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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为一步光刻,只有少部分品种还分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829;18051335986更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了充分实现Ⅲ-氮化物的潜力,由于Ⅲ-氮化物的三维蚀刻技术尚未成熟,因此需要开发更强大的三维自上而下蚀刻技术。结合实验室开发的两步自上而下的制造工艺,我们研究了85%h3po4蚀刻对高长宽比氮化镓、AIGaN和AIN纳米线的影响。 氮化镓纳米线的氢氧化钾蚀刻法·氮化镓在AZ400K中蚀刻,得到有序、高、高宽比、原子上侧壁光滑的纳米线·对氢氧化钾蚀刻过程进行了研究,通过快速蚀刻部位的消失和缓慢蚀刻部位的出现,显示了侧壁蚀刻部位的凹/凸阶梯模型 通过两步自上而下的过程进行蚀刻 ·晶片级掩蔽最初使用自组装的硅球单层·EBL允许使用具有不同横截面的高度控制的纳米结构阵列 AlGaN在热磷酸中的刻蚀 热磷酸中的侧蚀速率与铝含量的关系·纳米线尖端的横向(非极性)蚀刻在所有四种衬板的尺寸上是一致的、可量化的尺寸·氮化镓与14%AIGAN明显相似,65%AIGaN与AIN明显相似·这表明有不同的快速蚀刻平面暴露在较高的铝含量下 延长氮化镓纳米线延长拉伸时间·800nm起始直径NW的临界蚀刻时间为55min·延长蚀刻时间导致破裂和过度蚀刻·HAADF-STEM表明,在过度蚀刻过程中没有暴露的系统平面&#...
发布时间: 2022 - 01 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关于氮化硅和二氧化硅层上的金属去除,先前的研究表明,通过蚀刻几埃的受污染材料可以实现非常有效的清洗,通过为多晶硅蚀刻和晶圆变薄而开发的湿蚀刻化学方法,可以获得最高的硅蚀刻速率(每分钟几微米),这些化学物质通常是HF/HNO3混合物、FNPS(HF/HNO3/H3po4/h2so4)或商业解决方案,如默克纺丝机®系列,然而,由于蚀刻的硅的厚度和均匀性难以控制,这些化学方法不适合重复清洗步骤。此外,二氧化硅和氮化硅的蚀刻速率降低了10到100倍,所以无论基质如何,都不能使用相同的配方,研究发现,直高频清洗对二氧化硅和氮化硅的铜去污非常有效,在工业环境中,通过仅蚀刻7A的氮化硅,铜污染可从1012at/cm²降低到1010at/cm²,虽然这种清洗方案目前用于集成电路制造厂,但它不能解决硅表面的金属去污,特别是过渡金属,因为它不蚀刻硅或具有较低的氧化还原电位值,如果可以通过调整稀释度和化学比来控制Si和二氧化硅上的蚀刻速率,则不会蚀刻氮化硅。在这项研究中,我们研究了一种解决方案,使我们能够通过改变混合物成分和温度来“调整”和控制硅、氮化硅和氧化硅的蚀刻速率,我们选择了一种h2o:h2o2:h2so4:HF(dHF-SPM)混合物,因为它可以独立地控制3种感兴趣材料的蚀刻速率,而不会粗糙硅表面,含dHF-SPM混合物的硅蚀刻...
发布时间: 2022 - 01 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究探讨了生长后冷却和生长前加热过程中AlN表面无意污染的机制,以及这种污染对光学性能的影响。首先,研究了生长后冷却过程中的流动气体对生长后的AlN表面性能的影响,在1450ºC下培养200μm厚的同型外延层,然后在添加氨的H2/N2载流气中(输入分压:1.6×10-3atm)的速率冷却至室温(RT),以防止AlN表面分解,为了进行比较,我们用4个相同的方法制备了另一个样品,但在生长后冷却时没有添加氨。其次,研究了在添加和不含氨的H2/N2载气中加热的HVPE生长的AlN层的表面污染,为此,如上所述,HVPE-AlN层在PVT-AlN衬底上生长,但衬底在没有氨供应的情况下冷却到RT,使AlN表面暴露在H2蚀刻中,然后在有无氨(输入分压氨:1.6×10-3atm)的载气中再次加热至1450ºC,再生长若干μm厚的AlN层,形成HVPE-AlN/HVPE-AlN“界面”。第三,利用由HVPE生长层制备的HVPE-AlN基底,研究了热处理气氛和温度的影响,基底在有和没有氨供应的载气(输入分压氨:1.6×10-3atm)的温度下被加热至1350-1450ºCatm的温度,将底物在每个温度下保持1min,然后以5ºC/min的速率冷却到室温。利用10Hz的脉冲ArF准分子激光器(λ=1...
发布时间: 2022 - 01 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了高质量单晶基板的制备,利用原子力显微镜技术研究了叶片的生长机理,已经确定,在这些颗粒中,大的单晶颗粒以螺钉位错密度低于5×104cm-3生长,而边缘的位错密度较低(未观察到),利用化学机械抛光(CMP)和AFM成像技术,分别制备了高质量的外延生长AlN单晶基底物并进行了表征。此外,还研究了氢氧化钾溶液对AlN的N端面和al端面的差异蚀刻效应,为了识别N端或铝端面,采用了聚合束电子衍射法。我们研究了氢氧化钾溶液对高质量单晶基底上沿c轴晶体学方向的N端和铝端表面的影响。此外,我们还讨论了一种基于tem的方法,以明确地沿c轴识别N端面和al端面。在晶体IS设施中(见图1),使用Slack和McNelly开发的升华-再凝结技术首次生产了直径高达10mm的AlN束,该技术显示晶体生长速率高达0.3mm/小时,对生长小面的AFM成像揭示了关于AlN生长机制的有趣信息。如图2所示的晶体生长正面面的原子排列与六角形菱形晶c面正面的特征结构相对应,0.25nm高的单层台阶由三角形组成的三角形片段组成,每个连续单层上的三角形相对于前一单层旋转60o或180o,方向的一步,一层每个边缘原子只有一个断裂键,下一层的平行步骤是每个边缘原子有2个断裂键;后一层中每个边缘原子又有1个断裂键的步骤相对于前一层中的步骤以60°角运行,这些步骤的直段表...
发布时间: 2022 - 01 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器的英文缩写,是一种电路中广泛应用的电容器,又被称为“独石电容器”。电容器是重要的电子元器件,属于被动元件中的电路类(电阻、电容、电感,合称 LCR)元器件,是复杂电路架构的重要组成部分。电容在电路中的主要作用是储存电荷、交流滤波、旁路、提供调谐及振荡和用于微分、积分电路等。华林科纳CSE总结了与其他种类的电容器相比,MLCC 具有多种优良特性:(1) 容量范围大:相对于单层电容,MLCC 的多层堆叠技术使得其具有更大的电容量。(2) 超小体积:智能手机和平板等产品的不断更新换代带来了产品轻薄化的趋势,对应用的电容器产生了缩小体积的迫切需求,目前产品尺寸正向 0201、01005 发展。(3) 低等效串联电阻:MLCC 的 ESR 一般只有几毫欧到几十毫欧,与其它类型的电容器相差多个数量级。ESR 较小代表运行时元件自身散发热较少、从而将大部分能量用于电子设备的运作而不是以热能的形式耗费,提高运行效率的同时也提高了电容器的使用寿命(4) 额定电压高:陶瓷高温烧结工艺使其结构致密,相比其它材质的电容,耐电压特性更优秀,电压系列也更宽,可满足不同电路的需求。(5) 高频特性好:材料的发展使得 MLCC 在各频段都有合适的陶瓷材料来实现低 ESR 和阻抗,在高频电...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。首先,在乙醇中通过超声波清洗硅基底,使用原子力显微镜,在潮湿空气(相对湿度≃50%)划伤二氧化硅尖端后,通过摩擦化学去除清洁硅基板表面3×3μm2方形区域内的天然氧化物,如图所示1,磨损面积的深度为∼2nm,超过了天然氧化硅的厚度,因此,四方形区域的新鲜地下硅原子被暴露出来,利用真空中的氮化硅尖端进行AFM表面形貌扫描,确定了硅基底表面的方形区域的表面形貌和方形区域的深度d0。 图1第二,经过初始表面形貌扫描后,将处理后的硅衬底在室温下用一定pH的制备的氢氧化钾溶液中浸泡一定时间,硅(Si-100)的蚀刻率是氧化硅的185倍,而低浓度氢氧化钾溶液中氧化硅的蚀刻率极低。因此,在短时间内,氢氧化钾溶液几乎无法蚀刻天然氧化硅,但暴露的新鲜地下硅可以明显地蚀刻,经过一段时间后,取出硅衬底,然后用超纯水冲洗,然后,通过AFM扫描蚀刻后的硅衬底表面,得到四方形面积的深度d1。最后,在氢氧化钾溶液中蚀刻后,可以估计硅面积的蚀刻深度,蚀刻深度Δd为d0与d...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了用氟化铵(NH4F)、氢氟酸(HF)和水之间的BHF蚀刻掺杂CVD薄膜的蚀刻速率和反应机理,在我们的研究中,BHF中NH4F的~浓度低于传统成分比的BHF,即NH4F的浓度设置在较高水平,在本实验中,通过将NI-I4F浓度设置在15~20%,约为常规浓度的一半,有几个好处,但并不影响热氧化物的蚀刻速率。在5in上沉积了各种掺杂的CVD薄膜,在300~500~o2、Sill4、乙硼烷、磷化氢和砷化氢的温度下,将硅晶片逐一地引入环境中,薄膜厚度范围为2000~10000A,通过将薄膜溶解在高纯度的HF中,测定了掺杂的CVD薄膜中B、P和As的浓度,BHF中HF和NH4F的浓度有所变化,在每次蚀刻过程中,蚀刻剂的温度均保持在25_+0.1~,蚀刻速率定义为薄膜厚度在单位时间内的减小,采用光学型薄膜厚度计(Nanospec210LCW-VT/SP200)测量薄膜厚度。硅酸砷玻璃膜--As浓度为2%:无热处理,因此,随着NH4F浓度的升高,二氧化硅的蚀刻速率急剧增加,然而,一旦NH4F浓度超过等摩尔浓度,HF~的生成就会变得稳定,即使NH4F浓度进一步增加,蚀刻速率也几乎没有上升。当NH4F浓度接近20%时,即使HF~生成稳定,蚀刻速率也开始下降,这可能是因为优势离子HF~的迁移率由于NH~的增加而降低,图1显示了当NH4F浓度变化时,热二氧化硅...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性质的影响。蚀刻率由深度蚀刻随时间的变化来确定。结果表明,随着蚀刻时间的延长,硅的厚度减重增加。在高分辨率光学显微镜下,可以观察到蚀刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明,蚀刻后硅的晶体峰强度变弱,说明在硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟,这一发现可以有价值地用于生产可靠的硅薄晶片,这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要,进而减少环境污染和能源消耗,以实现未来的可持续性。 材料、制备在蚀刻前,硅片经过了溶剂清洗过程。其主要目的是去除其表面的油和有机残留物。首先,用丙酮清洗晶片,其中将烧杯中的丙酮在温度下加热至55℃。然而,丙酮留下了自己的残基,因此乙醇被用来清洗丙酮残基。然后将晶片放入含有乙醇的水浴中放置10分钟。然后将晶片从浴液中取出,用蒸馏水冲洗。这些晶片在蚀刻前在空气中干燥一天。在蚀刻过程中,将硅片以48%浓度的高频蚀刻剂/水溶液中,时间间隔为10分钟至1小时。然后用蒸馏水清洗晶片,用空气干燥,然后进行进一步的表征。采用分析半微平衡(GH-202系列)测量重量减轻,采用数字微米(DTG03L型)测定硅片厚度减少。分别采用光学显微镜...
发布时间: 2022 - 01 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言线路背面(BEOL)铜(Cu)互联线的宽度和间距随着技术节点的每次进步而减小。了解减小的尺寸是如何影响BEOL化学机械抛光(CMP)过程是很重要的。本研究的重点是利用三类浆液配方(即氧化铝磨料、二氧化硅磨料和无磨料),利用尺寸与亚20nm技术相关的测试结构,对CuCMP进行评价。 实验所有的CMP实验都是在直径为300mm的晶圆上进行的,使用了不同线宽的双大马士革测试结构(40nm,32nm和28nm)。除特别说明外,试验结构的衬垫材料是采用物理气相沉积(PVD)工艺沉积的TaN-Ta。为了填充铜沟槽,使用电化学镀层沉积了约4500A的铜覆盖层。Cu CMP采用浆液A、浆液B、浆液c三种不同的泥浆进行。在本研究中,对Cu线宽度/间距为40nm及以下的先进技术节点的泥浆A和B进行了评价。浆液C已用于铜线宽为40nm(或更大)的技术节点,作为记录过程(POR)。在本研究中,采用浆C作为参考工艺,以建立的基线工艺测定新的浆。 结果和讨论衬里的选择性:覆盖层Cu和Ta薄膜的去除率见表1。所有泥浆的铜去除率都高于Ta,而泥浆A和B的铜去除率可以忽略不计。此外,在不同硬度和垫槽的抛光垫上测试了泥浆A,但在较硬垫上的铜去除率较高,但没有明显的Ta去除。这一结果突出了垫片硬度,开槽变化没有改变浆料对Ta的选择性。相比之下,在较低抛光压力下...
发布时间: 2022 - 01 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在衬底温度、压力和紫外暴露等不同工艺条件下,在200◦C下使用紫外增强O2GPC去除聚乙EG的实验,通过在200◦C的衬底温度下,在150秒内去除约200nm厚度的PEG薄膜,证实了使用UV/O2GPC作为低温原位清洗工具进行有机去除的可能性,在衬底温度高于玻璃化转变温度的紫外/o2GPC中,聚乙二醇去除率的显著增加可以用表面波的形成来解释,可以通过考虑气相和有机膜上的紫外能量在衬底之间的分配来理解最佳的压力条件,本文通过观察聚PEG薄膜中的光谱和比例(C-O+C=O)/(C-H),确定了最佳压力为5Torr。样品用丙酮、乙醇和去离子水在声速浴中分别预清洗10min,然后用氮气吹制干燥。将2wt%的固态聚乙二醇溶解在乙腈溶剂中,制备了聚乙二醇(聚乙二醇,平均分子量为20万)溶液,用2000RPM的转速涂覆170nm厚的薄膜30秒,然后在100◦C下烘烤15min,将4英寸、p型、(100)导向(RS=22∼38Ω-cm)的硅片切成2×2cm2的碎片,安装在UVGPC系统的样品架上,GPC实验在一个配有紫外灯的负载锁定反应器中进行,以暴露反应气体和底物,该仪器的示意图如图所示1。 图1用于在不同的清洗时间、压力和衬底温度下去除PEG的UV/o2GPC,波长为254nm和185nm的紫外灯功率分别固定在40∼50mW/cm2和2....
发布时间: 2022 - 01 - 12
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