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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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光刻是制造半导体器件和集成电路微图形结构的关键工艺,其工艺质量直接影响着器件成品率、可靠性、器件性能以及使用寿命等参数指标。光罩是光刻工艺中的一个重要环节,光刻版必须非常洁净,所有硅片上的电路元件都来自版图。如果光刻版不洁净,存在污染颗粒,这些颗粒就会被复制到硅片表面的光刻胶上,造成器件性能的下降。然而,光刻版在使用过程中不可避免的会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。中国电子科技集团公司第四十五研究所是国内从事电子专用设备技术、整机系统和应用工艺研究开发与生产制造的专业化科研生产单位。本文对四十五所研制的全自动光刻版清洗机进行了介绍,主要包括清洗的工艺原理和清洗的工作过程。1工艺原理1.1清洗药液1.1.1丙酮溶液对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同时,可以采用超声,提高浸泡效果。对于比较干净的光刻版,浸泡基本就能将有机污染物去除干净。对于光刻胶较多的光刻版,浸泡只能将光刻胶泡软,还需要用无尘布或无尘棉,蘸取丙酮轻轻擦洗,或在光刻版清洗设备中采用毛刷刷洗,通过外力将顽固的光刻胶去除掉。1.1.2浓硫酸+双氧水浓硫酸加双氧水的混合物,对于所有的有机材料都是有效的。...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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目录设备规范1.设备概述2.清洗槽构成3.设备构成4.设备动力条件5.附加材料6.其它承诺7.工艺及安全8.设备可靠性保障措施9.设备出厂须经客户检验合格10.安装说明11.设备主要配置清单12.类似设备照片1.概述1.1设备概要设备类型:手动清洗槽:清洗槽两个(水洗与酸洗共用)+配酸槽一个1.2设备特点:·清洗能力强,性能稳定,安全可靠;·设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;·技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;·清洗形式:①酸洗时:浸泡+工件自旋转②水洗时:浸泡+溢流+工件自旋转。·上下料由人工完成·清洗能力:炉管:2个/次;晶舟:1个/次1.3本体:面向设备,靠近操作侧外侧为炉管清洗槽,内侧为配酸槽,左侧为晶舟清洗槽。本体尺寸约为:3400X1800X2100mm长x宽x高),如附图所示药液、废水分别独立排放本体为碳钢骨架外包耐腐蚀 PP材料(德国进口聚丙烯)焊接而成,耐强酸碱本体操作侧有透明 PVC门,形式为上下升降式本体设有手动调节风门,手动调节可锁定本体内操作侧附近设有水枪与氮气枪各2套本体台面高度约950mm本体配备防酸日光灯,万向脚轮与调整地脚2. 清洗槽构成  注:当清洗槽注满水时,整个炉管被水完全浸没。2.1清洗槽(1#):·内槽尺寸:2300*700...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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镀膜后清洗机一、入料→切液1→溶剂滚刷洗→切液2→DI水喷淋洗→DI水超声波清洗→DI水滚刷洗→切液3→BJ清洗→DI水喷淋洗→DI水冲洗→风刀干燥→下片含除静电装置循环使用并溢流水方向:DI水冲洗(可控制入水量1015L/Min范围)→DI水喷淋洗B(水箱)→BJ清洗(水箱)→DI水滚刷洗(水箱)→DI水喷淋洗A(水箱)→排水管二、清洗工件规格及描述基板尺寸:250mm×250mm(最小);650mm×650mm(最大)基板厚度:0.41.1mmITO玻璃特征:玻璃表面已双面镀了ITO,经本设备清洗后到需方的设备进行喷油(墨)等表面处理.三、设备的能力输送高度930±30mm百级间高度工作宽度700mm(有效最大:650mm)传动方式伞齿轮传动(外传动)输送速度1~3m/min(变频无级可调)(客户正常使用:2.5~3m/min)输送方向左进右出设备尺寸9615(长)1580(宽)1300(高)(mm)(不含电控柜,风柜)四、耗用资源总耗电量182KW总耗气量20003000NL/Min由客户提供0.4MPa以上的洁净压缩空气纯水耗量1015L/Min由客户提供15兆以上纯水总抽气量80M3/Min压力≥750Pa由客户提供抽风系统五、其它选项(一)用电安全1.设备采用三相380V,50HZ,并且...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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目   录 一、 FSI清洗机介绍: 二、 FSI组成及结构功能: 三、 软件操作介绍: 四、 程序以及输出功能: 五、 流量控制: 六、 Chemical Auto fill功能介绍: 七、 常见故障以及维修方法:一、 FSI清洗机介绍 FSI用途:FSI用于圆片的表面清洗系统,可以去除颗粒、金属离     子以及剥离部分氧化膜;  FSI设备全称: MERCURY MP Surface Condition Division System, FSI公司早期的Spray System Product; FSI工作原理:在密封的Chamber中,圆片对称放在Turntable 上,在Turntable的旋转的同时利用N2把Chemical形成高雾化或者低雾化喷洒在圆片表面,有两个喷嘴:Spray post 和 Side-bowl spray post,...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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窄带滤光片是用于密集波分复用光纤通信系统,是其关键器件之一,它通常是全介质滤光片,也就是间隔层与反射层都是由镀制介质薄膜形成,其特点是镀制难度高,成品率低,成本高等。窄带滤光片的原理  1、光波中的电磁波理论  从理论上讲,窄带滤光片的光学特性研究,就是电磁波通过多层介质薄膜间传播的研究。因此,麦克斯韦方程组是处理光学薄膜系统问题的Z基本的方法。  2、在介质界面上光波的反射与折射  有若干介质界面存在于光学膜系中,各介质界面上的反射和折射规律关系到膜系的光学性质与光波。须考虑光波从复折射率的介质入射到该介质时,与另一介质的复折射率界面的反射和折射过程。  3、光学薄膜的特征矩阵  对于无吸收的介质光学薄膜,其特征矩阵的显著特点从三方面考虑:行列式值为1,即单位模矩阵;对角元素或者是实数,或者是纯虚数;Z重要的是主对角线上的元素相等。在有效的光学厚度为四分之一波长的整数倍时,特征矩阵变得非常简单。窄带滤光片的发展现状  为了适应我国光通信业高速发展的实际需求,通过对窄带滤光片的优化结构、设计、分析和修正技术进行深入研究,在滤光片的主膜系镀制工艺技术方面有所突破;实现了改造进口设备性能,完成了镀膜材料的部分国产化;了解了高致密性、低损耗膜层的制备技术,还有高精度实时监控技术;生成提高了镀制后的减薄、抛光和划片工艺;建立完善了检测系统。  同时还形成了一套较为完整的光通信,用于窄带滤光...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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窄带滤光片是用于密集波分复用光纤通信系统,是其关键器件之一,它通常是全介质滤光片,也就是间隔层与反射层都是由镀制介质薄膜形成,其特点是镀制难度高,成品率低,成本高等。所以首先由电磁场传播的麦克斯韦方程出发,理论分析了薄膜的光学特性系统。然后考虑了间隔层厚度、反射层的反射率对滤光片光谱特性的影响。结合给定的技术指标,按照法布里-珀罗多层介质薄膜滤波器的原理,设计出一种可用于光通信密集波分复用系统的窄带滤光片,并利用离子束溅射镀膜机在玻璃基片上完成滤光片的镀制,并且所镀制出的滤光片符合设计指标的要求。一、窄带滤光片的研究现状为了适应我国光通信业高速发展的实际需求,通过对窄带干涉滤光片的优化结构、设计、分析和修正技术进行深入研究,在滤光片的主膜系镀制工艺技术方面有所突破;实现了改造进口设备性能,完成了镀膜材料的部分国产化;了解了高致密性、低损耗膜层的制备技术,还有高精度实时监控技术;生成提高了镀制后的减薄、抛光和划片工艺;建立完善了检测系统。同时还形成了一套较为完整的光通信,用于窄带干涉滤光片产业化生产技术。并实现了100GHz和200GHz产品批量化生产,经检测产品质量稳定,通过国内外用户试用,窄带干涉滤光片产品的总体性能及生产技术均已达到国际先进水平。二、窄带滤光片在WDM系统中的应用作为波分复用系统的核心器件,复用/解复用器是将不同波长的光信号汇集到一根光纤输出的器件,称为复用器,...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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背景技术随着经济的发展,电力负荷不断增长,对电网的输送能力提出了更高的要求。尤其是对电力系统潮流控制、电压控制及短路电流控制的需求越来越多,因此柔性交流输电(Flexible AC Transmission Systems,FACTS)装置在电力系统中的应用越来越多。FACTS根据与电网连接的方式可以分为串联装置、并联装置及串并联装置。目前应用的串联型柔性交流输电装置包括:串联补偿装置和串联谐振型故障电流限制装置,其示意图如图1所示。图中,31为输电线路一侧的母线;36为输电线路另一侧的母线,32为输电线路一侧的线路开关;35为输电线路另一侧的线路开关,33为输电线路,34为所安装的串联型装置。由于装置串联在线路中,故其对地的绝缘要求与线路对地的绝缘要求一致,为降低工程造价,将串联装置安装在钢结构的绝缘平台上,绝缘平台再由支柱绝缘子、斜拉绝缘子固定。故串联装置与地面便不存在电气联系,绝缘要求由支柱绝缘子和斜拉绝缘子来满足,而装置仅需考虑对绝缘平台的绝缘要求,大大降低了串联装置本身的绝缘水平。考虑到串联型柔性交流输电装置串联在线路中,为确保主设备正常运行,需要配置过电压保护设备,针对这些一次主设备还需配置相应的二次保护,进而需要采集绝缘平台上对应的电气量,并将这些电气量传递给地面的保护装置,作为保护装置进行逻辑判断的依据。对于串联补偿装置,其配套的二次保...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vi...
发布时间: 2021 - 03 - 15
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1.1宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外,其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍,因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC,它的热导率和击穿电场都不高,因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始,化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。1.2主要的宽禁带半导体材料近年来,发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些,碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示:如上图所示,SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs,相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓,宽禁带半导体的最高工作温度要...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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当我们谈论芯片产业时,首先想到的就是光刻、刻蚀、沉积、离子注入、化学机械抛光(CMP)等工艺,在过去的一段时间内,《每日财报》基本对这些环节实现了覆盖。今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质,是芯片制造中步骤最多的工艺,几乎贯穿整个作业流程。由于硅片的加工过程对洁净度要求非常高,所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,因此几乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看来,芯片生产中所用的清洗设备似乎并没有什么技术门槛,也就没有那么大的价值,但事实却并非如此,芯片制造是一个极其复杂和精致的产业,任何一环出现问题都会前功尽弃。在半导体设备市场中,晶圆制造设备采购大约占整体的80%,测试设备大约占9%,封装设备大约占7%,其他设备大约占4%,同时清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为6%,因此可以推算出清洗设备约占半导体设备投资的4.8%。1、芯片良率的“保镖”芯片制造需要在无尘室中进行,如果在制造过程中,有沾污现象,将影响芯片上器件的正常功能。据估计,80%的芯片电学失效都是由沾污带来的缺陷引起的。沾污杂质是指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质,具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等。一般来说,工艺越精细对于控污的要求越高,而且难度越大,随着半导体芯片...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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