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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      低氧含量的湿法加工可能会提供一些优势,但是,完全控制在晶圆加工过程中避免吸氧仍然是单个晶圆工具上的短流程工业化的挑战。在线氧浓度监测用于工艺优化。然后,根据记录的氧浓度和处理室中气氛控制的硬件可用选项,评估稀释 HF 溶液中的钴蚀刻。关键词:低氧工艺、溶氧计、BEOL 清洗介绍      FEOL 应用和 BEOL 已经证明了在液体(冲洗水、稀释的酸,如 HF、HCl)和大气中(氮气流、密闭室)中低氧含量的湿法加工的优势应用 ,以及 2010 年 ITRS 路线图建议在晶圆厂设施提供给润湿设备的超纯水中添加 10ppb。然而,在晶圆加工过程中完全控制避免吸氧仍然是在非常短的工艺时间的单晶圆工具上进行工艺工业化的挑战。      在这项工作中,我们将专注于超稀释 HF 溶液中的氧气控制。事实上,已经证明用于 BEOL 互连蚀刻后清洁的“HF 预算”随着技术节点而不断减少,但可能仍然需要确保低成本工艺和良好的清洁效率。为了最大限度地减少绝缘多孔电介质的横向蚀刻,即使对于 10nm 节点,也建议将 HF 浓度降低至 0.05%wt,并改进氧浓度控制。然而,由于过程稳健性可能会受到非常短的过程时间(例如 实验性     ...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅晶片制造涉及许多湿法工艺,其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中,流体分配是至关重要的,它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输,结果表明在冲洗时间的一般分析中必须考虑由于流体层上的非均匀速度而导致的径向分散现象。介绍      更好地了解硅晶片制造中的湿法工艺对于提高清洁效率以及优化水分配和工艺时间非常重要。在这里,我们专注于冲洗过程,执行该过程是为了消除已分配在晶片表面的清洁溶液,并考虑代表单个晶片工具的情况。DIW(去离子水)的中心注入以及施加到系统的旋转引起沿晶片表面的径向流动和从边缘排出水溶液。研究了冲洗流中的流体动力学和化学输运,重点研究了由穿过流体层的非均匀速度场引起的径向分散现象。流体动力学和传输现象。       在这项工作中,冲洗过程被分析为纯水对水溶液的混溶置换。为简单起见,化学物质和残留物被视为单一溶解的溶质。如图 1 所示,去离子水 (DIW) 从晶片和屏蔽板之间的中心注入。两者都以相同的转速旋转。区分了两种主要配置(图 1)。在第一种情况下,称为密闭情况 (a),流速足够高,液体可以完全充满晶片和屏蔽板之间的空间。第二个,称为自由表面情况(b),对应于旋转速度或屏蔽板高度足够高...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们据报道,金属薄膜可以通过脉冲掺钕钇铝石榴石激光束照射薄膜表面直接光刻。该过程利用激光诱导的热弹性力,起到将薄膜与底层分离的作用。使用空间调制激光束制造了微米级的高保真图案。具有光刻铝源极和漏极电极的锌-锡-氧化物薄膜晶体管表现出高于 105 的开/关比和非常低的关断电流水平。这表明金属层通过该过程被完全蚀刻掉,不需要额外的清洁或蚀刻步骤。介绍      金属薄膜图案化是现代电子设备制造中的关键工艺,因为它们通常需要电极、金属化或互连线。这些图案通常是通过光刻技术制造的。虽然传统的光刻可以提供高分辨率的图案,但它也需要昂贵的设备和许多工艺步骤。对简单、低成本制造的日益增长的需求导致了对替代品的狂热寻找。已经研究了许多不同的方法,包括喷墨打印、 纳米转移印刷,和激光诱导的正向转移。这些替代方案中的大多数都具有加成工艺的优势,但在分辨率、处理速度或可靠性方面仍然存在限制。光刻      该领域以前的工作主要致力于潜在光刻胶材料的光刻蚀以及纳米颗粒的尺寸选择性蚀刻。在最近的一份报告中,我们已经证明,蒸发在玻璃基板上的金属薄膜(Au、Ag 和 Al)可以通过从基板背面入射的空间调制脉冲掺钕钇铝石榴石 (Nd:YAG) 激光束直接图案化。该...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在早期阶段检测工艺问题和参数漂移对于成功的半导体制造至关重要。晶圆上的缺陷模式可以作为质量工程师的重要信息来源,使他们能够隔离生产问题。传统上,缺陷识别是由质量工程师使用扫描电子显微镜进行的。这种手动方法不仅昂贵且耗时,而且会导致很高的错误识别率。在本文中,提出了一种由空间过滤器、分类模块和估计模块组成的自动方法来验证真实数据和模拟数据。实验结果表明,三种典型的缺陷图案:(i)线性划痕;(ii) 一个圆环;(iii) 可以成功提取和分类椭圆区域。高斯EM算法用于估计椭圆和线性图案,球壳算法用于估计环形图案。此外,可以通过混合聚类方法同时识别凸形和非凸形缺陷图案。所提出的方法有可能应用于其他行业。介绍      集成电路的制造是一个复杂且成本高昂的过程,涉及数百个步骤,并且需要在整个生产过程中监控许多工艺参数。今天,即使使用位于几乎无尘的洁净室并由训练有素的工艺工程师操作的高度自动化和精确定位的设备,仍然无法避免点缺陷的发生(Kuo et al., 1998; Kuo and金,1999)。由于晶圆上的成簇点缺陷通常是由于工艺问题或人为错误造成的,因此关于簇大小、几何形状和空间位置的信息对于寻求识别潜在生产问题的工艺工程师来说非常有价值。一般来说,缺陷模式可以被视为两个独立...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本报告中回顾的紫外线 (UV)/臭氧表面清洁方法是从半导体(以及许多其他)表面去除各种污染物的有效方法。这是一种简单易用的干式工艺,设置和操作成本低廉。它可以在环境温度下在空气或真空系统中快速产生清洁的表面 结合干法去除无机污染物,该方法可能满足未来几代人需要的全干法清洁方法的要求半导体器件。将经过适当预清洁的表面放置在距离产生臭氧的紫外线源几毫米的范围内,可以在不到一分钟的时间内产生干净的表面。该技术可以产生接近原子级清洁的表面,俄歇电子能谱、ESCA、和 ISS/SIMS 研究。讨论的主题包括过程变量、成功清洁的表面类型、可以去除的污染物、紫外线/臭氧清洁设施的建造、过程机制、真空系统中的紫外线/臭氧清洁、速率提高技术、安全考虑、除清洁外的紫外线/臭氧影响以及应用。介绍      紫外线 (UV) 光分解有机分子的能力早已为人所知,但直到 1970 年代中期才开始探索表面的紫外线清洁 (1-6)。自 1976 年以来,紫外线/臭氧清洁方法的使用稳步增长。紫外线/臭氧清洁剂现在可以从几个制造商处购买。紫外线/臭氧清洁的历史      长期以来,人们普遍知道紫外线会导致化学变化。众所周知的表现是织物颜色褪色和人体皮肤色素沉着(即晒黑)在暴露于...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要 在本文中,我们描述了一项实验研究,该研究旨在调查 58 – 192 kHz 频率范围内的超声波场的表面清洁和侵蚀潜力。使用三种不同的方法(重量损失法、表面轮廓法和精密比浊法)进行测量,以评估各种材料(包括半导体)的这些机制。得出关于高频、高强度超声波场和浸没表面之间相互作用的性质的结论。提供了最佳设置的建议,以最大限度地提高表面清洁度并最大限度地减少敏感基材的可蚀性。关键词:超声波、空化、侵蚀、清洗、硅片介绍亚微米颗粒污染是许多微电子行业(例如半导体设备、集成电路、硬盘驱动器等)设备故障和制造工艺良率损失的主要原因。随着关键产品尺寸在日益小型化的市场中缩小,颗粒的最小尺寸可能导致缺陷的因素也在不断减少,从而导致清洁复杂性和成本呈螺旋式上升。实验数据和分析图 1 是优化概念的早期说明。在室温水中测量的声流力(理论值)和空化强度(由 ppb™ 空化探头测量)与超声波频率作图。净力似乎在 100-130 kHz 范围内具有最小值,这与工业经验合理一致。      结论对给定表面的超声波清洗工艺的优化必须基于两个可测量的指标——表面可清洁性和表面可蚀性。前者必须最大化,后者必须最小化。更现实的是,必须确定一个最佳设置,以在两者之间提供最可接受的折衷方案,因为很可能导致高清洁度的基于空化的清洁过程也导...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要处理纳米级颗粒污染仍然是半导体器件制造过程中的主要挑战之一。对于越来越多的关键处理步骤而言尤其如此,在这些步骤中,需要去除颗粒物质的残留物而不会对敏感器件图案造成机械损坏,同时实现尽可能低的基板损失。如果允许更高的基板损失,则可以采用或多或少纯的化学机制(例如,基板蚀刻和剥离导致的颗粒底切)。然而,仅允许在统计上看到亚埃材料损失,需要将物理力与适当的化学支持结合起来。在本文中,我们描述了基于单分散液滴撞击的颗粒清洁技术。介绍硅晶片上残留的微粒污染仍然是先进半导体制造中产量损失的主要原因之一。 因此,随着更小的设备节点不断发展,对控制微粒污染的新技术和工艺的要求变得越来越严格。正如《国际半导体技术路线图》(ITRS 2012 更新版)所述,“致命缺陷”尺寸(临界粒径)随着器件的产生而不断减小,现在临界粒径小于MPU(主处理单元)物理门长度。而且,显然,必须在不对机械敏感的设备结构造成任何结构损坏的情况下实现高颗粒去除效率 (PRE),并且材料损失最小(在亚埃范围内统计可见)。这些良率降低因素的来源可能是作为先前加工步骤或晶片处理的副产品的落下颗粒。颗粒去除基础对颗粒粘附的理解在确定合适的清洁方法中起着关键作用。它会影响清洁液化学成分的选择以及提供物理力以从基材上去除颗粒所需的机制。这种粒子-基材-相互作用的强度取决于材料和发生相互作用的介质的物...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关键词: 超临界 CO2、光刻胶剥离、NEMS、二氧化硅蚀刻介绍随着半导体器件不断缩小并变得更快,将需要新的材料和工艺来实现这一进步。已经提出基于超临界 CO2 (SCCO2) 的技术用于器件制造的各个步骤,例如清洁和沉积。SCCO2 扩散迅速、粘度低、表面张力接近于气体,因此可以轻松渗透到深沟槽和通孔中。它还可以在没有图案塌陷或粘滞的情况下进行清洁。SCCO2 具有液体的溶剂化特性,因此可以溶解醇类和氟化烃等化学物质,形成均质的超临界流体溶液。已经研究了基于 SCCO2 的工艺,因为它具有剥离光刻胶残留物的潜力(由于它与低 k 材料的兼容性)[1] 并且因为它可以恢复低 k 材料的 k 值以进行 Cu/低 k 集成在生产线的后端 (BEOL) [2]。SCCO2 在超低 k 材料加工中的应用是一项很有前景的未来技术。在本文中,我们首先回顾了 SCCO2 在 BEOL 中的各种应用,然后展示了超临界 CO2 在半导体和纳米电子器件制造中针对生产线前端 (FEOL) 的几种应用。SCCO2 在 BEOL 中的应用图 1 显示了典型通孔开孔工艺的横截面示意图。用光刻胶图案化的低 k 膜通过 RIE 蚀刻,然后进行等离子灰化和湿法清洗。等离子灰化和湿法清洁会损坏低 k 膜,并且在低 k 膜的侧壁上形成聚合物残留物。然后通过RIE蚀刻铜布线上的蚀刻停止层...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要CMOS 器件技术中接触孔的高纵横比 (HAR) 对蚀刻后湿法清洗提出了重大挑战。HAR 孔的 IPA 表面张力梯度 (STG) 干燥在蚀刻后 SC1 清洁期间的半间距处理中受到影响,导致聚合物残留。残留物的来源被确定为接触 RIE 过程中氮化物蚀刻产生的聚合物。这些聚合物在干燥过程中与 IPA 的 SC1 反应副产物导致形成 CFx 残留物。干燥参数在确定 SC1 蚀刻后清洁后的缺陷性能方面起着重要作用。实验已经确定,缓慢的晶片提升速度以提供更高的 STG 将有效地去除可能被困在接触孔内的可溶性 SC1 副产物。介绍随着器件特征尺寸的快速缩小,接触孔的纵横比不断增加,不仅在接触干法蚀刻中,而且在随后的湿法清洁中都会带来相当大的挑战。在基于 CFx 的等离子体中进行接触干法蚀刻后,必须通过灰化和湿法清洁去除剩余的碳氟化合物膜、金属(来自硅化物)氧化物和氟化物 (1)。传统的湿法清洁方法包括使用过氧化硫混合物 (SPM) 或硫酸臭氧混合物 (SOM)、过氧化氨混合物 (SC1) 和稀氢氟酸 (HF)。最近,据报道,使用 NF3 的化学干洗可以改善与底层 Ni 硅化物的接触金属化。蚀刻后湿法清洁的目的是有效去除晶片表面和接触孔内部的任何蚀刻后/灰渣残留,以实现低接触电阻。在湿法清洁过程中,化学品需要渗透到接触孔中,以便与任何残留的蚀刻后残留物发生...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料污染控制有机物:清洁有机污染物一直很重要以防止粘附问题和表面问题的掩蔽。然而,直到最近,量化有机污染才变得重要。(表 1 所示的水平是基于推测,并非基于实际数据。)离子和金属:去除这些杂质显然是至关重要的,因为作为导电材料,他们会导致严重的电气问题 如果它们出现在错误的地方,以错误的浓度出现。对于每一代设备,可接受水平的行业要求(表 1)变得更加严格,提高了 10 倍。但是,有迹象表明要求可能不像这里显示的那么严格。表面控制表面粗糙度:虽然只有 清洁工程师最近关注的一个问题是,毫无疑问,在某些情况下,表面粗糙度可能是一个主要问题。然而,关于地点和水平的明确解释仍然存在。需要注意的是,垂直粗糙度并不是唯一需要考虑的重要测量指标。要求现在认识到横向尺寸的伴随测量也很关键。表面终止: 表面终止在各种关键清洁步骤(如外延、栅极和发射极)中的重要性已经促使人们相信氢终止是大多数需要裸硅的工艺步骤之前的清洁的正确最终状态。虽然在某些情况下终止氧化物的步骤是有用的,但这种要求将推动更好地控制氧化物蚀刻和去除的需要。气相清洁的早期成功业界第一个蒸汽清洁系统使用无水 HF 与水蒸汽结合在硅化钨形成之前清洁多晶硅栅极。当使用湿法清洁技术时,这种硅化物工艺容易出现分层和粘附问题。在这种情况下,蒸汽清洁因其技术优势而产生了影响。自从 它在硅化钨清洗、蒸汽清洗方面的成功 ...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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