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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1,S(2或SPM)在其配方中包括过氧化氢。所述浴从硅表面去除颗粒、有机和金属污染物,避免了由污染引起的电不可操作性和少数载流子寿命的降低。为了避免因镀液本身造成的污染,所有成分都需要极高的纯度,因此必须严格控制这些化学物质中的杂质浓度。半导体设备和材料国际(SEMI)组织是一个全球性的行业协会,为微电子、显示和光伏产业的制造供应链提供服务。该组织促进该领域全球最受尊重的技术标准的发展。在所有受管制的主题中,有些涉及工艺化学品,并指出要被接受为电子化学品。对于过氧化氢的特殊情况,SEMI (30文件是适用的[3],其中六个不同的电子等级被定义为允许的最大污染物浓度的函数,如表1所示。尽管通常商业化等级的过氧化氢水溶液已经通过传统的纯化技术(L-L萃取、吸附、膜技术、蒸馏...)为了降低杂质水平[4],用于电子设备的过氧化氢要求污染物含量非常低。因此,需要超纯工艺从标准级产品中达到电子级要求。虽然过氧化氢超纯化的技术可行性已经很好地解决了,因为不同电子等级的商业化已经证明了这一点,但是还找不到提示工艺基础的科学论文。因此,专利成为唯一可用的书目来源。作为过去二十年文献综述...
发布时间: 2022 - 03 - 24
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扫码添加微信,获取相关半导体资料引言本文描述了用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案,随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH/IPA溶液进行湿法蚀刻以产生硅鳍。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜来确定形貌,包括鳍之间区域的表面粗糙度和硅的蚀刻速率。 介绍硅蚀刻在图案从光掩模转移到衬底之后,下一步是蚀刻衬底,以获得与抗蚀剂上完全相同的图案。硅蚀刻有两种分类标准。一种是基于蚀刻形状;另一种是基于蚀刻技术。蚀刻后的硅的形状可以是圆形的,也可以是尖角形的,分别称为各向同性蚀刻和各向同性蚀刻。对于IC制造,最常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。 各向异性蚀刻和各向同性蚀刻各向同性蚀刻是一种非定向移除部分基板的蚀刻方法(图2.1 (a)),从而产生圆角。相反,各向异性蚀刻意味着每个晶体取向具有不同的蚀刻速率,因此拐角是尖锐的(图2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向异性蚀刻形状是底角为54.74°的等腰形状(图2.1 (...
发布时间: 2022 - 03 - 23
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发布时间: 2022 - 03 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是,硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在硅晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。为了正常工作,硅晶片必须完全没有任何污染物。然而,去除这些污染物并不是最简单的任务,因为硅晶片非常易碎。因此,半导体制造企业必须坚持精心制定的清洁计划,确保晶圆表面恢复到清洁状态,同时保持最小的损坏风险。为了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推荐以下清洗步骤:第一步:溶剂清洗半导体制造企业使用溶剂成功去除硅片表面的油和有机残留物。虽然溶剂确实能去除这些污染物,但溶剂本身也会在晶片表面留下残留物。由于这个原因,实施了双溶剂方法以确保晶片回到无污染状态。溶剂清洗方法概述如下:·准备两个浴槽,一个玻璃容器装有丙酮,另一个装有甲醇。·将丙酮容器放在加热板上,将丙酮加热至不超过55°c的温度。·一旦变暖,将硅片浸泡在丙酮浴中10分钟。·丙酮浴完成后,取出硅片并将其放入甲醇容器中5分钟。·时间一到,将晶片从甲醇中取出,在去离子水中冲洗。·用氮气吹干硅片。 第二步:清洁RCA-1通过混合5份去离子水和1份氢氧化铵(27%)开始准备RCA槽。将RCA容器放在加热板上,将...
发布时间: 2022 - 03 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外,湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。尽可能多的来源已被用来提出一个蚀刻剂和工艺的简明清单。 晶圆清洗通常使用一系列化学物质来清洗硅晶片。该序列首先由RCA实验室开发,因此通常被称为RCA过程。这种化学顺序不会侵蚀硅材料,而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程;在整个工业中,对顺序和化学比例的排序有许多变化。一般清洗:一般清洗是通过使用硫酸和过氧化氢的混合物来完成的。混合这些化学物质是危险的,会产生极高的热量。这种工业标准的清洗去除了晶片上的有机和无机污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·颗粒去除:在5∶1∶1的去离子水∶氢氧化铵∶过氧化氢混合物中的兆频超声波清洗(约70 ℃)将从晶片上去除二氧化硅和硅颗粒,以及去除某些有机和金属表面污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒将去除晶片表面的自然氧化物层和氧化物中的任何污染物。HF极其危险,必须小心处理。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。&#...
发布时间: 2022 - 03 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文主要阐述在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓中都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。此外,GaAs的表面很难控制,可能对看似微小的工艺条件很敏感,例如用水冲洗晶片的时间长度。据我们所知,只有一篇参考文献引用了在GaAs上使用预涂自然氧化物蚀刻来提高粘附性。该参考研究表明,基于水滴接触角实验,预涂处理是有前途的,并且在光致抗蚀剂显影步骤之后验证了粘附性。没有参考文献引用在湿法蚀刻过程中使用预涂处理进行粘合也不影响对湿法蚀刻轮廓的观察效果,这通常归因于蚀刻剂的GaAs晶体结构...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的,但是在剥离过程中,材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题,以及最终去除其上沉积有材料的抗蚀剂掩模。 基本原理图124显示了过程se-中的基本差异,通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺,光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的,而在剥离工艺中,涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通过抗蚀剂掩模的开口直接施加到衬底上的材料根据需要保留在那里。如图所示,用于抗蚀剂处理的光掩模必须倒置或交替使用当在蚀刻和剥离工艺之间改变时,光刻胶的正性和负性处理。 图124 通过蚀刻工艺(左)和剥离工艺(右)构造(例如金属)层的基本工艺顺序 与蚀刻工艺相比的优点和缺点只有当阻止了抗蚀剂侧壁的涂覆时,剥离过程才实现可再现的限定结构,这在各向同性溅射工艺中是不可能的。对于诸如金或氮化硅的一些材料,由于施加到其上的抗蚀剂掩模的粘附性差,湿法化学蚀刻是有问题的,因此干法蚀刻或剥离是合理的替代方案。如果所需的化学物质不能用于例如工作,则湿法化学蚀刻工艺不适用安全原因。如果由于涂覆过程及其持续时间而对衬底有很高的加热,剥离过程是关键的...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度,对高功率电子器件也很有吸引力。然而,由于普通材料的活化能较大,已经证明在GaN膜中实现高p型导电性非常困难。这导致GaN N-p-n异质结双极晶体管(HBTs)中的基极电阻过大。在本文中,我们解决了基极电阻的来源,并提供了这个问题的实验和理论解决方案。 介绍基极接触电阻由于半导体的大功函数以及低的受主电离效率,难以实现与p-GaN的低电阻欧姆接触。通常获得10-3ω-cm2范围内的特定接触电阻。最近,提出了一种新型的金属-半导体接触,即所谓的极化增强接触。这一概念基于薄GaN基合金中存在的由极化效应产生的大内部电场。在这种接触中,极化感应电场增强了典型隧道接触中空间电荷区的电场,导致空穴的隧穿距离更短,接触电阻降低。图1示意性地示出了这种效果。 图1 a)传统金属/ p型半导体接触和b)极化增强接触的能带图我们考虑生长在AlGaN层上的GaN薄层的情况,其中GaN具有内部极化效应产生的电场。假设金属和GaN层之间有一个三角形势垒,接触电阻可以用解析方法计算,参数为GaN层厚度d、金属-半导体势垒高度φB和内部电场强度e。图2显示了最小GaN层厚度与产生特定接...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多把半导体相关资料引言本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了GaAs,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓在都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。我们的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺改变,首先,我们从Clariant AZ4330光刻胶切换到Shipley SPR220-3。我们已经发现,后一种抗蚀剂具有更好的旋转均匀性和分辨率,但是其对GaAs的粘附力略次于AZ4330。其次,我们将湿蚀刻从基于手动浸没的工艺转移到SSEC 3300喷雾蚀刻系统。虽然有可能产生更好的蚀刻均匀性和可重复性,但是喷雾蚀刻系统可能是对光致抗蚀剂粘附力...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来,与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展,并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。大多数物质在与溶液接触时,会获得表面电荷,胶体化学中就是这么说的。据认为,这种电荷是由固体表面电离、离子吸附到固体表面和离子溶解引起的。溶液中的带电固体表面影响界面周围区域的离子分布;与带电固体表面符号相反的离子被拉向界面,而符号相同的离子被迫离开界面。这样,在溶液中的带          电界面形成双电层,并随后影响与晶片表面相关的颗粒吸附和去除。接下来,将简要说明ζ电势。如果一个固体浸入溶液中时,在固-液界面上存在双电层。图10.1显示了一个固体—液体界面的结构模型,它是基于斯特恩的理论,适用于带正电荷的表面。在这个双电层中,在几乎是固体的部分,有一个吸收相反离子的斯特恩层。此外,扩散层存在于其外部。船尾层外侧存在一个滑移面。这个滑移面的电势称为ζ电势。滑移面位于液体中的某处,而不是正好在固-液相边界。ζ电势用于解释颗粒对晶片表面的粘附和去除。图10.2显示了溶液中颗粒和晶片表面的示意图。例如,由于吸收H”离子,推测两个表面都带正电。在...
发布时间: 2022 - 03 - 18
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