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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(上)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜,其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。↑  掩膜通常在光罩上形成图形的基本步骤和硅片相似,一般来说光罩的制作分为数据处理部分和工艺制造部分。↑  光掩膜制作流程1、数据转换:将如GDSII版图格式分层,运算,格式转换为光刻设备所知的数据形式;2、图形产生:通过电子束或激光进行图形曝光;3、光阻显影:曝光多余图形, 以便进行蚀刻;4、铬层刻蚀对铬层进行刻蚀, 保留图形;5、去除光阻去除多余光刻胶;6、尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位;7、初始清洗清洗并检测作为准备;8、缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形;9、缺陷补偿对缺陷进行修补;10、再次清洗清洗为加保护膜版作准备;11、加保护膜保护膜加在主体之上, 这防止灰尘的吸附及伤害;12、最后检查对光掩膜作最后检测工作, 以确保光罩的正确。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 硅片的生产过程↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途单晶硅片制备阶段,需要将硅单晶棒加工成具有高面型精度和表面质量的原始硅片或光片,为IC前半制程中的光刻等工序准备平坦化超光滑无损伤的衬底表面。对直径Φ≤ 200mm的硅片,传统的硅片加工工艺流程为:单晶生长→切断→外径滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。↑  硅片加工工艺流程延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 26
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华林科纳生产的清洗机中,QDR 快排冲洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液,使晶圆表面洁净。QDR 是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块,主要由喷淋槽、溢流槽、匀流板、快排汽缸体、喷嘴喷管、管路和管件等组成。↑ QDR 示意图槽体由进口 NPP 板材焊接加工而成,由安装在槽体底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及顶部左右两侧的 DI 水喷嘴实现槽体的快速注入与排放,有氮气鼓泡功能。在溢流排放口安装有 DIW 电阻率检测仪,可对冲洗溢流的水质适时检控。一、喷淋管路上喷淋管路共有两路, 形成相互交叉喷淋,但去离子水不宜直接喷淋冲洗晶圆表面,因晶圆在水蚀作用下直接喷淋晶圆表面,易产生微粒污泥而污染晶圆表面,因此,在去离子水的喷淋过程中,需要对冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试,以达到微粒污染少的最佳效果。 良好的喷嘴所喷淋范围涵盖全部晶圆及片盒; 而不良的喷淋冲洗形状,没有涵盖全部晶圆及片盒, 未被喷淋冲洗的死角地带,微粒、杂质及化学药液残留含量仍然很高,而达不到良好的清洗效果。二、氮气鼓泡上喷淋同时, 下喷淋管路由底部两侧不断进水,而后由内槽上沿四周溢出,这样,每个晶圆片缝、各处边角的去离子水都能连续得到更新。 同时,纯净氮气由下喷淋管路进入槽体。 氮气鼓泡有以下几个作用:(1)增加了去离子水的冲刷力,对槽体本身有很好的自清洗作用;(2)晶圆在水...
发布时间: 2018 - 11 - 20
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湿法腐蚀是半导体行业生产加工中不可或缺的工艺,是利用化学反应腐蚀特定区域的硅进行刻蚀,其中,SiO2的腐蚀是用HF来实现的,药液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蚀速度快,因而均使用 NH4F(氟化铵)作为缓冲剂来减慢腐蚀速度。普通叫做缓冲腐蚀。此种工艺在常温下进行,而根据我国南北方生产的需要为了维持常温,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加热器,以防止反应结晶;而在南方则需加入冷却盘管,以适当控制温度。一般工艺槽体材质选用 PVDF 材质。除此之外,管路中还需接入泵来提供药液的循环动力。由于隔膜泵在连续不间断工作时膜片使用寿命较短,更换膜片频繁,目前这种应用方式逐渐被风囊泵所取代。因此药液的循环过滤:由风囊泵、过滤器、循环溢流槽、阀门、管件等组成药液的循环系统。实现药液的循环过滤,保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。↑ 二氧化硅腐蚀的循环管路示意图近几年来,伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,华林科纳适应着时代的发展,在不断的竞争中,有广泛的市场前景和发展空间。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 19
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华林科纳研发的单片清洗设备已升级为单腔多层的机台类型,可以支持多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台,它载着硅片变换不同的高度。在不同高度处,会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域,酸液即可被循环使用。↑ 单腔多层腔体结构示意图延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 15
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旋转喷淋清洗是浸入型清洗的变型。系统中一般包括自动配液系统、清洗腔体、废液回收系统。喷淋清洗在一个密封的工作腔内一次完成化学清洗、去离子水冲洗、旋转甩干等过程,减少了在每一步清洗过程中由于人为操作因素造成的影响。在喷淋清洗中由于旋转和喷淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均匀,同时,接触到硅片表面的溶液永远是新鲜的,这样就可以做到通过工艺时间设置,精确控制硅片的清洗腐蚀效果,实现很好的一致性。密封的工作腔可以隔绝化学液的挥发,减少溶液的损耗以及溶液蒸气对人体和环境的危害。各系统分别贮于不同的化学试剂,在使用时到达喷口之前才混合,使其保持新鲜,以发挥最大的潜力,这样在清洗时会反应最快。用N2喷时使液体通过很小的喷口,使其形成很细的雾状,至硅片表面达到更好的清洗目的。此方法适用于除去氧化膜或有机物。因为化学物质在硅片表面停留的时间比较短,对反应需要一定时间的清洗效果不好。在喷洗过程中所使用的化学试剂很少,对控制成本及环境保护有利。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 12
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国外经典半导体工艺视频:晶圆表面电路的设计(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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华林科纳晶圆电镀设备分两个系列, CPE(半自动)/CPEA(全自动),主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀; 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。 更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 11 - 02
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刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,它对集成电路图形结构的形成,如各层薄膜的图形及掺杂区域等,均起着决定性的作用。 光刻的基本流程:前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面,硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体(如氮气)的烘箱或者真空烘箱中完成,实际的烘焙温度是可变的,常用的温度是200—250℃。脱水后的硅片马上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜进行表面处理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶,使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有:1、滴浸润液和旋涂:温度和用量容易控制,但系统需要排液和排气装置,HMDS溶液消耗量大。2、喷雾分滴和旋转:优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除,缺点是处理时间长和HMDS消耗大。3、气相成底膜和脱水烘焙:最常用,气相成底膜一般200—250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙,再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜,这种方法优点是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均匀加热和可重复性。另一种方法是以...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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