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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为一步光刻,只有少部分品种还分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829;更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中,使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明,振荡流清洗比稳定流清洗更有效,并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。 介绍微污染是大多数大规模生产的超大规模集成电路的产量损失[1]。传统上,晶片清洗工作专注于毯式晶圆。然而,化学和微粒污染自然发生在图案化的晶片也是如此。例如,离子注入、反应离子蚀刻(RIE)、湿法化学清洗所有留下的金属和/或化学物质图案化晶片表面上的污染物。跟随许多BEOL过程、污染物或化学品可以留在战壕里。因此,有一个迫切需要开发有效的清洁技术并用亚微米尺寸沟槽冲洗晶片表面。盖尔和布斯纳娜研究了兆频超声波清洗和用于毯式晶片的清洗工艺提供了一些早期的建模结果。尽管兆频超声波清洗目前被用于图案化晶片清洗的机理用于图案化晶片的兆频超声波清洗工艺不是很好理解。本文基于毯式晶片的实验和数值研究清洗,去除亚微米级的污染物使用兆频超声波清洗的沟槽使用物理建模。利用控制动量和质量守恒方程的有限差分解,模拟了湿清洗几何结构中的流体流动和污染物输运。对流动通过一系列空腔的模拟进行了验证,与帕金斯的数值和实验结果非常吻合。 结果和讨论毯式晶圆清洗最初,模拟了兆频...
发布时间: 2022 - 04 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”,将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程,其降低水和能源使用的优化需要更好地理解过程的基本原理。本文提出了一个数学模型,它使用了基本的物理机制并提供了一个综合的过程模拟器。该模型包括流体流动,静电效应,以及整体和表面的相互作用。该模拟器被应用于研究具有铪基高k微米和纳米结构的图案化晶片的清洗动力学的特定情况。研究了关键清洗工艺参数的影响,例如水流速度、晶片旋转速度、水温、晶片尺寸和晶片中的沟槽位置。在表面处理过程的设计和控制中成功地结合这种冲洗模拟器将消除对更昂贵和更费时的外部分析技术的依赖。半导体和其它纳米尺寸器件制造顺序中的一个关键步骤是在衬底(例如硅或介电层)被图案化和蚀刻后清洁小结构。图案化晶片的清洗和冲洗是继许多其它制造步骤之后最常用的工艺。在整个制造过程中,它也是最大的用水单位,半导体制造厂的用水量超过60%[2]。所有现代工厂现在都使用旋转清洗和冲洗设备,其中超纯水(UPW)被引入到安装在旋转支架上的晶片上。多个过程,如解吸和再吸附、扩散、迁移和对流,都是这个冲洗过程及其潜在瓶颈的因素。这些过程中的任何一个都可能成为漂洗过程的限速步骤或瓶颈。对图案化晶片的旋转清洗的基本原理知之甚少。确保漂洗过程中的最佳资源利用和周期...
发布时间: 2022 - 04 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍对于集成电路(IC)芯片,焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来,铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而,在过去十年中,它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同,铜易受环境退化的影响,并且由于可靠性问题而不能用于金(Au)引线键合。因此,对于Cu互连技术,IC制造商要么用Al覆盖Cu,要么用Al 成最后的互连层。本文介绍了使用化学镀镍-磷/钯(NiP-Pd)来覆盖铜焊盘,而不是用铝来覆盖它。使用无电工艺覆盖铜键合焊盘比其他替代方案便宜得多,因为无电薄膜可以选择性地沉积在键合焊盘上。这消除了许多步骤,包括光图案化、蚀刻和清洗。在铜垫上化学镀镍的工作非常有限。然而,近年来,无电NiP/无电Pd (ENEP)、无电NiP/无电镀金(ENIG)或无电NiP/无电Pd/浸金被广泛研究和使用,用于覆盖引线键合应用的Al焊盘以及倒装芯片应用的凸点下冶金。铜覆盖的无电镀工艺提出了许多独特的挑战。无电镀工艺中的所有子步骤都必须优化,因为每个步骤都可能导致严重的缺陷问题,如腐蚀、表面污染、桥接、台阶沉积、漏镀、结节和毯式电镀(图1)。腐蚀是焊盘可靠性最关键的问题之一,也是本文的重点。图 1在无电处理过程中发生的两种类型的腐蚀机制已经被确定:腐蚀Cu衬底;和化学镀镍的腐蚀。在这两种情况下,腐蚀副...
发布时间: 2022 - 04 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言化合物半导体处理通常使用高密度等离子体蚀刻来建立通孔金属接触,该通孔金属接触通常在诸如金(Au)的惰性金属上停止。蚀刻工艺可以从正面或背面穿过衬底和/或有机电介质,例如聚酰亚胺或双苯并环丁烯(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物,该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物,以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后残留物无效,需要在去除残留物之前对金属进行单独的KI浸出。本文描述了一种使用普通fab制造工具在单一工艺中同时去除蚀刻后残留物的简单快速的技术。 介绍小通孔技术的发展满足了许多器件对热传导和接触的需求。其中包括用于军事和卫星通信的30-75微米功率GaAs MMIC,以及用于低成本MESFET的高功率、高频GaAs pa,用于手机和VSAT应用的HBT和pHEMT。[3]虽然这些过孔中的大多数都是“钻”穿晶圆衬底,但它们也存在于电介质中,如BCB [4]或聚酰亚胺[5],器件性能处于较低频段,因此可以使用非晶材料,而不会产生谐振频率效应。此外,将正面电介质层与背面镀金相结合增加了衬底强度,这有利于减薄为了有效的蚀刻速率和可接受的各向异性控制,可以通过使用包含Ar和BCl3/Cl2的气体混合物的反应离子蚀刻(RIE)或电感耦合等离子体(ICP ),在GaA...
发布时间: 2022 - 04 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料初始屏蔽检查对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓,无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能,对横截面进行SEM检查,以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度。对于大特征和非关键蚀刻,可能只需要测量掩模厚度。检查抗蚀剂掩模是否需要去渣。一般来说,通过去除显影步骤留下的有机残留物,去渣将使蚀刻步骤在每次运行之间更加一致。在某些情况下,不管曝光和显影时间如何,这种残留物都会残留,并且去渣步骤是蚀刻工作所必需的步骤。二氧化硅上的AZ抗蚀剂的例子如下:要测量掩模厚度,您可以使用横截面扫描电镜和补充软件。此外,对于透明薄膜,如光致抗蚀剂和电介质,您可以使用反射计或椭偏仪工具。掩模的初始厚度很重要,因为蚀刻过程的结果称为选择性,定义为材料对掩模的蚀刻速率。如果你选择的工艺的选择性很差,你将不能蚀刻到你的材料很深,或者你可能需要一个更厚的掩模。另一方面,对于某些工艺,例如深硅蚀刻,对于适当选择的掩模,选择性可能非常高,超过100比1。 工具选择蚀刻工具是高度专业化的,每种工具都有自己的一套工艺气体、材料和样品尺寸限制。为您的工艺选择合适的样品并确保您的设备符合材料限制非常重要。在蚀刻过程中使用错误的材料会破坏你自己的工艺,也会污染以后的工具。将腔室恢复到初始状态可以使整个蚀刻室停工一整天来清洁污染物。使用下表作为...
发布时间: 2022 - 04 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积,从而为家庭消费提供足够的能量。我们认为,借助光阱方案,适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在这项工作中,使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶,使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶片的TMAH蚀刻在80℃的温度下进行8小时。使用SF6作为反应气体,对四分之一4英寸c-Si晶片进行RIE 3小时。开发了用于SU-8光致抗蚀剂沉积的基线光刻工艺流程。TMAH蚀刻技术的蚀刻速率在0.3-0.45微米/分钟的范围内,反应离子蚀刻的蚀刻速率在1.2-1.8微米/分钟的范围内。反应离子蚀刻显示出获得更小厚度尺寸的能力,具有比TMAH蚀刻技术更大的优势。 介绍能源被认为是未来五十年人类面临的头号问题。据估计,太阳能在一小时内显示出供给的潜力,其能量足以满足世界一年的能源需求总量[2]。光伏产业面临的一个主要挑战是以与化石燃料相比具有竞争力的成本产生足够量的能量。这个因素取决于对高效光伏设备和降低制造成本的需求[3]。据报道,较高效率的太阳能电池比使用晶体硅材料的市售太阳能电池的效率高...
发布时间: 2022 - 04 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始蚀刻,加入CHCI以控制各向异性。大量的氦有助于光致抗蚀剂的保存。已经进行了支持添加剂作用的参数研究。高速率各向异性等离子体蚀刻工艺对于提高加工VLSI晶片器件的机器的效率非常重要。这篇论文描述了这样一种用于以高速率( 5000埃/分钟)蚀刻铝的工艺,并且没有底切,甚至没有过蚀刻。先前已经报道了使用许多含氯化合物的等离子体在平行板反应器中对铝进行各向异性蚀刻的工艺,包括CCL、bcl和CU/BCS混合物(1-7)。然而,据报道,这些蚀刻工艺都没有同时具有高蚀刻速率( 2500/min)和在过蚀刻过程中没有底切。铝的蚀刻似乎包括两个过程:天然氧化铝层的去除和铝的蚀刻。据报道,使用BCS有助于去除氧化层,但是单独使用BCS蚀刻铝相对较慢。然而,铜和BCS的混合物:发现以高速率(1.2 p/min)蚀刻铝,但各向同性。各向异性蚀刻可以用这种混合物在高蚀刻速率(4000埃/分钟)下实现,然而,在这种情况下,在过蚀刻期间通常会导致底切。通过添加CHC/3等物质,各向异性蚀刻是可能的。这种添加被认为以类似于用CCLi蚀刻的方式保护侧壁,其中观察到铝的各向异性蚀刻与在蚀刻的铝边缘...
发布时间: 2022 - 04 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言开发了一种新的湿法清洗配方方法,其锡蚀刻速率在室温下超过30/min,在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容,适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点应用。该化学品提供了在单晶片工具应用的清洗过程中原位控制锡拉回或者甚至完全去除锡掩模的途径。这些化学品不含NH4OH或TMAH,因此非常方便用户使用。 介绍随着技术节点发展到45纳米和更小,半导体器件尺寸的减小使得实现过孔和沟槽的关键轮廓控制更具挑战性。IC公司正在研究使用金属硬掩模来提高对低k材料的蚀刻选择性,从而获得更好的轮廓控制。为了获得高产量和低电阻的互连,在下一个工艺步骤之前,必须去除侧壁上的聚合物和在蚀刻过程中产生的通孔底部的颗粒/聚合物残留物。如果清洗溶液还能够蚀刻TiN硬掩模以形成拉回/圆角形态,这将是有益的。这将防止低k值的弯曲或硬掩模的底切,使得能够可靠地沉积阻挡金属、铜籽晶层和铜填充。将这一概念更进一步,通过消除对阻挡层CMP的需要,完全去除金属硬掩模可以为下游工艺,特别是CMP提供许多好处。为了实现这两个目标,清洗溶液必须与低k和Cu相容,同时能够去除所有蚀刻副产物和残留物。已经探索了许多去除这些蚀刻残留物的方法。使用氢氧化铵-过氧化氢-水混合物和四甲基氢氧化铵(TMAH) -过氧化氢-水混合物进行锡蚀刻的研究已经进行。还报道了...
发布时间: 2022 - 04 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同浓度的硝酸对硅片总厚度和重量损失、腐蚀速率、形貌和结构的影响。结果表明,总厚度和失重率随着硝酸浓度和腐蚀时间的增加而增加。硝酸浓度越高,蚀刻速度越快,蚀刻时间越长,蚀刻速度越慢。随着腐蚀时间和硝酸浓度的增加,光学显微镜观察到更光滑、更清晰的均匀硅表面图像。XRD分析表明,腐蚀后硅片的强度比纯硅片的强度高,这可能表明腐蚀后硅片表面更光滑。本研究的发现对于生产集成电路制造中关键的可靠的、理想的硅晶片具有重要的参考价值。 介绍薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别(RFID)系统的集成电路。微观世界的新概念机电系统(MEMS)器件要求将晶片减薄到厚度小于150 μm。由于其高减薄率,机械研磨是最常用的晶片减薄技术。市场上可买到的研磨系统通常采用两步法,首先以高速(5米/秒)进行粗磨,然后以较低的速度(1米/秒)进行细磨,以去除大部分粗磨步骤产生的损坏层。然而,在晶片表面附近仍然存在缺陷带。该缺陷区的厚度取决于磨削条件。残余缺陷会在变薄的晶片中产生应力,...
发布时间: 2022 - 04 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化,以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步,新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80 nm间距以下的特征。特别是,为了确保自对准通孔(SAV)集成,需要更厚的TiN-HM,以解决由光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)未对准引起的通孔-金属产量不足和TDDB问题。由于结构的高纵横比,如果不去除厚的TiN,则Cu填充工艺明显更加困难。此外,使用TiN硬掩模时,在线蚀刻和金属沉积之间可能会形成时间相关的晶体生长(TiCOF)残留物,这也会阻碍铜填充。在线蚀刻之后的蚀刻后处理是该问题的一个解决方案,但是N2等离子体不足以有效地完全抑制残留物,并且中提出的CH4处理可能难以对14 nm节点实施,因此有效的湿法剥离和清洁提供了更好的解决方案。开发了利用无铜暴露的SiCN保留方案去除厚TiN-HM的方法,并显示出良好的电气和可靠性性能,但仍有降低工业挑战成本的空间。在本文中,我们通过使用一体化湿法方案图1作为解决这些问题的替代方法,展示了厚锡-HM去除工艺,重点关注实现大规模生产的以下标准(如表1所示)。 结果和讨论首先,为了达到目标值( 200/min),研究了每种产品的锡蚀刻速率的温度依赖性。图2显示了锡蚀刻速率和从每个斜率计算的活化能(E...
发布时间: 2022 - 04 - 12
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