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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。图1、普通光刻工艺示意图我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。图2、Lift-Off工艺示意图然后看一下Lift-Off工艺(如图2所示):首先将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,然后进行成膜,最后将剩余光刻胶和上面的成膜一起剥离,剩余在基板上的就是需要的成膜图形。Lift-Off工艺在理论上可以省掉刻蚀步骤,降低成本,但在显示中却并没有被使用。这是因为半导体膜厚很低(纳米级),图形也很小(纳米级),可以通过剥离来揭掉,而显示的膜厚很高(亚微米级)、图形很大(微米级),会有残留。免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 13
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1理论分析化合物半导体器件绝大多数都是采用外延层做有源层,单晶做衬底。影响晶片表面质量的抛光及抛光后表面的清洗处理成为影响外延质量的重要因素。高质量的免洗抛光片的表面应当具备以下要素:表面无颗粒、有机物、金属离子沾污;表面氧化层必须能够在高温处理下完全去除;抛光片表面去除氧化层后必须平坦均一。微粒往往被认为是表面污染源的点源,表面颗粒会引起图形缺陷、影响外延质量布线的完整性以及键合强度和表层质量。研究表明,当表面颗粒度小于10@013μm时,不会影响外延质量。金属离子沾污会破坏薄氧化层的完整性,增加漏电流密度,影响器件的稳定性,增加暗电流,造成结构缺陷或雾状缺陷。Cu、Au、Fe等重金属元素形成深能级而降低少数载流子的寿命,并产生晶格缺陷。因此,清除这些金属杂质是十分必要的。在晶片中,金属离子污染物个数必须被控制在1010/cm2甚至更少。表面有机沾污容易使外延片表面出现白斑,蜡和有机试剂是重要的污染源,因此表面去蜡和去除有机试剂必须彻底。尽管抛光片包装在惰性气氛下,但晶片表面自然氧化层早已在包装前形成。当外延生长温度加热到580℃以上时,GaAs晶片表面的自然氧化层便会自动分解去除。但当温度高于450℃时,由于As2O3的挥发,原来的Ga2O3和As2O3按化学计量比组成的混合物将变成纯净的Ga2O3。研究表明,在去除表面氧化层的过程中有挥发性的Ga2O的产生,反应过程为...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备  二、工艺流程简述GaN基倒装LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蚀、PECVD、蒸镀、退火、SiO2沉积、减薄研磨、划裂、测试、分选和表面检验等。生产流程如图2.2-1所示。(1)清洗:清洗工作是在不破坏外延片表面特性的前提下,有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片先经过酸洗(硝酸)、超纯水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片,通常酸洗56批次(即2天)更换一次酸洗液:以下各类无机和有机清洗槽尺寸和更换频率同硝酸清洗槽。冲洗槽用纯水冲洗,将其表面粘附的酸洗液冲洗干净。本项目冲洗槽清洗方式为使用大量高纯水对外延片进行冲洗清洁,冲洗次数为8遍,常温。清洗干净后再次经过酸洗(硫酸和双氧水混合液)、超纯水洗等。清洗干净后甩干并烘干后进入下一道工序。产污环节:无机清洗工序有G:氮氧化物、G2硫酸雾挥发,酸洗槽约两天更换一次,产生S1废硝酸和S2废硫酸。水洗工序产生酸性废水。(2)N区光刻:N区光刻及刻蚀主要是在外延片上制作出N电极图形。光刻是通过光刻胶的感光性能,外延片表面涂胶后,在紫外光的照射下将光刻版上的图形转移至外延片上,最终加工成所需要的产品图形。包括涂胶、软烤、曝光、显影。1)涂胶、软烤:涂敷光刻胶之前,将洗净的外延片表面涂上附着性增强剂,可增加光刻胶与基片间的粘附能力,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述工艺流程说明:(1)检测:利用显微镜对衬底进行检测,看有无杂质。检测合格的衬底进入下一工序。(2)沉积:①将蓝宝石衬底放入由石英管和石墨基座组成的反应器中;②再按照NH3和H2比(5:95)通入NH3和H2混合气体;③将载气H2(N2保护)通入三甲(乙)基谅、三甲基钢、三甲基铝液体罐中将有机金属蒸汽以及少量二环戊基镁夹带进反应器中,在密闭条件下进行金属有机物化学沉积反应。主要沉积反应有:Ga(CH3)3+NH3→GaN+3CH4如果欲生长三元固溶体晶体,如Gaj-xAI,N时,可在反应系统中再通入三甲基铝,反应式为:XAI(CH3)3+(1-x)Ga(CH3)3+NH3=Ga1-XAlxN+3CH4MOCVD的主要作用是在衬底上生长GaN、InGaN、InGaAIN单品膜。④反应废气处理:反应气体中有机气体(三甲(乙)基嫁、三甲基铝、三甲基钢)在高温条件下绝大部分分解:氨气有41%反应或分解(2NH3=N2+3H2),还有59%尚未完全分解,因此尾气G6中含有大量氨气,不能直接排放到大气中,必须先进行回收处理。上述沉积过程按要求形成GaN、InCaN(或InGaAIN)双层叠合膜⑤处延片清洗:将长晶后的外延片用H2SO4+双氧水清洗后经纯水冲洗,清除表面附着的离子和有机物金属。清洗后外延片在烘烤箱中烘干。本工序产生酸性清洗水W4、硫酸雾废...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述 (1)固晶:将LED芯片通过固晶机固定在底坐支架指定位置,此过程主要用到的材料为银胶,主要设备为固晶机,此过程不产生污染物。(2)固晶检验:将固晶成品置放于显微镜下观察,主要观察晶体是否破碎完整、支架是否变形生锈等。此过程会产生不合格的固晶品(固废)。(3)固晶烘烤:将检验合格的固晶品送至固晶烤箱室,对其进行烘烤,此过程主要用到的设备为固晶烤箱,此过程会产生少许的有机废气,在固晶烤箱室设置排气扇,产生的少量废气通过排气扇排出,因产生的废气量较少,固对环境影响较小。(4)焊线:人工将固晶好的支架加入金线,采用焊线机完成产品内外引线的连接工作。本项目使用的是超声波焊,采用金线作为焊接材料。其主要原理为由发生器产生20KHz(或者15KHz)的高压、高频信号,通过换能系统,把信号转换为高频机械振动,加于工件上,通过工件表面及在分子间的摩擦而使传递到接口的温度升高,当温度达到此工件本身的熔点时,使工件接口迅速融化,继而填充于接口间的空隙,当震动停止,工件同时早一定的压力下冷却定型,便达成完美的焊接。因此,焊线过程不会有粉尘产生,亦不会有焊渣产生。(5)焊线检验:在显微镜下检验金线是否断线、芯片是否崩裂、金线是否残留、焊垫是否脱落。此过程主要在显微镜下操作,此过程会产生不合格品(固废)。(6)点胶:点胶机采用硅胶将LED芯片及线路封装于...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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LED封装资料整理一、主要生产设备 二、工艺流程简述工艺流程说明:现有LED封装生产线工艺流程如下:①固晶人工将芯片、胶水、支架采用固晶机进行固晶。本项目所用胶水为硅胶,其理化性质稳定,固晶在常温下进行,不会有挥发性有机物产生。②焊线人工将固晶好的支架加入金线,采用焊线机完成产品内外引线的连接工作。本项目使用的是超声波焊,采用金线作为焊接材料。其主要原理为由发生器产生20KHz(或15KHz)的高压、高频信号,通过换能系统,把信号转换为高频机械振动,加于工件上,通过工件表面及在分子间的磨擦而使传递到接口的温度升高,当温度达到此工件本身的熔点时,使工件接回迅速熔化,继而填充于接日间的空隙,当震动停止,工件同时在一定的压力下冷却定形,便达成完美的焊接。因此,焊线过程不会有粉尘产生。该过程仅产生少量焊渣。3点胶人工将焊完线的支架、胶水、荧光粉采用点胶机固定。硅胶主要起固定作用,其理化性质稳定,点胶在常温下进行,不会有挥发性有机物产生。④分光人工将点完胶的支架采用分光机对产品进行测试分光,将同一类颜色的产品测试出来进行分类。⑤编带人工将分好类的产品采用编带机对产品进行初步包装,将产品至于面带和载带中间。⑥包装入库对产品进行通电检测,合格产品进入最后一道工序包装入库;不合格产品进行返修。LED封装生产工艺流程及污染源分布见下图。 免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系本...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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铁电薄膜锆钛酸铅镧(PLZT)具有较强的电光效应,自发极化以及在可见光和红外范围内的高透过率],是理想的电光器件材料。制作纵向PLZT电光器件需要透明导电薄膜作为它的上下电极。铟锡氧化物(ITO)薄膜具有电阻率低,透光性好,高温稳定性好及制备和图形加工工艺简单[3等诸多优点[3],是一种理想的透明电极材料。LengL1等在IT0/石英玻璃基底上制备出了电学光学性能优良的PLZT铁电薄膜,验证了ITO作为PLZT的透明电极的可行性。制作PLZT铁电薄膜光电子学和集成光学器件常需要ITO电极图形化。常用的ITO薄膜微图形化法包括湿法化学刻蚀和干法刻蚀(如超短激光脉冲刻蚀和CH/H:等离子刻蚀[7等)。干法刻蚀ITO薄膜具有图形转化精度高和各向异性好等优点,但所需设备昂贵,刻蚀速率低,且易导致光刻胶掩膜的炭化而难去除;湿法刻蚀成本低,且刻蚀速率较快。但由于HF、HC1、HNO。、H2SO和H3PO都可能刻蚀PLZT薄膜J,往往刻蚀ITO时对PLZT薄膜也会刻蚀。因此,如何选择刻蚀液配方和刻蚀条件,确保在ITO与PLZT薄膜间具有足够大的刻蚀选择性是研制基于PLZT薄膜的光电子器件和集成光学器件所面临的问题。1实验采用射频磁控溅射法用组分为8/65/35(La/Zr/Ti)的PLZT陶瓷靶在玻璃基片上沉积PLZT薄膜,衬底温度400℃,射频功率密度0.58W/cm。,溅射气氛V(Ar):V...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备  二、工艺流程简述 图1IR-UFPA探测器生产流程及产污环节图 图2IR-UFPA探测器委托封装生产流程及产污环节图项目探测器生产及委托封装工艺流程基本相同,区别仅是探测器生产过程总所需硅片及读出电路外购,探测器委托封装所需硅片及读出电路均由客户提供,本环评统一进行生产及封装工艺流程简述。(1)原材料外购根据项目产品生产需要,外购硅片(或客户提供)、光刻胶、读出电路电子组件、错窗窗口等原辅材料备用。(2)硅片分割外购入项目的硅片为晶圆,采用划片机将晶圆进行划片之后,得到单片硅片,划片过程中产生机械噪声。(3)硅片背金生长硅片背金生长包括硅片北面氧化膜去除、清洗、硅片背面金属生长三个部分探测器芯片背面氧化层去除可采用纯物理的磨抛背减和化学腐蚀。磨抛背减是采用常规的磨抛,需对探测器芯片加压,会对芯片物理结构带来损伤,导致芯片机械性能降低。化学腐蚀是直接采用化学试剂对芯片北面进行腐蚀,不会对芯片结构带来物理损伤。本项目中采用化学腐蚀方式进行芯片北面氧化层去除。化学方式包括干法腐蚀及湿法腐蚀两种,湿法腐蚀是采用稀释的氢氟酸完成氧化层去除,腐蚀过程中若不做好保护措施,可能会对芯片正面带来损伤,干法腐蚀是采用电感精合等离子体设备进行氧化层去除。清洗采用干法清洗,即是采用辉光放电的方式进行清洗,辉光放电是指低压气体中显示辉光的气体放电现...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述 工艺说明:①第一次焊接:焊料使用预成型焊片,不含助焊剂,芯片和DBC在真空状态下行焊接;②X-ray检测空洞:使用X-ray检测焊接空洞;③等离子体清洗:使用Ar等离子体对芯片表面进行清洗,以获得清洁表面,增强后续绑线的可靠性;④铝线键合:对芯片进行铝丝绑线:⑤第二次焊接:焊料使用预成型焊片,不含助焊剂:铜底板和DBC在真空状态下进行焊接;⑥涂密封胶和灌注硅凝胶:通过密封胶、外壳、硅胶等将模块密封起来。IGBT的制造工艺:IGBT的制程正面和标准BCD的LDMOS没差,只是背面比较难搞:1) 背面减薄:一般要求6~8mil,这个厚度很难磨了,容易碎片。2) 背面注入:都磨到6~8mil了,还要打High current P+ implant E14的dose,很容易碎片的,必须有专门的设备dedicate。甚至第四代有两次Hi-current注入,更是挑战极限了。3) 背面清洗:这个一般的SEZ就可以。4) 背面金属化:这个只能用金属蒸发工艺,Ti/Ni/Ag标准工艺。5) 背面Alloy:主要考虑wafer太薄了,容易翘曲碎片。免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 13
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1 CMP后清洗技术及研究现状清洗是利用物理、化学或机械作用的方法使吸附在表面的污染物解吸而离开物体表面的过程。物理方法是利用光、电、热等物理作用使污染物获得能量,通过自身的振动而脱离基体表面;化学方法则是利用清洗剂和污染物进行化学作用,使大分子污染物生成可溶于清洗剂的小分子物质而脱离基体表面或破坏污染物与基体表面之间的键合作用而使之脱离;机械方法是利用摩擦等机械能作用,使表面吸附的颗粒等污染物脱离表面。在超光滑表面的清洗中,不同工件、不同工序对表面清洁度的要求不同,必须针对不同的对象及目的采取不同的清洗方法,以满足工艺对清洁度的要求[4]。目前超光滑表面清洗技术总体上可分为湿法和干法清洗。湿法清洗一直是晶片清洗技术的主流。它是利用溶剂、各种酸碱、表面活性剂和水的混合物通过腐蚀、溶解等化学反应,结合一定的机械作用以去除晶片表面的沾污物。1.1 清洗方法与工艺技术目前常用的CMP后清洗的方法有浸泡、喷淋、擦洗、超声波、兆声波[5]等。其中浸泡、喷淋大多作为中间过程,不是单独的清洗方法。擦洗是一种应用广泛、低廉、高效的接触式清洗方式,是刷子和工件表面持续接触的介于边别到弹流润滑的摩擦学过程,通过刷子与Si片表面的接触力结合液力的拖曳力作用,去除Si片表面抛光过程中渗人的颗粒[6]J.M.Lim等人[7]发现擦洗可有效清除Si片表面上直径大于0.2um粒子污染物,但对清除金属离子、有机物...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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