差异。例如,在硅单晶抛光片的清洗工艺中,先用稀氟氢酸进行清洗,然后再用氢氧化铵和双氧水的混合液进行清洗,最后用盐酸和双氧水的混合溶液进行清洗[1]。在砷化镓抛光片清洗工艺中,先使用氢氧化钾溶液进行清洗,然后进行紫外光照射和臭氧清洗,最后采用酸性活性剂进行清洗。在锗单晶抛光片的清洗工艺中,先用浓硫酸进行清...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程一、硅片生产主要制造流程如下: 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1. 硅棒粘接:用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 2. 切片(Slice):主要利用内圆切割机或线切割机进行切割,以获得达到其加工要求的厚度,X、Y方向角,曲翘度的薄硅片。 3. 面方位测定:利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其X、Y方位角,以保证所加工的硅片的X、Y方位角符合产品加工要求。 4. 倒角前清洗:主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗,以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5. 倒角(BV):利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等,以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。 6. 厚度分类:为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类,防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7. 磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层,同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.&#...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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本文介绍了玻璃微加工的工艺,包括喷砂,湿法蚀刻,反应离子蚀刻(RIE)和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μm的Tempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通过RIE技术获得了直径为1μm的玻璃柱,纵横比为2μm,蚀刻深度为10μm的高深宽比为10的玻璃。通过玻璃回流技术成功地演示了嵌入在Tempax玻璃内部的贯穿硅晶片互连。研究了玻璃回流到大腔体(大于100μm),微沟槽(0.8μm宽沟槽)和微毛细管(直径1μm)的情况。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。关键词:玻璃微加工,湿法蚀刻,喷砂,反应离子蚀刻,玻璃回流工艺去:1.简介由于玻璃的优异材料性能,包括透明度,机械强度,和介电性能,该玻璃已经被广泛用于微纳米机械系统[ 1,2 ],微纳米流体装置[ 3,4 ]...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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