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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言根据FM(工厂互助)保险公司的研究报告,在过去的二十年里,发生在半导体工厂的大多数事件都被认定为“火灾案例”这些报告声称湿化学清洗工艺中的火灾主要是由加热器故障引起的,然而,根据工艺条件,加热器被设计成当温度超过设定值时自动关闭。因此,有必要对湿化学清洗过程中的火灾模拟进行深入研究。基本上,涉及工业大量损失的事故可能是由化学不相容引起的。本研究的重点是湿化学清洗工艺中清洗材料的不相容行为。它还试图验证半导体工厂制造过程中湿化学清洗过程中的火灾原因。本研究的目的不仅是确定此类过程中的火灾原因,还研究常用化学品(过氧化氢、浓硫酸、浓盐酸和异丙醇)的潜在危害。因此,这将导致建立浓度三角图,该图可用于识别可燃区、爆燃区甚至爆震区。最后,这项研究可以为基础设计数据提供一种更安全的方法,以避免危险混合物造成的潜在危险,这可能导致半导体工厂的巨大财产损失。 介绍由于自20世纪80年代以来,台湾半导体产业在经济重要性方面的出色表现,以及火灾危险或意外化学物质释放数量的增加,不仅台湾需要相关研究,全世界也需要相关研究。该研究集中于半导体制造行业湿法化学清洗过程中火灾事故的主要原因,以便充分制定积极措施 化学品和不兼容性。鉴于该行业的竞争市场,任何异常停工或意外事件都是不可接受的。比如1984年博帕尔事故发生时,联合碳化物公司是世界第七大化工...
发布时间: 2022 - 03 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文通过质量比较测量的方法研究了硅密度标准品的清洁情况,结果表明,即使在干净的实验室空气中,硅球的质量也会随着时间的推移而显著增加;另一方面,在清洗球体后,质量仅在8小时内稳定下来,并且总是在10微克范围内产生相同的质量,在使用液体中的球体后也是如此。此外红外吸收技术被用于识别硅球上的碳氢化合物,并估计层厚,这种方法通过对沉积在硅球上的石蜡层的质量测定是可能的。质量比较采用AT1006的梅特勒平衡,最大容量为1319克,分辨率为1微克,电动称重范围为10克,平衡被安置在一个双壁不锈钢钟中,用恒温水冷却到20°C,钟的底板也可以用同样的水来冷却,闭钟是密封的,对于测量,空气压力总是调整到约1013hPa。图中的装置不仅用于清洗检查,也用于静水密度测定的新方法,在这种方法中,样品的(表观)重量将与不仅在液体中而且在空气中的密度标准的重量进行比较,因此密度标准也被用于样品的质量测定,而不是不锈钢的质量标准,用这种方法,样品和标准品的密度可以与0.05ppm或更小的不确定度进行比较,长时间监测硅密度标准的质量是困难的,因为质量与通常的不锈钢质量标准的比较有很大的不确定性。此外,所有的质量标准也可能发生质量漂移,因此,我们采用以下程序来研究硅密度标准的清洁度。 图 2为了确定大气对球体表面的污染,首先要彻底清洗球体,然后长期暴...
发布时间: 2022 - 03 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了水和溴在砷化镓上的共吸附实验,并将其与H2O-Br2蚀刻剂溶液中砷化镓的重现实验进行了比较,因为这些模型实验肯定与实际的湿式化学处理并不相同,模型实验的结果可用于解释再现实验收集的数据。因此两种实验方法的结合可以更详细地了解半导体的表面蚀刻。在本文中,我们将首先结合这两种实验方法研究溴-h2O溶液中砷化镓蚀刻的结果。实验是在一个自制的电化学室中进行的,由标准玻璃元素在惰性、干燥、无碳n2气氛下建造,该玻璃腔室被直接连接到一个集成的超高真空(UHV)系统上,该装置的示意图如图所示1,XPS测量使用了PHI5700多技术系统,该系统附加到一个分配室,安装在配电室上的还包括LEED系统,我们将在这里介绍用该设备进行的第一次重现实验。 图 1在水吸附过程中Ga(a)和As(b)的三维核水平如图所示2,在120eV的电子束激发和在室温下解吸后,得到了最上面的光谱,测量数据以点表示,底部的光谱是从一个新切割的,干净的表面获得的如图所示,两个三维核心水平的发射可以分为两个分量,分别分配给来自体原子和来自表面原子的发射。对于所有的BE差异,以各物种排放的最大值作为参考点。 图 2随着溴沉积量的增加,AsBr3和GaBr3组分的排放量越来越强,它们的强度随着溴吸附在表面的数量的增加而增加,这表明与砷化镓底物的反应在...
发布时间: 2022 - 03 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文讲述了一种用于半导体晶片电镀的阴极组件,其采用金属结构环上的聚合物涂层,为待电镀的晶片表面的周边提供低轮廓密封。聚合物涂层也是电的使金属绝缘,使其可以与电镀液接触使用,并且仍然是电接触系统的一部分,不需要保护性塑料外壳。由于用于形成密封的涂层可以非常薄,并且可以由相对较强的金属结构支撑,因此导管组件在晶片镀侧表面上方的突出程度可以最小化。同样,这种聚合物涂层金属结构取代了现有技术中使用的塑料支撑和保护外壳,从而可以显著降低组件的整体尺寸。这种紧凑的阴极组件在晶片表面上,使镀电池和振动系统的修改,提供更均匀的铜沉积晶片表面。图1描述了采用聚合物涂覆金属结构的半导体晶片镀层的低轮廓阴极组件的一侧。同心金属结构环的内边缘与晶片的镀侧的周边重叠,其聚合物涂层至少设置在密封的区域内,优选在操作期间接触镀溶液的其他区域。如图1所示密封优选包括同心圆形聚合物涂层金属脊,通过集中施加的力以增加局部密封预设和提供冗余来提高密封对晶片的有效性。对于某些应用,特别是那些涉及低静水压力的应用,这种脊可能不需要在聚合物涂层和晶片之间提供足够的密封。请注意,一个完美的密封是不需要的,因为Damascene过程特别只需要几分钟,并且可以容忍少量的溶液侵入电接触区域。这里使用术语“密封”来表示溶液流动的足够障碍,以使给定的晶片电镀工艺得以实现。 图 1在...
发布时间: 2022 - 03 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言电镀中的铜种子层为电镀电流提供了传导路径。电镀是一种电沉积工艺,通过电流的作用在表面产生致密、均匀和粘附的涂层,通常由金属或合金制成。为了形成电镀铜膜,铜种子层是必要的,因为很难从硅或扩散阻挡材料如钛、钽、氮化钛或氮化钽上的铜水溶液中使铜颗粒成核。湿化学清洗工艺是广泛使用的清洗技术之一,包括溶剂脱脂、碱浸泡清洗和酸清洗。一般来说,已知H2SO4溶液可用于去除氧化铜。在本研究中,通过预处理稀H2SO4溶液以去除在铜种子层上形成的天然铜氧化物来研究铜种子层的变化表面。 实验将铜种子晶片暴露于空气中以生长铜的天然氧化物。为了去除铜种子层上的天然氧化铜,我们采用了碱洗和硫酸酸洗的方法。在用TS-40A溶液预处理浸渍H2SO4的情况下,首先,通过将晶片浸泡在溶液中60 s来进行用于去除膜表面有机物的碱性清洗,然后在搅拌下将晶片浸渍在去离子(DI)水中20 s。锌酸清洗过程中,将经TS-40A碱性溶液预处理60 s的薄膜浸泡在稀H2SO4溶液(H2SO4与去离子水的体积比为1:20)中不同清洗(浸泡)时间。此外,所有晶片在搅拌下用去离子水冲洗三次,持续20秒,并在连续N2流中干燥。根据在稀H2SO4溶液中浸泡的时间,使用表面分析工具如扫描电子显微镜和X射线光电子能谱测量铜种子层的变化表面。使用的X射线源是单色化的铝。铜膜的结合能在932.6电子...
发布时间: 2022 - 03 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本文中讲了HARSE的工艺条件,其产生超过3 微米/分钟的蚀刻速率和良好控制的、高度各向异性的蚀刻轮廓,还将展示先进封装技术的潜在应用示例。在用作阳极硅衬底的 “光学工作台”示意图中显示,混合技术集成和封装使用第二光刻步骤,可以在硅中蚀刻出相对于激光器的精确深度和位置的沟槽,以便被动对准光纤,此外可以蚀刻晶片通孔,用作正面控制和/或驱动电路的光学或电学互连。 图2图2展示了其中的几个概念,其中一张扫描电镜照片显示了同时蚀刻到约250 微米深度的硅特征,在图2a中,中心正方形或器件定位器”可用于精确定位混合结构,而沟槽特征可用于电互连或延伸到光纤的晶片边缘,在图2b和2c中,高倍扫描电镜显微照片显示了侧壁和场的高各向异性和平滑蚀刻形态。 图3为了实现被动自对准、蚀刻研究了作为室压、阴极射频功率和ICP源功率的函数的参数,在图3中,当阴极射频功率、等离子体源功率和气体流量保持不变时,硅蚀刻速率和硅对光刻胶的蚀刻选择性显示为压力的函数,通常导致离子能量和等离子体密度的变化,这强烈影响蚀刻性能,随着压力增加,表明在较低压力下反应物受限,这种相对于抗蚀剂的高蚀刻选择性使得能够以高纵横比进行深硅蚀刻(通常 600 微米)。蚀刻特性通常表现出对离子能量和等离子体的强烈依赖密度,离子能量影响蚀刻的物理成分,而等离子体密度可以影响工艺的物理和...
发布时间: 2022 - 03 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关内资料本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此,详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻;我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。还研究了沟道底部的沟槽和斜面(长方体),搅动无助于长方体的去除或晶面刻蚀速率的提高。最后,研究了有无紫外光照射下,紫外光对三甲基氯化铵中m和a-GaN晶面刻蚀速率的影响。因此,发现用紫外光将m-GaN平面蚀刻速率从0.69纳米/分钟提高到1.09纳米/分钟;在a-GaN平面蚀刻的情况下,紫外光将蚀刻速率从2.94纳米/分钟提高到4.69纳米/分钟。 图1湿蚀刻法被用来揭示通道侧壁上的晶体平面,制造过程如图1所示,本实验采用金属有机化学蒸汽沉积法(MOCVD)在蓝宝石基质上生长的7微米厚的氮化镓外层晶片,这个正方形样品的大小是1厘米×1厘米。为此制作了180个15×2µm2尺寸的手指(图2)。 图2制造过程首先是在晶片上沉积一个1µm厚的二氧化硅(PECVD)层,作为一个掩模,然后用PMMA9%抗蚀剂进行电子束光刻技术,二氧化硅使用CF4/He混合气体的干蚀刻进行蚀刻,将图案从抗蚀剂转移到二氧化硅掩模,最后,使用TMAH溶液进行氮化镓湿式蚀刻。通过电子束蒸发沉积的厚度分...
发布时间: 2022 - 03 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文提出了一种新的硅块微加工装置,它利用聚合物保护涂层ProTEKRB2涂层代替传统的硬掩模,考虑了不同浓度的氢氧化钾和浴条件,ProTEKRB2涂层与硅衬底具有良好的粘附性,没有降解、蚀刻率和表面粗糙度,蚀刻时间大于180min且不破坏前侧微结构,微悬臂梁也使用两种不同的工艺流程制造,以证明这种保护涂层在微机电系统(MEMS)工艺中的适用性。实验在不同的氢氧化钾浴条件下进行,样品与水平位置相比,将样品保持在垂直位置,以便更好地从蚀刻表面排出氢气泡,并更好地对样品进行视觉控制,氢氧化钾蚀刻装置如图1。 图1在沉积ProTEKRB2涂层之前,必须将一种特定的引物自旋应用于Si表面,以提高薄膜的粘附性,然后需要在热盘上以130°C-150°C进行软烤,保护涂层可以以1000rpm的速度旋转涂在样品上90秒,然后分三个步骤进行硬烘烤:150°C 2min,170°C 2min,225°C 1min。这些步骤需要达到聚合物的最佳稳定性和粘附性,从而避免在氢氧化钾蚀刻过程中出现不必要的剥离,在这些条件下,涂层的平均厚度为12微米。湿蚀刻后,样品清洗如下:首先应用特定的去除液约20-40min,使保护层溶解,然后为了完全去除,必须分别在3:1的硫酸和过氧化氢溶液中进行额外的“食人鱼”蚀刻,持续...
发布时间: 2022 - 03 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文展示了一种低成本的基于化学镍/金碰撞下金属化(UBM)的晶圆级碰撞工艺,用于所有翻转芯片互连技术,如板上的翻转芯片或封装的翻转芯片,这在今天的工业中使用。在下一个千年的晶圆制造中实施的化学镍碰撞的兼容性表明,这是一项关键技术,不仅是今天使用的晶圆技术,特别是下一代的晶圆技术,包括300毫米晶圆和铜垫。 图1图1显示了一批并行处理的晶片。12英寸晶圆的化学碰撞可以节省特定的成本,特别是由于标准工艺的12英寸设备需要照片成像,这需要昂贵的步进和12英寸的溅射和电镀设备。与此相反,低成本的化学过程镍/金碰撞需要特殊的晶圆碰撞罐,是一种特殊的成本节约,因为与标准的电镀工艺相比,投资成本降低了5-10倍,在FC组件中,Ni/Au凸起实现了以下功能,它们保护铝,作为一个附着力层和扩散屏障,保证与铝绑垫稳定可靠的接触,除此之外,这主要是一个UBM的功能。图2显示了作为各向异性传导连接剂的化学镍/金(ACF)翻转芯片组装的基础,用于聚合物翻转芯片组装(导电粘合剂),以及使用不同焊料合金的焊接和直接芯片连接类型的应用,化学镍/金碰撞是一种湿化学和无掩蔽的过程。随着制造工艺的发展,所有类型的晶圆都可以与优质的标准工艺相结合,在一种特殊设计的碰撞线晶片中,可以镀上直径从4英寸(100毫米)到12英寸(300毫米)的材料。 图2为了满足晶圆碰撞的...
发布时间: 2022 - 03 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料我们研究了在碳化硅衬底上生长的外延氮化镓层的选择性湿式化学蚀刻,结果表明,由于这些蚀刻剂中氮化镓溶解的一些特征,根据蚀刻坑的数量来测定位错密度可能是错误的,在热正磷酸中引入al3+或fe3+离子可以优化蚀刻工艺,结果消除了蚀坑的合并,并减少了连接到生长表面缺陷的蚀坑数量,而不是氮化镓的缺陷。 图1图1显示了在热纯磷酸中蚀刻3分钟的外延氮化镓层上拍摄的扫描电镜显微照片(在熔融氢氧化钾中蚀刻得到了类似的结果),可以看出,蚀刻导致氮化镓样品表面形成六边形的蚀刻坑,然而这些坑没有光滑的墙壁,相反墙壁有由平行于基平面组成的平面组成的梯田,这些梯田沿着地表扩展,超出了坑的边界,导致了坑的合并。通常,选蚀的最佳条件包括保持两个溶解速率之间的比例∂n∂t,在熔融氢氧化钾和纯热磷酸中氮化镓蚀刻过程中,∂∂条件并不持续,这似乎是这些蚀刻剂的主要缺点,因此我们可以得出这样的结论:当使用氢氧化钾和热磷酸暴露位错氮化镓增长6H-SiC,合并的影响会导致一个错误估计位错密度时,因为可见的蚀刻坑的数量可能不对应实际的缺陷的数量。结果表明,通过在蚀刻剂中加入额外的药剂,即Me离子,可以优化选择性蚀刻的过程,氯化铝(氯化铁)的饱和水溶液中的离子引入到蚀刻剂中,当使用磷酸和氯化铝或氯化铁水溶液,体积比为5:1时,效果最好,结果我们得到了壁光滑的清晰蚀刻坑。我们还发现,这种...
发布时间: 2022 - 03 - 08
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