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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着半导体工业的发展,多层处理变得越来越复杂,清洗溶液和蚀刻化学物质在提高收率和减少缺陷方面的作用变得越来越重要。本文证明了具有铜和钨相容性的成功配方,并具有层间介电(ILD)清洗和选择性钛刻蚀的性能。本文研究了电化学沉积的铜薄膜在含氢氟酸(HF)的脱脂清洗溶液中的腐蚀行为。清洁溶液中过氧化氢的存在导致了对铜溶解速率的抑制超过一个数量级。我们将这种现象归因于在DHF中溶解速度较慢的界面氧化铜的形成。本文提出了一种涉及氧阴极还原和Cu0和Cu+1阳极氧化的动力学方案。我们利用铜腐蚀研究的经验,开发了一种湿蚀刻/清洁配方。钛硬掩模的引入用于铜互连的双屏蔽图案,这在选择性湿蚀刻化学中创造了一个独特的应用。 含有机HF清洗液中铜薄膜的腐蚀行为在当今先进的互连系统中,铜是超大规模集成(ULSI)金属化的选择。铜线现在用于所有互连层,高达12个金属化水平。互连是由金属线制成的电气路径或载流子,由绝缘层间介质材料分隔。用铜取代铝合金要求集成、金属化和图案化工艺技术发生显著变化。例如,在半导体器件中铜的引入已经引起了人们对薄膜腐蚀现象的关注,以避免最佳的器件性能、可靠性和寿命。一个简单的两层DD互连系统如图3.1所示。在这样的系统中,允许晶体管相互通信以及与外部世界通信的电信号通过任何给定的金属化水平内的金属线传输,并通过充满铜的通道从一个金属化水...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度,研究了HF/HNO3/甲基羧基混合溶液中蚀刻时间对硅片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟,高频蚀刻剂浓度在(20-24)wt%的范围内,结果表明,随着刻蚀时间的延长,减重和刻蚀深度的变化单调增加。蚀刻速率然后通过减重和深度随时间的变化来确定蚀刻速率,硅晶片的蚀刻速率随时间降低,而高高频浓度的蚀刻速率增大,通过光学显微镜下观察到,蚀刻后对硅片表面进行光滑抛光。本研究采用不同浓度的高频和硝酸蚀刻混合物,加入乙酸,研究了对硅片的化学蚀刻效应。蚀刻剂混合物的浓度为(20%HF/65%硝酸、22%HF/65%硝酸、24%HF/65%硝酸),比例为1:1,浓度在(20-24)%范围内,分别采用分析半微平衡、数字微米、光学显微镜和x射线衍射仪(XRD)测定了硅片的总厚度减少和减重、蚀刻率、表面形貌和晶体结构。主要目的是研究高频的时间蚀刻浓度对总厚度耗散和减重量、蚀刻速率的影响,并研究蚀刻硅片的表面形貌和结晶度。 图1使用的材料为HF、硝酸、醋酸和硅片,首先,将硅片浸入蚀刻剂混合物中,时间间隔为5分钟至30分钟,这取决于蚀刻剂的浓度,然后用蒸馏水清洗晶片,用空气干燥后再进行表征,采用了三种不同的HF蚀刻剂浓度,分别为20%、22%和24%,而其蚀刻剂浓度保持在65%。硅片被蚀刻至30分钟,时间间隔...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅,研究发现,在400~2200nm的波长内,光的吸收显著增强,其中飞秒激光用六氟化硫蚀刻的黑硅在近红外波段的吸收值最高。但这大大缩短了晶体硅的少数载流子寿命,通过沉积二氧化硅薄膜使黑硅表面钝化,可以有效地调节和控制。最后,以黑硅为基础制造了一种PIN光探测器,与无蚀刻工艺的PIN硅光探测器相比,在1060nm处获得了更高的责任,为0.57A/W。任何能够减少反射和增强硅从紫外线到近红外波长的吸收的发展,都将有助于使硅基宽带探测器成为现实,纳米结构和微结构的c-Si(在晶圆表面有锥、线或孔)作为高效和低成本材料的可能结构受到越来越多的关注,因为它们表现出非常低的反射,特别是在可见区域。飞秒激光蚀刻(FLE)、深反应离子蚀刻(DRIE)和金属催化化学蚀刻(MCE)等方法可以制备这些结构,可以有效地提高c-Si的光吸收。本文采用FLE、DRIE和MCE三种制备BS的方法,同时直接在c-Si基底上获得了几种抗反射/捕光结构,同时,对三种不同的BS材料的形貌、光吸收、少数载流子寿命进行了比较。最后,基于BS制造了一种PIN光电探测器,并将其责任与无蚀刻工艺的PIN硅光电探测器进行了比较。图1为在六氟化硫和空气大气中被FLE蚀刻的BS的典型形态。从图中可以看出,在相同的激光参数下,两种大气...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(MACE)工艺制备的黑硅(b-Si)的表面形态学和光学性能,研究了银膜低温退火和碳硅片蚀刻时间短的两步MACE法制备硼硅吸收材料。该过程包括银薄膜沉积产生的镓氮气,然后进行低温退火。采用不同的蚀刻剂浓度,在HF:h2o2:DI水溶液中进行蚀刻70s,以体积比的形式表示。然后分析了蚀刻剂浓度对b-Si表面形态和光学性质的影响。计算了最大电位短路电流密度(Jsc(max)),以相对估算在300-1100nm光谱区域内b-Si的光耦合性能。一旦在优化的b-si吸收材料上制备了太阳能电池,计算出的电位Jsc(max)可以用来预测最大可实现的光电流。本实验采用电阻率为1-10Ω的p型单碳化硅晶片(250μm厚度)作为衬底,使用RCA技术预先清洗晶片,以去除污染,为了制备b-Si,采用射频溅射法,用15nm的银薄膜沉积c-Si晶片,为了生产银NPs,晶片在N2大气(流速为2L/min)下以230⁰C退火40min,然后将晶片蚀刻在含高频(50%):过氧化氢(30%):DI水的水溶液中。该溶液的体积比为X:Y:Z,分别对应于HF、过氧化氢和DI水的体积,本实验中使用的体积比分别为1:5:5、1:5:10和1:5:20,蚀刻工作在室温下进行,蚀刻时间为70s。FESEM用于研究和表征b-硅纳米孔的顶视图和横截面。利用FESEM图...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物,选择性非常高,因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于100:1。液体化学必须满足以下要求:掩模层不能攻击选择性必须高蚀刻过程必须能够停止稀释水反应产物必须是气态,因为他们可以阴影其他区域恒定蚀刻率整个过程反应产物必须溶解,以避免颗粒环境安全和易于处置是必要的。在批量蚀刻中,多个晶片可以同时蚀刻,过滤器和循环泵可以防止颗粒到达晶片,由于化学湿蚀刻的浓度随着每个加工晶圆而降低,因此必须经常更新。蚀刻率,换句话说每次磨损,必须知道以确保一个可重复的过程,精确的回火是必要的,因为蚀刻速率随着温度的增加而增加。杠杆可以将晶圆的水平和叶片方向,在晶片被蚀刻后,蚀刻过程通过在单独的浴缸中用水吹蚀而停止,随后,在自旋干燥器中去除水分,批蚀刻的优点是通量高,蚀刻工具构造简单,但均匀性较低。 图1.1批处理华林科纳认为喷雾蚀刻技术可与光刻技术的发展相媲美,晶片同时旋转,蚀刻化学,均匀性很好,由于旋转速度快,气泡不能出现,但每个晶片都必须单独处理,作为单晶片工艺的替代品,喷雾蚀刻可以一次在多个晶片上进行,在一个旋转蚀刻器中,晶片被放置在喷嘴周围,并集中旋转,然后,这些晶片在热的氮气气氛中干燥。虽然液体中的分子可以向各个方向移动,但湿蚀刻过程可以形成一个几乎各向异...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料为了提高硅电池的效率,用氢氧化钾和氢氧化钠蚀刻溶液进行纹理化,以降低电池表面的反射率,表面上具有各向同性的一般小圆提高了效率,但反射率提高。在低粗糙度的表面上提高了生产效率。本研究对单晶硅晶片进行了表面组织化,分别为碱性溶液和酸性溶液,反应后硅烷;研究了孔晶片表面的变化。 图1图1显示出了Si硅晶片和由碱性溶液和酸性溶液进行表面组织的样品的反射率,在KOH蚀刻溶液中进行表面组织的薄膜中反射率更低。表1给出了利用单晶硅晶片分别用2个KOH和NaOH蚀刻溶液进行表面组织化的结果,在用KOH蚀刻溶液进行表面组织的样品中,效率较低。 图1中的反射率在由KOH蚀刻溶液进行表面组织的样品中表现得更低,虽然KOH蚀刻溶液中的反射率较低,但效率却很低,这表明除了高效能太阳能电池的反射率较低以外,还有必要找出提高效率的另一个原因。  表1 硅太阳能电池的电性能图2为用KOH蚀刻溶液进行表面组织的样品表面放大3000倍的SEM照片,由于蚀刻速度随硅晶片结晶方向的不同而变化,表面形成了各向异性的三角形金字塔形状。 用NaOH蚀刻溶液进行表面组织的样品表面放大50000倍的SEM照片,表面整体上出现了细小的各向同性的圆形,比较直化结束的样品的平坦度,可以看出KOH蚀刻与图2比较时差异较大,可以确定,发生各向同性蚀刻的NaOH溶液所得样品的平坦度要好得...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后,重复测量,然后确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率,通过显示经反应离子蚀刻处理的p-Si(100)样品的成分谱结果,以及被1keVAr+轰击的n-Si(100)样品的表面电位谱数据,证明了该技术的适用性。我们提出了一种新的硅切片方法,可以用来测量硅纳米地下区域的组成、结构和电学性能,该方法使用紫外(UV)臭氧氧化结合氢氟(HF)酸蚀刻,在每一步去除0.5nm的硅层,通过在每个去除步骤中插入RBS和XPS,得到深度分析,给出了该技术应用的两个例子,一个应用于反应离子蚀刻(RIE)后的p型Si(100)表面,另一个应用于1keVAr+离子轰击后的n-Si(100)表面。 氧化物厚度,SiO-Si界面突然的3HF蚀刻对去除氧化物有效,但对硅无效,紫外线照射不会在材料中引入任何结构缺陷,可以在不影响原始结构的情况下测量这些尺度内的结构性能。这种方法的一个优点是,在高频去除氧化层后,半导体表面被氢终止,氢抑制了在随后的空气暴露中的进一步氧化,虽然使用高频去除氧化层可能会引入氢相关缺陷,但这种缺陷预计不会改变近表面损伤结构,因为它们可以在中等温度下退火,事实上,高频钝化已经证明了在n-和p-Si上的平坦...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本研究中,研究表明,通过一个高度控制的过程,可以对阳极氧化铝膜阻挡层进行化学蚀刻,从而实现对孔隙开口的纳米级控制。这些在形貌和相图像中观察到的纳米结构可以理解为草酸阴离子污染的氧化铝与纯氧化铝的差异,这一信息对催化、模板合成和化学传感应用具有重要意义。从孔开蚀刻研究可知,阻挡层刻蚀速率(1.3nm/min)高于内细胞壁(0.93nm/min),均高于纯氧化铝层蚀刻速率(0.5~0.17nm/min),通过建立的蚀刻速率和蚀刻温度,可以系统地控制孔径从10~95nm。如前所述,通过两步阳极化工艺制备了具有六边形有序纳米孔阵列的阳极氧化铝(AAO)膜,铝片在丙酮中脱脂,然后在氩气气氛下500°C气气氛下退火4小时,然后铝片在200mA/cm2的电流密度的高氯酸和乙醇溶液中进行电抛光10min,或直到达到镜状表面光滑。第一个阳极化步骤是在0.3M草酸溶液中,在3°C中进行24小时,然后,在含有6wt%磷酸和1.8wt%铬酸的溶液中,在60°C下蚀刻样品12小时,将70µm厚的多孔氧化铝层从铝衬底中剥离。 图1AAO纳米孔的模型如图1所示,C为细胞壁厚度较厚的细胞尺寸(孔间距离),P为孔径,A为阳极氧化过程中向底部不断移动的曲率中心,纳米孔生长过程中的活性层是厚度为(d),阻挡层有两个活动界面与屏障层相...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了氢氧化钾(氢氧化钾)蚀刻过程对原子力显微镜制备的p型绝缘子上硅纳米结构的影响。采用电化学过程,如局部阳极氧化和两个湿化学蚀刻步骤,氢氧化钾去除硅和氢氟蚀刻,制备硅纳米结构。研究了纯氢氧化钾浓度(10%~30%wt)对表面质量的影响。并考虑了蚀刻浸入时间对纳米结构和SOI表面蚀刻的影响。研究了不同氢氧化钾浓度与10%IPA随反应温度混合对蚀刻速率的影响,最常见的各向异性蚀刻剂是氢氧化钾(氢氧化钾),与其他各向异性蚀刻剂(如乙二胺、吡咯二酚)相比,更推荐用于硅蚀刻。在AFM-LAO方法中,一种氧化物图案被转移到顶部的硅层上,作为硅的选择性蚀刻的掩模。液体蚀刻(氢氧化钾)攻击未覆盖的顶部硅层,并且可以通过选择性的化学蚀刻和去除不需要的硅区域来提取所需的结构。研究了对蚀刻速率和表面粗糙度的蚀刻时间,并与以往的工作进行了比较。在此问题上,我们考虑了原子力显微镜诱导的氧化物在蚀刻纳米结构上的比性质。这可以作为未来AFM纳米光刻、氢氧化钾蚀刻等实验工作的指导,并完成之前的实验工作。 图1该图像蚀刻了氢氧化钾为了研究氢氧化钾对晶片表面的影响,我们使用不同浓度的p型(100)Si样品。图1显示了在63-65oC(优化制造温度)的温度范围下,不同氢氧化钾比例的溶液(10-30%wt)蚀刻硅晶片的AFM显微图像。可以看出,表面粗糙度随着氢氧化钾的百...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后,“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂,以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。在制造半导体设备方面, 一种方法,用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质; 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液,以保持溶液中结合的金属络合物,以防止金属在上述硅晶片表面上的保留; 在提供的(NH4OH+H2O2+H2O)化学品溶液中加入预定数量的络合物形成剂的步骤,用于上述“RCA-清洗”的“SC1”清洗步骤; 将上述改性的“SC 1”清洗溶液保留在储罐工具中的步骤; 以及在所述改进的“RCA-清洗”的“SC1”步骤期间的预定时间内在所述改性的“SC1”清洗溶液中浸渍所述硅晶片的改进方法。 一种方法,用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质; 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液,以保持溶液中结合的金属络合物,以防止金属在上述硅晶片表面上的保留。 图1 为一般被通知为“RCA-清洗”的半导体制造清洗顺序的流程图。 图2为对第一图中的“RCA-清洗”加以改进的、本发明的一个球体例子的半导体制造清洗顺序的流程图
发布时间: 2021 - 12 - 16
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