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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829;18051335986更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在总化学物质供给量不变的情况下,具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗,这是环境友好的,并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时,与具有相等间距的晶片排列相比,在窄间距处颗粒去除效率显著降低。为了防止湿法清洗过程降低清洗性能,必须仔细考虑晶片在湿法清洗槽中的放置。有趣的是,湿清洁浴中供给流速的模拟与不同晶片间距的实际颗粒去除率的实验数据相关。我们认识到晶片间距和化学品供应方式是控制湿浴清洁效率的重要因素。 介绍       自湿式清洁工具首次用于基于热碱性和酸性过氧化氢溶液的RCA标准清洁工艺以来,多年来已报告了许多挑战,以改善硅晶片表面金属杂质、1–14颗粒、13–21和有机污染物去除23–26的湿式清洁工艺性能.26已报告使用表面活性剂的单步清洁可降低化学成本。报道称,通过稀释的HF-H2O2可以有效地去除铜.2–6稀释的化学清洗被认为是实现低成本和高性能清洗的最合适的候选方法之一.2–6、13、14、19、22–25在这些清洗过程中,使用了两种类型的湿工具。尽管工业上越来越多地采用能够以高性能重复清洗每个晶片的单晶片旋转型工具,但是...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有工艺参数,特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。 介绍      对SC-1和QDR的加工时间、温度、浓度和兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究。这些研究表明,对颗粒去除效率影响最大的主要因素是兆频超声波功率,其次是温度和浓度,SC-2的影响较小.在湿式台式处理机中进行了一项统计设计实验。本文将提出一种晶片表面制备RCA配方,该配方基于适合SC-1和QDR以及SC-1温度的兆频超声波功率,具有最佳的粒子去除效率。实验      通过在氢氟酸浴中和在带有旋转干燥干燥器的抗蚀工具类型中处理晶片,晶片被有意地预污染。HF会使晶圆表面变成疏水性,排斥水,容易吸引颗粒。典型的污染从100–2000个粒子不等,粒子阈值为0.13和0.16 Pm。由于前处理很大程度上取决于初始计数和晶圆的初始条件(污染前的清洗),晶圆是针对每个DOE条...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底;通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层;形成掩模层以暴露基底的底层区域;并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域,同时以低于第一速率蚀刻掩模层。  介绍      本文涉及半导体处理方法,特别是涉及碳化硅半导体的处理技术。碳化硅)由于其较大的能带隙和高击穿场,是高温度、高功率电子器件的重要材料。碳化硅还具有优越的机械性能和化学惰性,适合制造微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)在恶劣环境中的应用;暴露在高温、强辐射、强烈振动、腐蚀性和研磨介质中的环境。因此,基于sic的MEMS在高温传感器和执行器和微机燃气涡轮机中得到了应用。此外,由于其高声速(定义为杨氏模量与质量密度E/p之比的平方根)和非常稳定的表面,碳化硅被认为是一种制造很有前途的超高频微机械硅的结构材料。 本文实施例是针对使用非金属掩模层用高选择性RIE工艺蚀刻碳化硅的方法。在某些实施例中,分别使用氢蚀刻化学和溴蚀刻化学形成。这允许使用非金属材料在蚀刻过程中掩盖碳化硅衬底。在一方面,蚀刻是在等离子体室中使用溴化氢(“HBr)蚀刻化学方法进行的。氢溴酸蚀刻化学已被用于蚀刻硅,但不是二氧化硅、氮化硅或碳化硅。那些精通该艺术的人的传统智慧将教导远离使用氢溴...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要制造具有弓形、翘曲形、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和现场前最小二乘焦平面范围(SFQR)等优越规格的碳化硅晶片的方法。所得到的碳化硅晶圆具有一个镜面的表面,适合于碳化硅的外延沉积。在加入外延层后,保留了晶片的弓形、弯曲、翘曲、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和现场前端最小二乘焦平面范围(SFQR)的规范。 介绍本文公开涉及半导体晶片的制造,更具体地说,涉及由碳化硅制成的半导体晶片。半导体芯片行业的成功在很大程度上要归功于硅的自然特性。这些特性包括易于生长的天然氧化物(SiO),其天然氧化物的优良的整体发光特性,以及硅晶片和硅晶片内的器件的相对容易制造。另一方面,高温高压半导体电子学可以受益于碳化硅的自然特性。例如,碳化硅用于超快、高压肖特基二极管、MOSFETs和用于高功率开关的高温胸腺管和高功率led。因此,增加碳化硅的可用性有助于这种半导体器件的设计选择。例如,目前100mm碳化硅晶片的生产远远落后于标准的300mm硅晶片。此外,在单晶碳化硅中,晶体管和二极管不能可靠地形成复杂的掺杂谱。复杂的几何掺杂配置口粮必须通过使用基于步进的光刻方法形成的微米亚微米几何掩模来实现。 举例用于制造75mm和100mm直径的4H碳化硅晶片。晶片的电阻率范围为0.015–0.028欧姆厘米。对于步骤100-1...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      公开了一种用于从氧化物基器件中获得改进的氧化物层并由此提高的性能的方法。该方法包括将碳化硅层以低于碳化硅开始显著氧化速率的温度的氧化层暴露在氧化源气体中,同时高到足以使氧化源气体扩散到氧化层中,同时避免碳化硅的任何大量额外氧化,并且足够使氧化层敏感并改善氧化层和碳化硅层之间的界面。介绍      碳化硅(SIC)具有电气和物理特性的结合,使其对高温、高压、高频率和高功率电子器件的半导体材料具有吸引力。这些特性包括3.0电子伏(eV)带隙、4毫米伏每厘米(MV/cm)电场击穿、4.9W/cm-K的热导热率和每秒2.0x10厘米(cm/s)电子漂移速度。此外,由于碳化硅将生长热氧化物,它比其他化合物半导体具有显著的优势。特别是,形成热氧化物的能力提高了形成金属氧化物半导体(MOS)器件的相应能力,包括MOS场效应晶体管(镁)绝缘栅极双极晶体管(IGBT)、MOS可控晶闸晶体管(MCT)和其他相关器件。反过来,mosfet是大规模集成电路中极其重要的器件。因此,充分利用硅化硅在MOS器件中的电子支柱和由此产生的集成电路需要适当的碳化硅氧化技术。 结果和讨论      本文的目的是进一步提高碳化硅氧化物的质量。本文以一种获得改进的...
发布时间: 2021 - 09 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        本文提供一种保护涂层,描述了半导体沉积室中使用的保护涂层的方法。在优选实施例中,CVD室设备免受等离子体蚀刻清洗。在氮化硅的CVD之前,腔室设备首先涂上发射率稳定层,如氮化硅。然后这一层被表面氧化。在序列中的不同底物上重复沉积氮化硅后,将腔室清空晶圆,并进行等离子体清洗过程。等离子清洗优选选择氧氮化硅保护涂层。在等离子体清洗过程之后,再应用发射率稳定层氧化,并且可以重新开始多个沉积循环。 介绍       根据本文的一个方面,用于等离子体蚀刻处理的含氧氮硅涂层的半导体反应器。根据本文的另一方面,提供了一种制备晶片支架的方法。该方法包括将晶片支架导入腔室,在晶片室中为晶片支架的氮化硅涂层,并在处理晶片之前氧化晶片支架上的初级氮化硅涂层。在所示的实施例中,基座是碳化硅涂覆石墨缓冲器,反应器配置用于氮化硅沉积。氮化硅的初级涂层由热CVD形成,并且优选地具有a。初级氮化硅涂层包括流动的从由氧、一氧化氮和一氧化二氮组成的组中选择的氧源。氧化优选形成氧化硅约5A和200A之间的氧化硅。 实验 优选实施例的方法虽然优选实施例是在单衬底、水平流动冷链的背景下提出的反应器,应当理解为的某些方面将应用于其他类型的反应器。所示的单通水平流设...
发布时间: 2021 - 09 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁和 大约200V之间或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外,碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团,然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。 技术领域      本文的第一方面通常涉及在衬底表面上沉积碳化硅层或薄膜的方法。在第一方面的特定实施例中,本文涉及利用有机硅烷前体化合物的原子层沉积工艺。本文的第二方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中,该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体,并通过第二组通道输送前体和其 他气体。在第三方面,形成碳化硅层的方法可以在根据第二方面描述的设备中执行。  实验        一般来说,将含有Si、C、H的种子膜暴露于含N的等离子体中对生成膜是有效的。如果被处理的薄膜中含有很少的H,也可以在等离子体混合物中添加少量的氢,以促进产生更多的N-H键合。可以根据等离...
发布时间: 2021 - 09 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       栅极氧化物的特性很大程度上取决于清洗过程中使用的最后一种化学溶液。标准 RCA、HF-last、SCl-last和仅HF工艺是本实验中使用的栅极氧化物预清洗工艺。清洗后在900°C的氧化炉中进行热氧化,生长岀一种100埃的栅氧化层,并用寿命检测器、VPD原子吸收光谱仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和原子力显微镜对其进行了表征。HF-last和HF-only的结果显示对去除金属杂质非常有效。这两个分裂也显示了长的少数载流子寿命。用原子力显微镜和透射电镜观察了氧化物的表面和界面形貌。用含有SCI溶液的清洁裂口观察粗糙的表面形态。用纯HF清洗工艺观察到光渭的表面和界面。 介绍       随着半导体加工技术向深亚微米器件结构发展,薄栅氧化层生长前的硅表面清洗变得更加关键。当栅极氧化物厚度减小到小于100A3-6时,栅极氧化之前的清洁工艺的重要性更加突出。影响氧化物质量的主要因素是颗粒和金属杂质。 实验  略  结果和讨论elementssB1B2B3B4AI145.914.71313.812.3铁153.7221.4235.3122.3铜3.81.44.11.4表1显示了 HF-last(B2)...
发布时间: 2021 - 09 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      打开你的智能手机机身,你是否看到小的黑色矩形卡在电路板上?那些黑色的矩形是封装好的芯片。外部芯片结构保护内部脆弱的集成电路,并散热,保持芯片彼此隔离,重要的是,提供与电路板和其他元件的连接。制造这些保护结构和连接的制造步骤统称为“封装”。晶圆级封装      在传统的封装中,完成的晶片被切割成单个的芯片,然后这些芯片被结合和封装。晶片级封装(WLP),顾名思义,包括在管芯还在晶片上时封装管芯:保护层可以结合到晶片的顶部和/或底部,然后准备电连接,并将晶片切割成单个芯片。举个烘焙的例子,传统的包装类似于给单个纸杯蛋糕蒙上糖霜,而WLP就像给整个蛋糕蒙上糖霜,然后把它切成小块。因为侧面没有WLP涂层,所以最终封装的芯片尺寸很小(与芯片本身的尺寸大致相同),这是我们的智能手机等足迹敏感型设备的一个重要考虑因素。其他优势包括简化的制造和在切割前测试芯片功能的能力。凸点和倒装芯片      芯片和电路板之间最简单的电连接之一可以用导电材料的小球制成,称为凸点。然后,可以将凸起的芯片上下翻转并对齐,使凸起与电路板上的匹配焊盘相连。与传统的引线键合相比,倒装芯片键合有几个优点,包括封装尺寸小和器件速度更快。凸块可以通过扩展传统的晶片制造方法来实现。芯片制造完成...
发布时间: 2021 - 09 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅光子学最有吸引力的一个方面是它能够提供极小的光学元件,其典型尺寸比光纤器件的尺寸小一个数量级。这种尺寸差异使得光纤到芯片接口的设计具有挑战性,多年来,在该领域激发了大量的技术和研究工作。光纤到硅光子芯片接口可以大致分为两大类:面内和面外耦合器。属于第一类的器件通常提供相对较高的耦合效率、较宽的耦合带宽(波长)和较低的偏振依赖性,但是需要相对复杂的制造和组装过程,这与晶片级测试不直接兼容。相反,面外耦合器件效率更低,带宽更窄,并且通常与偏振相关。然而,它们通常与大批量制造和封装工艺更兼容,并且允许在晶片上接近光学电路的任何部分。在这篇文章中,我们回顾了光子集成电路的光耦合器的当前技术水平,旨在给读者一个全面和广阔的视野,确定每种解决方案的优缺点。由于光纤到芯片耦合器与封装技术有着内在的联系,光学封装的共同设计变得至关重要,我们还回顾了目前用于封装和组装具有硅光子集成电路的光纤的主要解决方案。 介绍      光学技术已经彻底改变了通信领域,允许通过光纤进行现代高带宽跨洋传输。在过去的十年中,硅光子学已经成为实现光收发器和光处理器的平台,旨在为电信和数据通信应用提供低成本和高性能的组件。使用硅(Si)波导作为基本元件,可以实现多种光学组件。 光耦合的不同...
发布时间: 2021 - 09 - 10
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