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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除,用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺,分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法;干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面 薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀,但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是:反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉 淀,影响刻蚀的正常进行;湿法刻蚀一般为各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,这样会导致侧向出现腐蚀。因此,刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙;湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象,影响刻蚀速率,使得刻蚀效 果变差。  提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数,是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因,刻蚀均匀性与选择比有密切的关系,非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~ 40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”: 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能, 这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化,从而使物质发生物理、化学变化。 超声场为清洗提供了巨大的能量,但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类,一类是有机溶剂,主要是根据相似相溶的化学原理,对有机物如:黏结剂(沥青、松香等)、保护性材料(沥青、树脂等)、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中,最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂,这类物质虽然溶解性强,但有的易挥发,毒性大,有的对大气臭氧层有破坏作用,被逐步禁用。现...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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随着半导体技术的发展,半导体器件和集成电路内各元件及连线越来越细微,因此制造过程中,尘粒、金属等的污染,对晶片内电路功能的损坏影响越来越大。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造工艺过程中均需要对硅片表面进行清洗,以有效地使用化学药液清除残留在硅片表面上的各种杂质。硅片是半导体器件和集成电路中使用最广泛的基底材料,对其表面的清洗是整个硅片制造工艺中极为重要的环节之一。半导体领域中的湿法清洗技术是伴随设备的微小化及对产品质量要求的不断提高而提高的,是以RCA清洗技术为基本的框架,经过多年的不断发展形成。华林科纳是一家湿制程设备公司,是国内最早致力于研究湿法设备的企业,多年来与国内众多半导体企业合作,研制开发适合的半导体清洗机设备。一、设备概况华林科纳研发的RCA湿法清洗机,可按照需求定制为不同的尺寸大小。可适用于硅晶片2-12inch。二、适用领域半导体、液晶、MEMS等三、设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备四、设备配置设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。五、主体构造特点1、设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中2、主体:设备为半敞开式,主体使用进口WP...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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5月7日,北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告(第二期)。国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》,并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。官网资料显示,天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为10364.2866万元,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日,天科合达在新三板挂牌上市,2019年8月12日终止新三板挂牌。天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一,目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位,国内排名居前列,晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区,是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。(来源:全球半导体观察 )
发布时间: 2020 - 05 - 08
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硅芯片是当代信息技术的核心,当前正向“深度摩尔”(More Moore)和“超越摩尔”(More than Moore)两个方向发展。物联网(IoT)应用是“超越摩尔”技术路线中相当重要的一环,需要数量巨大的集成电路芯片来分析处理来自外部传感器件的海量信号。目前,大多数传感信号采集器件和信号处理单元均为分离设计,将在整体上产生更大功耗并占据更大的空间。由此,复旦大学材料科学系教授梅永丰课题组提出了将信号检测和分析功能集成于同一个芯片器件中的全新概念。作为演示,研究团队将单晶硅薄膜柔性光电晶体管与智能薄膜材料相结合和组装,构造了对不同环境变量进行检测和分析的柔性硅芯片传感器及其系统。这一思路不仅具有优异的可扩展性,还可与当前集成电路先进制造工艺相兼容。5月2日,相关研究结果以《面向智能数字灰尘的硅纳米薄膜光电晶体管多功能集成传感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)为题发表在《科学进展》(Science Advances)上。研究团队从器件的传感机理入手,利用柔性薄膜组装集成芯片传感器,实现了多种环境参数探测功能的集成。 研究团队开发了将智能材料与光电传感结合的新颖传感机制,并将传感模块与后续信号处...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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众做周知,湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用,许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要,硅片清洗也显得尤为重要。湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用。湿法腐蚀工艺湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂,又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多,包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否获得高纯试剂,以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制,因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性,可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类,一类是有机腐蚀剂,包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等,另一类是无机腐蚀剂,包括碱性腐蚀液,如KOH、NaOH、NH4OH等。就湿法和干法比较而言,湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低,腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度,具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难,且难以...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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晶科能源董事长李仙德“这三个月,我们亲历了太多“第一次”。第一次封城;建国以来第一次推迟全国两会;第一次体会灾难面前人人平等,不管你有钱没钱,有权没权。不仅个人,世界经济也用多个第一次极大地回应了市场,第一次2周内美股四度熔断;第一次股市、债市和黄金市场出现共振;第一次不管美联储怎么放水,全球央行如何推进负利率政策,强心剂不起作用;第一次油价来到25美元一桶;第一次很多产业直接进入息业状态。第一次,我们不知所措……这场全球性的疫情影响了每一个人,打乱了我们的计划、我们的生活节奏,也改变了我们的工作方式。令我惊讶的是,无论是居家办公、远程视讯、高峰错时出勤、我们的员工很快就适应了,自律、体谅且有条不紊地推进工作,让我本想复工第一天给大家点鼓励都觉得是多余了。我要感谢产线上的一线工人和干部们,他们不得不留在岗位现场,遵守公司相关防疫防护规定,抓紧生产,补回产能,完成交付,兑现客户承诺。我也要感谢我们分布在世界各地的销售,口罩急缺情况下,不是先想到自己和家人,而是担忧客户和他们的家人需要,奔走协调,帮助解决口罩需求。100万只在路上的口罩,带着晶科人手心的温暖,正发向地球的各个角落。如果说这次疫情能够让我们坚定一个信念的话,那就是光伏将发挥着更为不可或缺的作用,支撑着下一步世界复苏最关键的新基建投资,特别是绿色、低碳的电力设施新建设,从而拉动需求,提供就业、加速能源转型。我们要从百年难遇...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。在比DUV和EUV更先进的下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X 线光刻虽然可以具备高产率,但X 线光刻的设备相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势以及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,华裔科学家周郁(Stephen Chou)提出了纳米压印技术(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有别于传统的光刻技术,纳米压印将模具上的图形直接转移到衬底上,从而达到量产化的目的。NIL的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。相对于传统的光刻技术,纳米压印具有加工原理简单,分辨率高,生产效率高,成本低等优点。纳米压印光刻胶与传统光刻胶的对比纳米压印技术不受最短曝光波长限制,只与模板的精密度有关。因此,对光刻胶性能的要求相对降低了,但是随着工艺的改变,同样会引出新的问题,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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4月28日,浪潮厦门产业园开园暨正式投产仪式在厦门隆重举行。去年“九八”投洽会期间,浪潮集团与厦门市签署合作协议,建设浪潮厦门产业园项目。项目从签约到场地交付仅用时2个月、从场地交付到投产地也仅用时2个月,连续创造了厦门市重大项目谈判落地的多项纪录,是厦门市与浪潮集团深化战略合作的重要成果。浪潮厦门产业园坐落于火炬湖里园,是一座自动化、智能化、柔性化和透明化的现代制造工厂,将打造集全球领先的制造工艺与智能技术为一体的浪潮服务器和PC终端研发制造基地,现已建成两条全球领先的智能化产线,生产效率提升30%,预计年产60万台PC终端。浪潮集团作为“云+数+AI”新型互联网企业,始终坚持自主研发,以技术立企,在我国信息产业发展的每个时代,都以创新的产品与服务引领产业发展,成为信息产业的开拓者和引领者。IDC最新数据显示,浪潮服务器蝉联全球市场前三、中国市场第一;浪潮AI服务器中国市场占有率超过50%;浪潮云正为25个省、220+地市和百万家企业提供云服务;同时,浪潮在工业互联网、政府数据运营、智慧城市和健康医疗大数据等领域位居中国前列。浪潮厦门产业园项目的落地,显著提升了厦门市计算机与通讯设备产业的规模,填补了厦门市信息技术应用创新整机制造和系统软件研发领域的空白,是厦门市一年来招商引资工作的标志性成果之一。(出自:厦门火炬高新区管委会)
发布时间: 2020 - 04 - 29
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在材料加工科学的不断推动下,半导体器件和集成电路制作工艺取得了长足进步,发生了巨大变化,但是其中的湿法清洗工艺作为最为有效的半导体晶片洗净技术,一直未能被取代。随着晶片表面洁净要求的不断提高,清洗工艺的焦点已逐步由清洗液、兆声波等转移到晶片干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤,最终决定了晶片的表面质量,是清洗工艺的核心所在。  在各种晶片的干燥中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,它不仅要求表面达到脱水效果,还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。为达到这种要求,以设备为依托的各类干燥技术发展迅速。  1.1离心甩干技术  离心甩干是通过外力使晶片短时间内达到高速旋转的状态,晶片表面的水受到离心力作用而从表面消失的干燥技术。这种干燥方式由于简单可靠,在晶片清洗领域得到了广泛应用。根据晶片运动方式的不同,离心甩干又分为立式离心甩干和水平式离心甩干(见图 1 和图 2),虽然二者的脱水原理相似,但是由于运动方式的不同,在工艺上有很大的差异。为保证晶片的洁净,一般在干燥步骤之前,会增加一步药液、去离子水旋转喷淋过程,对表面进行二次洁净。为保证干燥效果,甩干过程中将引入热氮气,对晶片进行吹拂。  影响甩干效果的因素有很多,如转速的设置, 氮气的流量,排气通路的设计、腔体的密闭性和旋转产生的共振等。  离心甩干的优点是技术成熟稳定,干燥后的表面均一性好,不易产生水印;缺点是仅适合半导体前道的裸片...
发布时间: 2019 - 06 - 28
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