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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅集成电路(IC)的制造需要500-600个工艺步骤,这取决于器件的具体类型。在将完整的晶片切割成单个芯片之前,大多数步骤都是作为单元工艺来执行的。大约30%的步骤是清洁操作,这表明了清洁和表面处理的重要性。硅电路的器件性能、可靠性和产品产量受到以下因素的严重影响晶片或器件表面上的化学污染物和颗粒杂质。由于半导体表面的极端敏感性和器件特征的纳米尺寸,因此在热处理如氧化之前、通过蚀刻形成图案之后、离子注入之后以及膜沉积之前和之后清洗硅晶片的有效技术是至关重要的。因此,在硅片中制备超净已经成为制造先进集成电路的关键技术之一。人们可能会问必须除去的杂质的性质、类型和来源。晶片表面上的污染物以吸附的离子和元素、薄膜、离散颗粒、微粒(颗粒团)和吸附的气体的形式存在。表面污染物薄膜和颗粒可分为分子化合物、离子材料和原子种类。分子化合物主要是来自润滑剂、油脂、光刻胶、溶剂残留物的浓缩有机蒸汽的颗粒或薄膜,来自去离子水、指纹或塑料储存容器的有机化合物以及无机化合物。离子材料包含主要来自无机化学物质的阳离子和阴离子,这些化学物质可以是物理吸附的或化学键合的(化学吸附的),例如钠、氟和氯的离子。原子或元素物质包括金属,例如铜和重金属,它们可以从含氢氟酸(HF)的溶液中电化学电镀在半导体表面上,或者它们可以由硅颗粒、灰尘、纤维或来自设备的金属碎片组成。颗粒可能来源...
发布时间: 2022 - 03 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍随着超大规模集成电路器件制造过程中封装密度的增加。可接受的金属 污染水平的要求变得更加严格。因为痕量的金属杂质影响电子器件的 性能;所以需要高度精确的分析技术。VPD制剂已经与几种不同的痕量元素分析技术相结合,例如 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、47原子吸收光谱法(AAS)和全反射 X射线荧为了分析大块硅晶片中的金属杂质,使用蚀刻或大块分解样品制备 。15, 16整个晶片表面被蚀刻至一定深度,或者硅样品被酸分解。然后是 分解的硅和酸通过在热的盘子。通过分析仪器測量去除基质后残留的金属杂质。这些方法的 结果,例如VPD制备、蚀刻或整体分解,显示为整个晶片表面或整 体的平均值。然而,在器件或晶片制造过程中,金属杂质不会均匀 地污染晶片。 程序晶片被放置在主板和盖板之间。将采样管放在特定位置的孔 中进行分析。将100微升蚀刻溶液滴到被采样管包围的晶片 表面上° —根真空管连接在采样管的孔中。通过真空泵排出 反应气体,并通过在晶片下点亮红外线灯来干燥蚀刻溶液。在干燥蚀刻溶液后,移除盖板和真空管。 结果和讨论局部蚀刻条件的优化蚀刻溶液被固定为HF和HN。的混合物:在半导体工业中,它已经被用作硅的蚀 刻溶液很昧时间孑。蚀刻溶液的体枳被限制在10暗升注以避免蚀刻反应过程 中化学物质的任何泄漏,以及当使用大体积时去除溶液...
发布时间: 2022 - 03 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅水清洗是集成电路制造过程中最常用的处理步骤。这一过总旨在去除几种不同类型的污染物,其中包括颗粒、金属和有机物。然而,据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由清洗后残留在硅晶片表面上的污染物造成的。本文的目的是记录在硅晶片表面上使用改进的超高纯度化学物质的效果,该效果通过全反射x射线荧光测量,TXRF。在这项研究中。用标准等级的化学物质和超高纯度的化学物质清洗硅样品,然后用TXRF测量金属杂质。发现超高纯度化学物质的使用大大减少了清洗后存在于棉卷表面的表面污染物的量。 介绍自20世纪50年代以来,硅片清洗一直是半导体器件制造中不可或缺的一部分,事实上,它是集成电路制造过程中最常用的加工步骤。晶片清洗的目的是在不降低其结构的情况下从硅表面去除污染物。不能低估充分清洁的重要性,因为已知残留在衬底表面上的污染物会降低器件性能、可靠性和产量。据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由微分层造成的晶片清洗将继续是器件制造中的重要工艺步骤,尤其是当器件几何尺寸接近亚半微米尺寸时。残留在半导体表面上的污染物会在随后的加工过程中造成各种不利影响,这取决于杂质的性质。颗粒会造成各种加工操作的阻塞或掩蔽,例如在蚀刻或光刻过程中。薄膜生长或沉积过程中出现的颗粒会导致针孔和微孔,如果颗粒足够大且具有导电性,则会导致导线之间发生射击。在器件加工的几...
发布时间: 2022 - 03 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在目前的工作中,氧化铝凝胶被开发用于钝化硅片。以仲丁醇铝为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了氧化铝凝胶。涂覆后,进行快速热处理以激活钝化效果。用x光电子能谱和碳-钒曲线评价薄膜性能。的顶峰74.35 eV证实了Al2O3的形成。同时,随着退火温度的升高,低结合能处的小峰减少,这归因于氢的逸出,导致700℃后有效寿命的下降。在700℃退火温度下,获得了1.16 E12 cm-2的最高固定电荷(Qf)和1.98 E12 cm-2eV-1的优异界面缺陷密度,有助于292 s的最高有效少数载流子寿命。本工作将有助于为Al2O3钝化提供更具成本效益的技术。 介绍为了抑制晶片表面的复合,已经出现了许多钝化膜,包括二氧化钛、二氧化硅、氮化硅和氧化铝.其中,Al2O3因其优越的表面化学钝化和固定负密度引起的场效应钝化而被广泛应用于工业钝化发射极和后电池的背面钝化.Al2O3薄膜目前主要通过原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学沉积(PECVD)来沉积。然而,对ALD来说,设备调查是非常重要的系统或PEVD系统。因此,开发一种低投入的Al2O3制备和沉积技术是很有前途的。一些研究者已经将溶胶-凝胶合成技术应用于制备Al2O3薄膜。文献中一般描述了两种制备溶胶-凝胶的方法,即聚合溶胶-凝胶法和胶体法溶胶-凝胶路线。前者是利用有机溶剂中金属-有机前体的化学性...
发布时间: 2022 - 03 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言根据FM(工厂互助)保险公司的研究报告,在过去的二十年里,发生在半导体工厂的大多数事件都被认定为“火灾案例”这些报告声称湿化学清洗工艺中的火灾主要是由加热器故障引起的,然而,根据工艺条件,加热器被设计成当温度超过设定值时自动关闭。因此,有必要对湿化学清洗过程中的火灾模拟进行深入研究。基本上,涉及工业大量损失的事故可能是由化学不相容引起的。本研究的重点是湿化学清洗工艺中清洗材料的不相容行为。它还试图验证半导体工厂制造过程中湿化学清洗过程中的火灾原因。本研究的目的不仅是确定此类过程中的火灾原因,还研究常用化学品(过氧化氢、浓硫酸、浓盐酸和异丙醇)的潜在危害。因此,这将导致建立浓度三角图,该图可用于识别可燃区、爆燃区甚至爆震区。最后,这项研究可以为基础设计数据提供一种更安全的方法,以避免危险混合物造成的潜在危险,这可能导致半导体工厂的巨大财产损失。 介绍由于自20世纪80年代以来,台湾半导体产业在经济重要性方面的出色表现,以及火灾危险或意外化学物质释放数量的增加,不仅台湾需要相关研究,全世界也需要相关研究。该研究集中于半导体制造行业湿法化学清洗过程中火灾事故的主要原因,以便充分制定积极措施 化学品和不兼容性。鉴于该行业的竞争市场,任何异常停工或意外事件都是不可接受的。比如1984年博帕尔事故发生时,联合碳化物公司是世界第七大化工...
发布时间: 2022 - 03 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文通过质量比较测量的方法研究了硅密度标准品的清洁情况,结果表明,即使在干净的实验室空气中,硅球的质量也会随着时间的推移而显著增加;另一方面,在清洗球体后,质量仅在8小时内稳定下来,并且总是在10微克范围内产生相同的质量,在使用液体中的球体后也是如此。此外红外吸收技术被用于识别硅球上的碳氢化合物,并估计层厚,这种方法通过对沉积在硅球上的石蜡层的质量测定是可能的。质量比较采用AT1006的梅特勒平衡,最大容量为1319克,分辨率为1微克,电动称重范围为10克,平衡被安置在一个双壁不锈钢钟中,用恒温水冷却到20°C,钟的底板也可以用同样的水来冷却,闭钟是密封的,对于测量,空气压力总是调整到约1013hPa。图中的装置不仅用于清洗检查,也用于静水密度测定的新方法,在这种方法中,样品的(表观)重量将与不仅在液体中而且在空气中的密度标准的重量进行比较,因此密度标准也被用于样品的质量测定,而不是不锈钢的质量标准,用这种方法,样品和标准品的密度可以与0.05ppm或更小的不确定度进行比较,长时间监测硅密度标准的质量是困难的,因为质量与通常的不锈钢质量标准的比较有很大的不确定性。此外,所有的质量标准也可能发生质量漂移,因此,我们采用以下程序来研究硅密度标准的清洁度。 图 2为了确定大气对球体表面的污染,首先要彻底清洗球体,然后长期暴...
发布时间: 2022 - 03 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了水和溴在砷化镓上的共吸附实验,并将其与H2O-Br2蚀刻剂溶液中砷化镓的重现实验进行了比较,因为这些模型实验肯定与实际的湿式化学处理并不相同,模型实验的结果可用于解释再现实验收集的数据。因此两种实验方法的结合可以更详细地了解半导体的表面蚀刻。在本文中,我们将首先结合这两种实验方法研究溴-h2O溶液中砷化镓蚀刻的结果。实验是在一个自制的电化学室中进行的,由标准玻璃元素在惰性、干燥、无碳n2气氛下建造,该玻璃腔室被直接连接到一个集成的超高真空(UHV)系统上,该装置的示意图如图所示1,XPS测量使用了PHI5700多技术系统,该系统附加到一个分配室,安装在配电室上的还包括LEED系统,我们将在这里介绍用该设备进行的第一次重现实验。 图 1在水吸附过程中Ga(a)和As(b)的三维核水平如图所示2,在120eV的电子束激发和在室温下解吸后,得到了最上面的光谱,测量数据以点表示,底部的光谱是从一个新切割的,干净的表面获得的如图所示,两个三维核心水平的发射可以分为两个分量,分别分配给来自体原子和来自表面原子的发射。对于所有的BE差异,以各物种排放的最大值作为参考点。 图 2随着溴沉积量的增加,AsBr3和GaBr3组分的排放量越来越强,它们的强度随着溴吸附在表面的数量的增加而增加,这表明与砷化镓底物的反应在...
发布时间: 2022 - 03 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文讲述了一种用于半导体晶片电镀的阴极组件,其采用金属结构环上的聚合物涂层,为待电镀的晶片表面的周边提供低轮廓密封。聚合物涂层也是电的使金属绝缘,使其可以与电镀液接触使用,并且仍然是电接触系统的一部分,不需要保护性塑料外壳。由于用于形成密封的涂层可以非常薄,并且可以由相对较强的金属结构支撑,因此导管组件在晶片镀侧表面上方的突出程度可以最小化。同样,这种聚合物涂层金属结构取代了现有技术中使用的塑料支撑和保护外壳,从而可以显著降低组件的整体尺寸。这种紧凑的阴极组件在晶片表面上,使镀电池和振动系统的修改,提供更均匀的铜沉积晶片表面。图1描述了采用聚合物涂覆金属结构的半导体晶片镀层的低轮廓阴极组件的一侧。同心金属结构环的内边缘与晶片的镀侧的周边重叠,其聚合物涂层至少设置在密封的区域内,优选在操作期间接触镀溶液的其他区域。如图1所示密封优选包括同心圆形聚合物涂层金属脊,通过集中施加的力以增加局部密封预设和提供冗余来提高密封对晶片的有效性。对于某些应用,特别是那些涉及低静水压力的应用,这种脊可能不需要在聚合物涂层和晶片之间提供足够的密封。请注意,一个完美的密封是不需要的,因为Damascene过程特别只需要几分钟,并且可以容忍少量的溶液侵入电接触区域。这里使用术语“密封”来表示溶液流动的足够障碍,以使给定的晶片电镀工艺得以实现。 图 1在...
发布时间: 2022 - 03 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言电镀中的铜种子层为电镀电流提供了传导路径。电镀是一种电沉积工艺,通过电流的作用在表面产生致密、均匀和粘附的涂层,通常由金属或合金制成。为了形成电镀铜膜,铜种子层是必要的,因为很难从硅或扩散阻挡材料如钛、钽、氮化钛或氮化钽上的铜水溶液中使铜颗粒成核。湿化学清洗工艺是广泛使用的清洗技术之一,包括溶剂脱脂、碱浸泡清洗和酸清洗。一般来说,已知H2SO4溶液可用于去除氧化铜。在本研究中,通过预处理稀H2SO4溶液以去除在铜种子层上形成的天然铜氧化物来研究铜种子层的变化表面。 实验将铜种子晶片暴露于空气中以生长铜的天然氧化物。为了去除铜种子层上的天然氧化铜,我们采用了碱洗和硫酸酸洗的方法。在用TS-40A溶液预处理浸渍H2SO4的情况下,首先,通过将晶片浸泡在溶液中60 s来进行用于去除膜表面有机物的碱性清洗,然后在搅拌下将晶片浸渍在去离子(DI)水中20 s。锌酸清洗过程中,将经TS-40A碱性溶液预处理60 s的薄膜浸泡在稀H2SO4溶液(H2SO4与去离子水的体积比为1:20)中不同清洗(浸泡)时间。此外,所有晶片在搅拌下用去离子水冲洗三次,持续20秒,并在连续N2流中干燥。根据在稀H2SO4溶液中浸泡的时间,使用表面分析工具如扫描电子显微镜和X射线光电子能谱测量铜种子层的变化表面。使用的X射线源是单色化的铝。铜膜的结合能在932.6电子...
发布时间: 2022 - 03 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本文中讲了HARSE的工艺条件,其产生超过3 微米/分钟的蚀刻速率和良好控制的、高度各向异性的蚀刻轮廓,还将展示先进封装技术的潜在应用示例。在用作阳极硅衬底的 “光学工作台”示意图中显示,混合技术集成和封装使用第二光刻步骤,可以在硅中蚀刻出相对于激光器的精确深度和位置的沟槽,以便被动对准光纤,此外可以蚀刻晶片通孔,用作正面控制和/或驱动电路的光学或电学互连。 图2图2展示了其中的几个概念,其中一张扫描电镜照片显示了同时蚀刻到约250 微米深度的硅特征,在图2a中,中心正方形或器件定位器”可用于精确定位混合结构,而沟槽特征可用于电互连或延伸到光纤的晶片边缘,在图2b和2c中,高倍扫描电镜显微照片显示了侧壁和场的高各向异性和平滑蚀刻形态。 图3为了实现被动自对准、蚀刻研究了作为室压、阴极射频功率和ICP源功率的函数的参数,在图3中,当阴极射频功率、等离子体源功率和气体流量保持不变时,硅蚀刻速率和硅对光刻胶的蚀刻选择性显示为压力的函数,通常导致离子能量和等离子体密度的变化,这强烈影响蚀刻性能,随着压力增加,表明在较低压力下反应物受限,这种相对于抗蚀剂的高蚀刻选择性使得能够以高纵横比进行深硅蚀刻(通常 600 微米)。蚀刻特性通常表现出对离子能量和等离子体的强烈依赖密度,离子能量影响蚀刻的物理成分,而等离子体密度可以影响工艺的物理和...
发布时间: 2022 - 03 - 10
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