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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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晶体结构晶体结构是指晶体的周期性结构。固体材料可以分为晶体、准晶体和非晶体三大类,其中,晶体内部原子的排列具有周期性,外部具有规则外形,比如钻石。Hauy最早提出晶体的规则外型是因为晶体内部原子分子呈规则排列,比如钻石所具有的完美外形和优良光学性质就可以归结为其内部原子的规则排列。20世纪初期,劳厄发明X射线衍射法,从此人们可以使用X射线来研究晶体内部的原子排列,其研究结果进而证实了Hauy的判断。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格,不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系,各种晶系分别与十四种空间格(称作布拉维晶格)相对应,在宏观上又可以归结为三十二种空间点群,在微观上可进一步细分为230个空间群。对于晶体结构的研究是研究固体材料的宏观性质及各种微观过程的基础。专门研究分子结晶结构的科学称为晶体学,经常应用在化学、生物化学与分子生物学。
发布时间: 2019 - 01 - 21
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柴可拉斯基法柴可拉斯基法(简称柴氏法 英语:Czochralski process),又称直拉法,是一种用来获取半导体(如硅、锗和砷化镓等)、金属(如钯、铂、银、金等)、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基,他在1916年研究金属的结晶速率时,发明了这种方法。后来,演变为钢铁工厂的标准制程之一。直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体,例如砷化镓,也可以利用直拉法进行生长,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以获得更低的晶体缺陷密度。硅的直拉法生长高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚(通常是由石英制成)中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中,这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种(或称“籽晶”)置于一根精确定向的棒的末端,并使末端浸入熔融状态的硅。然后,将棒缓慢地向上提拉,同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制,那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响,可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体(例如氩)氛围中进行,并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
发布时间: 2019 - 01 - 15
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单晶单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的,或者可以说,在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。与单晶相对的,是众多晶粒(Crystallite)组成的多晶(Polycrystal)。单晶材料是一种应用日益广泛的新材料,由单独的一个晶体组成,其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊,一般采用提拉法制备。单晶根据晶体生长法制作分为:1、借由柴克劳司基法(Czochralski):将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。2、浮区法(Floating zone):可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。
发布时间: 2019 - 01 - 15
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晶种晶种是一小块单晶或多晶(通常是单晶),像种子般用来成长与自身相同材料、相同晶体结构的大晶体。无论把晶种浸入过饱和溶液,或使晶种与熔融材料接触并冷却,或者让材料蒸气在晶种表面沉积,皆能成长出大晶体。晶种效果背后的理论,从化合物与过饱和溶液(或与蒸气)的分子间物理交互作用衍生而来。在溶液中,自由的可溶分子(溶质)在随机流动中自由移动。此随机流动允许两个或更多的化合物分子有机会交互作用。这种交互作用可以强化分离的分子之间的分子间作用力并形成晶格的基础。然而将晶种置入溶液会使随机分子间的碰撞与交互作用减少,促进再结晶过程。 借由引入已有秩序的晶体,分子间不用太仰赖随机流动就可以很容易地进行交互作用。在溶液中这种溶质发展出晶格的相变化被称为成核。简言之,晶种效果就是缩短了再结晶过程中的成核时间。在半导体产业中,常用的柴可拉斯基法与布里奇曼-史托巴格法就是用小晶种长出大人造胚晶或晶锭的运用实例。
发布时间: 2019 - 01 - 14
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半导体半导体(英语:Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。电导率容易受控制的半导体,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性非常巨大。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选...
发布时间: 2019 - 01 - 14
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集成电路的发展最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心,可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来,集成电路持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每1.5年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。但是,集成纳米级别设备的IC不是没有问题,主要是泄漏电流。因此,对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显,制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步,在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里,使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。集成电路的普及仅在其开发后半个世纪,集成电路变得无处不在,计算机、手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为,现代计算、交流、制造和交通系统,包括互联网,全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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集成电路的介绍晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器,相较于现今科技的尺寸来讲,体积相当庞大。电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:● 小型集成电路(SSI英文全名为Small Scale Integration)逻辑门10个以下或 晶体管100个以下。● 中型集成电路(MSI英文全名为Medium Scale Integration)逻...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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半导体材料半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。发展● 1833年,英国的法拉第(Michael Faraday)发现的其中一种半导体材料:硫化银,因为它的电阻随着温度上升而降低。● 1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关,这就是半导体的整流作用。● 1947年12月23日,巴丁与布拉坦(Walter Brattain)进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器,晶体管正式发明。● 1958年9月12日,德州的基尔比(Jack Kilby),细心地切了一块锗作为电阻,再用一块pn接面做为电容,制造出一个震荡器的电路。● 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为:● 元素半导体材料:以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。● 复合半导体材料:由两种或两种以上无机物化合成的半导体,种类繁多,已知的二元化合物就有数百种。● 三五半导体:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,比如砷化镓(GaAs);它们都具有闪锌矿结构,在应用方面仅次于Ge、Si。● 二六半导体:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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晶圆晶圆(英语:Wafer)是指制作硅(硅)半导体集成电路所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般晶圆产量多为单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等)。晶圆越大,同一圆片上可生产的集成电路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均匀度等等的问题。一般认为硅(硅)晶圆的直径越大,代表着这座晶圆厂有更好的技术,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。晶圆的制造过程很简单的说,首先由普通硅(硅)砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过切片、抛光之后,就得到了单晶硅圆片,也即晶圆。1、将二氧化硅矿石(石英砂)与焦炭混合后,经由电弧炉加热还原,即生成粗硅(纯度98%,冶金级)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、盐酸氯化并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅(半导体级纯度11个9,太阳能级7个9),因在精密电子元件当中,硅晶圆需要有相当的纯度(99.999999999%),不然会产生缺陷。3、晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅(硅)熔解,再于溶液内掺入一小粒的硅(硅)晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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光刻胶光刻胶(英语:photoresist),亦称为光阻或光阻剂,是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料,主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种-正性光刻胶(positive photoresist)和负性光刻胶(negative photoresist)。● 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。● 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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