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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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LED湿法清洗设备主要由供液机柜、供液源、输送单元、输送管路、电气控制、排风装置、漏液检测等部分组成。供液机柜:供液机柜通常由耐腐蚀的PP(聚丙烯)材料焊接而成,机柜上设有进风口及排风装置。排风装置除将酸、碱腐蚀气体及时排出供液机柜外,还可以降低机柜内挥发出的有机溶剂浓度,避免发生燃烧和爆炸。同时排风口装有风压检测传感器,当厂务端排风出现故障时,发出警报,以利维护人员及时处理。在供液机柜内一般设计有滚轮机构,方便更换供液桶。机柜内设有水枪,用于腐蚀液的冲洗。腐蚀区与供液泵、控制系统之间物理隔离,以避免电子元器件及金属零件等被腐蚀。供液源:LED工艺线上供液源采用容积为20L的供液桶,供液桶为标准尺寸的耐腐蚀塑料桶,通常一种化学液配备两只供液桶,两只供液桶一用一备,交替进行工作,实现不间断供液。输送系统:化学液输送方式分泵浦输送和惰性气体输送。泵浦输送是利用泵的压力做动力来输送化学液,其特点是:化学液可进行过滤处理,输送产生脉动较大,适用于长距离输送。惰性气体输送是利用气体的压力做动力来输送化学液。惰性气体一般采用高纯氮气。该方式的特点是:不易和化学液反应,输出流量小,需要压力操作容器,结构复杂,易产生故障。CDS较多采用泵浦输送方式。输送系统包括供液泵、过滤器、流量计等。由于气动隔膜泵或气动风囊泵采用压缩空气为动力源,它的剪切力低、流量大、杨程高、工作中不产生火花、不产生热量。因此...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程:1.1GaN芯片前道流程演示图:2. GaNITO芯片后道流程:2.1. GaN芯片后道流程演示图:免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系作者删除。
发布时间: 2021 - 04 - 08
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计算的量要稍多一些②加热除去氧化膜Ga:高真空下,700℃,2hAs:高真空下,280℃,2h③用液氮或干冰将Ga凝固,撞破石英隔窗,将反应管放入炉中④升温:低温炉617℃,高温炉1250℃⑤移动熔区合成好熔体⑥生长单晶,⑦降温:先将高温区降至610℃,再同时降温至室温HB法优缺点:优点:设备简单,生长系统中温度梯度小,可生长低位错密度单晶缺点:①粘舟,产生缺陷生长截面D形,加工成圆片材料损失②难以生长非掺杂半绝缘GaAs单晶③难以生长大直径75mm液态密封法LEC、LEP:是对CZ技术的一项重大改进基本原理:用一种惰性液体覆盖着被拉制材料的熔体,生长室内充入惰性气体,使其压力大于熔体的离解压力,以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失,这样就可按通常CZ技术拉制单晶液态密封法中所用覆盖剂应满足条件:1.密度小于拉制材料2.对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的,而且熔体中溶解度小3.熔点低于被拉制材料熔点,且蒸汽压低,易去掉4.有较高纯度,熔融状态下透明B2O3满足上述要求LEC法生长GaSb熔点低,用1:1KCl+NaCl作覆盖剂LEC法工艺流程:1.装料:一石英杯装Ga,一石英安瓶装As,石英坩埚中装B2O32.抽真空下,B2O3加热脱水900-1000℃,Ga杯,As瓶烘烤除去氧化膜3.降温至600-700℃,将Ga倒入坩埚内沉没在B...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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高功率模块具备半导体功率器件的特性测试功能,主要通过PCI总线与主控机进行通信,实现对半导体功率器件的电激励功能和电测量功能。相关参数和指标下:最大驱动电压:±200V最大驱动电流:±1A最小驱动电压:±2V最小驱动电流:±1nA电压测量分辨率:2uV电流测量分辨率:10fA最大功率:20W由于高功率模块对测试电压和测试电流的分辨率要求很高,经过理论计算最低需要18位AD。经过了大量的理论研究和分析,并综合考虑系统噪声、AD的低端数据丢失等因素的影响,最终选择了待测件的I-V曲线,用户可以根据I-V曲线了解待测件的相关电气特性。在进行半导体功率器件参数测试过程中,必须保证程控恒压源、恒流源的高度稳定性。为此,高功率模块采用了双控制环路的方法,使用FPGA[3]控制,实现恒压源或恒流源的稳定输出。当采用恒压源作为半导体功率器件激励源时,恒流负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒压负反馈控制环路实现恒压控制;相反,当采用恒流源作为半导体功率器件激励源时,恒压负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒流负反馈控制环路实现恒流控制。其具体原理框图如图2所示。 全范围大动态控制调整及斜坡补偿技术:高功率模块开关电源根据输出电压和负载变化,通过反馈闭环回路[4]调整开关管的工作占空比实现稳压输出,反馈闭环回路是否稳定决定了高压电源输出电压的稳定度和工作的可...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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多量子阱层和电子阻挡层;在电子阻挡层上生长高温P型层,高温P型层由多个周期的超晶格结构组成,每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力;在高温P型层上生长P型接触层。InGaN层的生长温度为800~1000℃。BGaN层的生长温度为900~1100℃。InGaN层的生长压力为400~600torr。BGaN层的生长压力为100~200torr。InGaN层和BGaN层的厚度相等。高温P型层的厚度为50~300nm。高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。InGaN层为In x Ga 1-x N层,0BGaN层为B y Ga 1-y N层, 0 . 05        图1图2图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图;图2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图。图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,如图1所示,该制造方法包括:衬底可以为蓝宝石衬底。步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层。 低温缓冲层可以为GaN缓冲层,厚度为20~50nm。三维成核层可以为GaN层,厚度为400~60...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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单面抛光机制作工艺PG-510型单面抛光机的主要结构特点:PG-510型单面抛光机的结构组成主要由抛光盘组件、抛光头组件、抛光液流量控制系统、晶片纯水冲洗系统、电气控制系统、操作系统等组成。抛光盘组件的结构及特点:抛光盘组件主要包括抛光盘部件、主轴系统、抛光盘驱动系统、抛光盘温度控制系统组成。PG-510型单面抛光机抛光盘组件的整体结构如图2所示:抛光盘组件是抛光机的核心部件,他的主要功能是抛光过程中带动粘贴在抛光盘表面的抛光垫作平稳旋转,从而实现CMP工艺过程中磨料对材料表面化学反应物的磨削去除作用。抛光过程中,不同的阶段对抛光盘的转速要求也不尽相同,在抛光的初始阶段,由于材料表面粗糙度较低,极易造成抛光垫的快速磨损和损伤,一般要求抛光盘要慢启动低转速,而在抛光的中间过程,为了提高抛光效率达到较高的去除率,要求抛光盘的转速相对较高,在抛光结束时为了防止纳米级的抛光表面被划伤,则要求抛光盘能够实现低转速慢停止,整个抛光过程中抛光盘的速度曲线为梯形,如图3所示。PG-510型单面抛光机的抛光盘驱动采用变频器与三相异步电机来完成,可实现平稳启动和停止的工艺要求,控制采用PLC模拟量加数字量控制,模拟量控制转速,数字量控制方向,整个抛光过程中抛光盘的速度最多可分为十个阶段,不同阶段可设定不同转速,整个过程中速度的变换由程序自动控制完成。PG-510型单面抛光机抛光盘的速度控制范围为:0~...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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低压气相淀积,是在27-270Pa的反应压力下进行的化学气相淀积。它的特点是:膜的质量和均匀性好,产量高,成本低,易于实现自动化。一般工艺流程:装片——进舟——对反应室抽真空——检查设备是否正常——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后开始淀积——关闭所有工艺气体,重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。化学气相沉积的制程,包含了热的传达、边界层的扩散(boundary-layerdiffusion),吸附于基板表面,反应物分解、表面扩散、副产物脱离表面等许多步骤,所以有很多个参数会影响沉积作用,如反应温度、压力、反应物流量、晶片摆置的位置和反应物的混合比例都是对是否能沉积出高品质的薄膜非常重要的因素。因为上述的化学气相沉积制程的几个步骤是连续的,那个步骤是最慢的速率,将会決定此化学气相沉积的速率,亦即是速率決定步骤。速率決定步骤,一般可分成两大类,一类是气相质量输运(gas-phaseprocess),另一类是表面反应(surfaceprocess)。对于气相质量输运最主要的考量点是反应气体撞击到基板。这个模型要考虑气体横越过边界层(boundary-layer)的速度。而此边界层就是气体大量流动和基板表面之间的范围。反应物的传输过程是藉著气相的扩散来达成,而此气相扩散的速率,正比于扩散系数和横越此边界层的的浓度梯度(concentrationgradient)。因此物质传...
发布时间: 2021 - 04 - 07
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1前言等离子清洗技术被广泛应用于电子、生物医药、珠宝制作、纺织等众多行业,由于各个行业的特殊性,需要针对行业需要,采用不同的设备及工艺。在电子封装行业中,使用等离子清洗技术,目的是增强焊线/焊球的焊接质量及芯片与环氧树脂塑封材料之间的粘结强度。为了更好地达到等离子清洗的效果,需要了解设备的工作原理与构造,根据封装工艺,设计可行的等离子清洗料盒及工艺。等离子清洗的工作原理是通过将注入气体激发成等离子体,等离子体由电子、离子、自由基、光子以及其他中性粒子组成。由于等离子体中的电子、离子和自由基等活性粒子存在,其本身容易与固体表面发生反应。反应类型可以分为物理反应和化学反应,物理反应主要是以轰击的形式使污染物脱离表面,从而被气体带走;化学反应是活性粒子与污染物发生反应,生成易挥发物质再被带走[1]。在实际使用过程中,通常使用Ar气来进行物理反应,使用O2或者H2来进行化学反应,其反应原理示意图如图1所示。等离子清洗的效果通常用滴水实验来直观反应,如图2所示,等离子清洗前接触角约为56°,等离子清洗后表面接触角约为7°。在电子封装中,通常使用物理化学结合的方式进行等离子清洗,以去除在原材料制造、运输、前工序中残留的有机污染物及芯片焊盘和引线框架表面形成的氧化物。等离子清洗设备的反应室主要分为感应耦合“桶式”反应室、电容耦合“平行平板”反应室、“顺流”反应室三种。目前国内...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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一、多晶硅锭的制备工艺根据生长方法的不同,多晶硅可分为等轴晶、柱状晶。通常在热过冷及自由凝固的情况下会形成等轴晶,其特点是晶粒细,机械物理性能各向同性。如果在凝固过程中控制液固界面的温度梯度,形成单方向热流,实行可控的定向凝固,则可形成物理机械性能各向异性的多晶柱状晶,太阳能电池多晶硅锭就是采用这种定向凝固的方法生产的。在实际生产中,太阳能电池多晶硅锭的定向凝固生长方法主要有浇铸法、热交换法(H EM)、布里曼(B ridgem an)法、电磁铸锭法,其中热交换法与布里曼法通常结合在一起。热交换法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩埚中( 避免了二次污染),其中热交换法是将硅料在坩埚中熔化后,在坩埚底部通冷却水或冷气体,在底部进行热量交换,形成温度梯度,促使晶体定向生长。布里曼法则是在硅料熔化后,将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区,而液硅仍然处于加热区,这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。其特点是液相温度梯度dT/dX 接近常数,生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数,生长速度可以调节。本项目生产所用结晶炉是采用热交换与布里曼相结合的技术。本项目采用中国电子科技集团公司第四十八研究所研发的拥有先进技术的R13450-1型多晶硅铸锭炉,它采用先进的多晶硅定向凝固技术,将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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在太阳能电池片制造行业中,通常单晶硅片需要进行清洗,去除各种杂质,或者利用化学品对硅片行刻蚀后形成特定的表面状态,这样才能够继续进行后续工艺生产。其中,利用碱溶液KOH进行刻蚀清洗,是一种重要的硅片处理方式。在湿法设备中集成多种化学品后,可以在单个设备上完成刻蚀、清洗等不同工艺,达到对硅片进行综合处理的目的。KOH溶液的质量分数、刻蚀时间等对硅片表面状态有重要影响。KOH刻蚀过程中需要使用大量的化学品,近年来随着技术的进步,出现了KOH碱刻蚀辅助添加剂,通过在KOH溶液中混合辅助添加剂,不仅能够达到原先的工艺要求,还能够有效减少化学品用量,降低化学品废液的处理量和难度,为今后KOH碱刻蚀大规模用提供了条件1 实验材料和工艺实验中,使用砂浆切割和金刚线切割的单晶硅片外观尺寸为156mm×156mm,厚度为200um,电阻率为1-3Q·cm。该单晶硅片为市场常见硅片。电池片生产工艺采用车间量产的PERC(射极纯化及背电极)单晶生产工艺。各类化学品原液质量分数如表1所示。2 实验结果与讨论2.1KOH预清洗砂浆切割的硅片表面有大量的切割损伤和各种杂质等“,需要进行清洗才能开展下一步扩散工艺。通常采用KOH刻蚀的方式来对硅片进行预清洗,去除硅片表面各种脏污杂质等,达到清洗效果。清洗工艺中,通常刻蚀时间对工艺效果影响较大。实验中,保持KOH溶液质量分数18%不变,反应温度...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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