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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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1前言Schwartzman等人[1],1993在SC1、SC2清洗时使用了兆频超声技术,获得前所未有的清洗效果,使得该方法在清洗工艺中被广泛采用,也引发了对超声波增强清洗效果的规律与机理的研究。1995年Busnaina的研究表明,兆频超声波去除粒子的能力与溶液的组成、粒子的大小、超声波的功率及处理时间有关。1997年Olim[2]发现兆频超声去除粒子的效率与粒子直径的立方成正比,并由此推断兆频超声无法去除0.1μm以下的粒子。但是,兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上<0.2μm的粒子,起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。但是,随着频率升高,声传播的效率会降低,所以兆声波清洗技术效果并不是频率越高越好。目前,一般用的频率范围是(700~1000)kHz。2兆声波清洗原理简介声能在液体内传播时,液体会沿声传播的方向运动,形成声学流(Acousticstreaming),声学流是由声波生产的力和液体的声学阻力以及其他的气泡阻力形成的液体的流动的效果[3],兆声波清洗就是利用声能产生的液体流动来去除硅片表面的污染物,其原理见图1。兆声波清洗是由高频(700~1000kHz)的波长短(1.5μm左右)的高能声波推动溶液做加速运动,使溶液以加速的流体形式连续冲击硅片表面,使硅片表面的颗粒等污染物离开硅片进入...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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微机电系统(MEMS)是一种技术,其最一般的形式可以定义为使用微细加工技术制成的小型机械和机电元件(即设备和结构)。MEMS器件的关键物理尺寸可能从尺寸范围的下端的一微米以下到几毫米不等。同样,MEMS装置的类型可以从没有运动元件的相对简单的结构变化到在集成微电子的控制下具有多个运动元件的极其复杂的机电系统。MEMS的一个主要标准是至少有一些元件具有某种机械功能,而无论这些元件是否可以移动。用于定义MEMS的术语在世界各地有所不同。在美国,它们主要被称为MEMS,而在世界其他地区,它们被称为“微系统技术”或“微机械设备”。 尽管MEMS的功能元件是小型化的结构,传感器,致动器和微电子器件,但最值得注意的(也许是最有趣的)元件是微传感器和微致动器。微型传感器和微型执行器适当地归类为“换能器”,其定义为将能量从一种形式转换为另一种形式的设备。在微传感器的情况下,该设备通常会将测得的机械信号转换为电信号。   在过去的几十年中,MEMS研究人员和开发人员已经针对几乎所有可能的传感方式(包括温度,压力,惯性力,化学物质,磁场,辐射等)展示了数量众多的微型传感器。值得注意的是,许多此类微型机械传感器已经展示了的表现超过了他们的宏观水平。即,例如压力传感器的微加工版本通常胜过使用最精确的宏观水平加工技术制成的压力传感器。不仅MEMS装置的性能优异,而且其...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。(1)SPM:H2SO4/H2O2120~150℃SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF)20~25℃DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM(SC-1):NH4OH/H2O2/H2O30~80℃由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。(4)HPM(SC-2):HCl/H2O...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿蚀刻湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆,也称为基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料层,以用作电子和微流体设备的基础;最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程。在蚀刻之前,需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能。在称为光刻的过程中,将光敏光刻胶旋涂到晶圆上。然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂。然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部,并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂。现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中。各向同性蚀刻各向同性蚀刻,即在所有方向上均相等的蚀刻,是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式。当将腐蚀剂(一种腐蚀性化学品)施加到被掩膜的晶圆上时,在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中,蚀刻会以相同的速率发生,从而产生倒圆的边缘。如果允许蚀刻剂反应足够长的时间,如图1所示,蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料。可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂,然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况。墙壁,然后添加更多的蚀刻剂。通过添加缓冲液以改变浓度或通过升高/降低温度...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿化学:湿蚀刻原理湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案,选择性大于100:1。要求 液体化学必须满足以下要求:遮罩层不得受到攻击选择性必须很高蚀刻工艺必须能够通过用水稀释而停止反应产物不得为气态,因为它们可能会遮盖其他区域在整个过程中蚀刻速率恒定反应产物必须可溶以避免颗粒必须确保环境安全和易于处置批量蚀刻在批量蚀刻中,可以同时蚀刻多个晶圆,过滤器和循环泵可防止颗粒到达晶圆。由于化学浓度随每个处理过的晶片而降低,因此必须经常更新。蚀刻速率,换句话说,单位时间的磨损,必须是众所周知的,以确保可重复的过程。精确回火是必不可少的,因为蚀刻速率会随着温度的升高而增加。 杠杆可以沿水平和垂直方向传送晶片。在蚀刻晶片之后,通过在单独的浴中用水冲洗来停止蚀刻过程。随后,在旋转干燥器中除去水分。分批蚀刻的优点是高生产率和蚀刻工具的简单构造。但是,均匀度低。喷涂蚀刻 喷雾蚀刻可与光刻中的喷雾显影媲美。由于同时旋转晶片以稳定地更新蚀刻化学,所以均匀性非常好。由于快速旋转,不会出现气泡,但是每个晶片必须单独处理。作为单晶片工艺的替代方法,可以一次在多个晶片上进行喷涂蚀刻。在旋转蚀刻机中,晶片被放置在喷嘴周围并同心旋转。之后,将晶片在热氮气氛中干燥。 硅的各向异性蚀刻尽管液体中的分子可以在...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿法化学蚀刻安全腐蚀剂的腐蚀性极强。戴上护目镜,面罩,丁腈手套,乙烯基实验室围裙,无纺布鞋。将酸加入稀释剂中。向弱酸中加入强酸。最后添加氧化剂。 Ga 2 O 3蚀刻剂参考:(2 [sec.4.3.2],8、98、99)。Ga 2 O 3的厚度通常约为。1:1-HCL:H 2 O-(10秒)1:20-H 2 SO 4:H 2 O ---(30秒)1 : 40-H 3 PO 4:H 2 O- -(20秒)盐酸:H 3 PO 4参考:(4,9,10,99)。反应速率有限。InP蚀刻速率为1:1〜2.5 µm / min。GaInP蚀刻速率为1:1〜0.60 µm /分钟。H 3 PO 4:H 2 O 2:H 2 O参考文献:(13,98,99)。反应速率有限。GaAs蚀刻速率为3:1:25〜0.30 µm /分钟。InGaAs蚀刻速率为1:1:8〜0.40 µm /分钟。InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1:1:38〜0.10 µm / min。H 2 SO 4:H 2 O 2:H 2 O参考:(1、2、3、14)。扩散率限制在〜33%H 2 SO 4以上。反应速率限制在〜33%H 2 SO 4以下。蚀刻速率与Ga和As含量成正比。InGaAsP蚀刻速率为1:1:10〜0.10 µm /分钟。C 6 H 8 O ...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1PCBA上的污染的种类印制电路板组件(PrintedCircuitBoardAssembly,PCBA)污染物是在各个工序生产过程中附着在PCBA表面肉眼可见的锡珠、残胶、油脂、指印等和不可见的助焊剂残留、粉尘等。这些污染物可以分为极性污染物、非极性污染和粒子污染物。极性污染物包含助焊剂、汗液、焊料残渣和元器件及印制电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)的氧化物等。非极性污染物包含焊剂中的松香及树脂的残留,胶带、粘结剂残留,皮肤油脂和防氧化剂等。粒子污染物包含尘埃、烟雾、棉絮、锡珠、静电粒子和PCBA加工时产生的玻璃纤维等。极性污染物会造成电迁移、枝晶生长、元器件的引脚腐蚀,严重时会引起电路失效。非极性污染物会吸附灰尘、静电粒子,引起导电接触不良,影响接插件的接触可靠性,粒子污染物则会加剧污染的危害。在以上污染物中危害最大的应属极性污染物,也就是通常说的离子污染物。离子污染物的控制对于产品质量可靠性的控制意义重大。从元器件、PCBA污染物残留的控制,到生产中使用的焊膏、焊剂、焊锡丝等选型,再到生产过程中操作人员的工作服、手套等穿戴控制,到最后产品的包装、转运工装的管理都会影响到产品污染物含量的高低,最终影响到产品的运行可靠性和寿命的长短。这些生产中的质量控制,是非常细致、周密、严格和系统的,需要投入大量的人力和物力。2清洗工艺的种类清洗工艺对解决PCBA上的污染...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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生物传感器装置由其生物或受生物启发的受体单元定义,对相应的分析物具有独特的特异性。这些分析物通常具有生物学起源,例如细菌或病毒的DNA或从被感染或受污染的生物体的免疫系统(抗体,抗原)产生的蛋白质。当具有特定特异性的生物受体单元可用时,此类分析物也可以是简单的分子,例如葡萄糖或污染物。生物传感器开发中的许多其他挑战之一是生物识别事件(转导)的有效信号捕获。这种换能器将分析物与生物元素的相互作用转化为电化学,电化学发光,磁,重量或光学信号。为了增加灵敏度并降低甚至单个分子的检测限,纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定增加量的生物受体单元,甚至自身充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定更多数量的生物受体单元,甚至可以自己充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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磷化(Ⅱ)——磷化前的预处理 一般情况下,磷化处理要求工件表面应是洁净的金属表面(二合一、三合一、四合一例外)。工件在磷化前必须进行除油脂、锈蚀物、氧化皮以及表面调整等预处理。特别是涂漆前打底用磷化还要求作表面调整,使金属表面具备一定的“活性”,才能获得均匀、细致、密实的磷化膜,达到提高漆膜附着力和耐腐蚀性的要求。因此,磷化前处理是获得高质量磷化膜的基础。 1 除油脂 除油脂的目的在于清除掉工件表面的油脂、油污。包括机械法、化学法两类。机械法主要是:手工擦刷、喷砂抛丸、火焰灼烧等。化学法主要:溶剂清洗、酸性清洗剂清洗、强碱液清洗,低碱性清洗剂清洗。以下介绍化学法除油脂工艺。 1.1 溶剂清洗 溶剂法除油脂,一般是用非易燃的卤代烃蒸气法或乳化法。最常见的是采用三氯乙烷、三氯乙烯、全氯乙烯蒸汽除油脂。蒸汽脱脂速度快,效率高,脱脂干净彻底,对各类油及脂的去除效果都非常好。在氯代烃中加入一定的乳化液,不管是浸泡还是喷淋效果都很好。由于氯代卤都有一定的毒性,汽化温度也较高,再者由于新型水基低碱性清洗剂的出现,溶剂蒸汽和乳液除油脂方法现在已经很少使用了。 1.2 酸性清洗剂清洗 酸性清洗剂除油脂是一种应用非常广泛的方法。它利用表面活性剂的乳化、润湿、渗透原理,并借助于酸腐蚀金属产生氢气的机械剥离...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1、引言在PV-TRACofEUROPEANCOMMISSION发表的“AVisionforPhotovoltaicTechnologyin2005”的报告中,可知多晶硅太阳能电池在光伏行业中所占的比例最大[1]。在21世纪光伏行业竞争激烈的今天,多晶太阳能电池的技术发展不仅要围绕着“提高效率、降低成本”两个主题,电池的外观也开始引起更多人的关注。由于多晶硅晶粒取向的随机性,制备较好的多晶硅绒面效果一直是国内外技术人员研究的热点。目前,在多晶制绒众多工艺中,酸腐蚀工艺[2.3]是一个比较容易整合到多晶太阳能电池处理工序中的制绒技术[4],基本也是成本最低、应用最为广泛的制绒技术[5]。因此,使用低成本的酸腐蚀制绒技术制备具有高效、美观的电池片已成为当今太阳能电池技术研究的重点。本文采用酸腐蚀制绒技术,通过改变酸腐液的温度和浓度配比,对多晶硅片进行各向同性腐蚀,用紫外反射光谱仪测其反射率,用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察,并进行分析,从而寻找更优的多晶硅绒面效果。2、实验原理和过程本实验样品是由英利(中国)能源有限公司生产的B参杂P型多晶A等硅片,电阻率为0.7-2.0Ω·cm,尺寸为156×156mm,厚度约为190μm。酸腐蚀制绒设备是由RENA厂家提供的RENA链式制绒机。腐蚀槽中的腐蚀液由浓度为65%的HNO3、40%的HF和去离子水(DI水)按...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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