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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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化学气相沉积装置有机金属化学气相沉积装置达成上述目的,其特征在于包括:腔室,提供对基板进行处理的处理空间;气体供给部,向腔室的内部供给处理气体;以及基板支撑部,配置于腔室的内部,具备安装基板的收容槽,对基板进行加热;且在收容槽的内侧形成有安装基板的安装部,在安装部的边缘与收容槽之间形成有中间槽。在基板安装到安装部的情况下,中间槽的宽度可被所述基板遮挡60%至95%。中间槽可形成为内部的边角具有棱角的形态。在此情况下,中间槽的宽度可为1mm至3mm。从安装部的上表面测定的中间槽的深度可相对于从基板支撑部的上表面测定的中间槽的深度而为40%至80%。进而,基板可沿圆形的圆周面而在至少一部分具备平面,收容槽具备从边缘向内侧突出形成而防止基板旋转的突出部。此时,基板的平面可与突出部接触。在此情况下,基板的圆周面与平面接触的角隅区域不与突出部接触。突出部相对于安装部的中心的圆周角度可相对小于基板的平面相对于安装部的中心的圆周角度。进而,能够以可装卸的方式配置突出部。基板支撑部可包括安装基板并加热的加热器区块,从加热器区块的底部向上部形成插入槽,在插入槽的内侧具备测定加热器区块的温度的热电偶。从加热器区块的底部测定的插入槽的高度可相对于加热器区块的高度而为60%至90%。发明效果根据具有上述构成的,在基板支撑部的收容槽安装基板的安装部与收容槽的内表面之间形成中间槽,由此引导如颗粒等的异物形成到...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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MOCVD工艺1反应室流体力学模拟系统:反应室流体力学模拟子系统包括3个部分:(1)有限差分网格的自动剖分;(2)气流传输方程的求解;(3)模拟结果的可视化处理,各部分的关系及功能如图1所示,剖分模块可对任何结构的反应室按用户要求进行自动有限差分网格剖分,并产生剖分文件供模拟模块使用,模拟模块对传输方程在现有网格上进行快速求解,并存储数据文件供显示模块使用,显示模块可以=维填充或等值线方式显示速度分布、压力分布和温度分布,并可打印输出,亦可保存成图像文件。 生长高质量半导体薄膜的前提条件是反应室内的气流应为层流,最佳反应室结构是指能够产生层流分布的结构,最佳结构是相对的,与生长条件密切相关这就要求设计人员必须根据生长的材料系统及生长条件来设计反应室结构,2化学反应热力学模拟系统:对于MOCVD系统,在一定条件下,当反应物的消耗速率及生成物的产生速率近似相等时,就可以认为达到一种动平衡,这时热力学分析的相平衡理论就可以运用于系统,通常进行热力学分析有两种方法,一种是求解质量作用方程组,可得到系统中各物种于平衡态时的浓度;另一种是以系统相平衡时自由能最小为判据,同样可得到反应后组分,后者更适于处理复杂的多元复相系统,在开发热力学模拟系统时我们采用了后者,将自由能最小原理推广到多元复相系统,并将各种工艺参数对系统引起的物种分配变化,集成于一个模拟系统处理,采用目前比较先进的VC...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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滤波器结构:所设计的并联电感耦合波导滤波器采用了三谐振器电感膜片耦合的结构如图1所示。图1滤波器结构示意图滤波器是四面封闭、两端开口的腔体结构腔体内部全部金属化立体结构如图2所示。滤波器的设计尺寸为240mm×50mm×25mm频率140GHz带宽10GHz。图2滤波器立体结构示意图滤波器工艺路线:研制波导滤波器的工艺步骤如下(图3)备片硅片厚800m。刻蚀掩模制备由于刻蚀深度达800m,刻蚀掩模需要使用厚度大于3m的氧化层或0.5m厚的铝或铬层。光刻:光刻腐蚀氧化层形成深槽刻蚀掩模。刻蚀:ICP刻蚀硅刻蚀深度800m将硅片刻蚀穿通。键合硅片去除刻蚀掩模后采用阳极键合技术封闭滤波器的底面。金属化溅射Au使硅结构表面金属化电镀加厚金属厚度3~8m。键合采用Au-Si共晶键合技术封闭滤波器的顶面,完成滤波器的芯片加工。划片通过划片工艺获得设计外形尺寸的THz滤波器样品。关键工艺技术:THz滤波器要求刻蚀深度深、四面封闭、内部金属化等。相较一般的体微加工工艺有其特殊性和难度主要的关键工艺技术有硅深槽刻蚀、腔体内部金属化和三层键合工艺。硅深槽刻蚀技术:采用等离子刻蚀机研究硅深槽刻蚀的两个关键问题掩模的选择和横向腐蚀的控制。试验表明厚度大于3m的热氧化硅或0.5m的金属铝或铬膜可以满足刻蚀硅通孔的要求同时深槽刻蚀需要提高刻蚀速率以满足刻蚀800m硅通孔的要求。最终的工艺加...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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LED湿法清洗设备主要由供液机柜、供液源、输送单元、输送管路、电气控制、排风装置、漏液检测等部分组成。供液机柜:供液机柜通常由耐腐蚀的PP(聚丙烯)材料焊接而成,机柜上设有进风口及排风装置。排风装置除将酸、碱腐蚀气体及时排出供液机柜外,还可以降低机柜内挥发出的有机溶剂浓度,避免发生燃烧和爆炸。同时排风口装有风压检测传感器,当厂务端排风出现故障时,发出警报,以利维护人员及时处理。在供液机柜内一般设计有滚轮机构,方便更换供液桶。机柜内设有水枪,用于腐蚀液的冲洗。腐蚀区与供液泵、控制系统之间物理隔离,以避免电子元器件及金属零件等被腐蚀。供液源:LED工艺线上供液源采用容积为20L的供液桶,供液桶为标准尺寸的耐腐蚀塑料桶,通常一种化学液配备两只供液桶,两只供液桶一用一备,交替进行工作,实现不间断供液。输送系统:化学液输送方式分泵浦输送和惰性气体输送。泵浦输送是利用泵的压力做动力来输送化学液,其特点是:化学液可进行过滤处理,输送产生脉动较大,适用于长距离输送。惰性气体输送是利用气体的压力做动力来输送化学液。惰性气体一般采用高纯氮气。该方式的特点是:不易和化学液反应,输出流量小,需要压力操作容器,结构复杂,易产生故障。CDS较多采用泵浦输送方式。输送系统包括供液泵、过滤器、流量计等。由于气动隔膜泵或气动风囊泵采用压缩空气为动力源,它的剪切力低、流量大、杨程高、工作中不产生火花、不产生热量。因此...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程:1.1GaN芯片前道流程演示图:2. GaNITO芯片后道流程:2.1. GaN芯片后道流程演示图:免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系作者删除。
发布时间: 2021 - 04 - 08
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计算的量要稍多一些②加热除去氧化膜Ga:高真空下,700℃,2hAs:高真空下,280℃,2h③用液氮或干冰将Ga凝固,撞破石英隔窗,将反应管放入炉中④升温:低温炉617℃,高温炉1250℃⑤移动熔区合成好熔体⑥生长单晶,⑦降温:先将高温区降至610℃,再同时降温至室温HB法优缺点:优点:设备简单,生长系统中温度梯度小,可生长低位错密度单晶缺点:①粘舟,产生缺陷生长截面D形,加工成圆片材料损失②难以生长非掺杂半绝缘GaAs单晶③难以生长大直径75mm液态密封法LEC、LEP:是对CZ技术的一项重大改进基本原理:用一种惰性液体覆盖着被拉制材料的熔体,生长室内充入惰性气体,使其压力大于熔体的离解压力,以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失,这样就可按通常CZ技术拉制单晶液态密封法中所用覆盖剂应满足条件:1.密度小于拉制材料2.对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的,而且熔体中溶解度小3.熔点低于被拉制材料熔点,且蒸汽压低,易去掉4.有较高纯度,熔融状态下透明B2O3满足上述要求LEC法生长GaSb熔点低,用1:1KCl+NaCl作覆盖剂LEC法工艺流程:1.装料:一石英杯装Ga,一石英安瓶装As,石英坩埚中装B2O32.抽真空下,B2O3加热脱水900-1000℃,Ga杯,As瓶烘烤除去氧化膜3.降温至600-700℃,将Ga倒入坩埚内沉没在B...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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高功率模块具备半导体功率器件的特性测试功能,主要通过PCI总线与主控机进行通信,实现对半导体功率器件的电激励功能和电测量功能。相关参数和指标下:最大驱动电压:±200V最大驱动电流:±1A最小驱动电压:±2V最小驱动电流:±1nA电压测量分辨率:2uV电流测量分辨率:10fA最大功率:20W由于高功率模块对测试电压和测试电流的分辨率要求很高,经过理论计算最低需要18位AD。经过了大量的理论研究和分析,并综合考虑系统噪声、AD的低端数据丢失等因素的影响,最终选择了待测件的I-V曲线,用户可以根据I-V曲线了解待测件的相关电气特性。在进行半导体功率器件参数测试过程中,必须保证程控恒压源、恒流源的高度稳定性。为此,高功率模块采用了双控制环路的方法,使用FPGA[3]控制,实现恒压源或恒流源的稳定输出。当采用恒压源作为半导体功率器件激励源时,恒流负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒压负反馈控制环路实现恒压控制;相反,当采用恒流源作为半导体功率器件激励源时,恒压负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒流负反馈控制环路实现恒流控制。其具体原理框图如图2所示。 全范围大动态控制调整及斜坡补偿技术:高功率模块开关电源根据输出电压和负载变化,通过反馈闭环回路[4]调整开关管的工作占空比实现稳压输出,反馈闭环回路是否稳定决定了高压电源输出电压的稳定度和工作的可...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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多量子阱层和电子阻挡层;在电子阻挡层上生长高温P型层,高温P型层由多个周期的超晶格结构组成,每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力;在高温P型层上生长P型接触层。InGaN层的生长温度为800~1000℃。BGaN层的生长温度为900~1100℃。InGaN层的生长压力为400~600torr。BGaN层的生长压力为100~200torr。InGaN层和BGaN层的厚度相等。高温P型层的厚度为50~300nm。高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。InGaN层为In x Ga 1-x N层,0BGaN层为B y Ga 1-y N层, 0 . 05        图1图2图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图;图2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图。图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,如图1所示,该制造方法包括:衬底可以为蓝宝石衬底。步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层。 低温缓冲层可以为GaN缓冲层,厚度为20~50nm。三维成核层可以为GaN层,厚度为400~60...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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单面抛光机制作工艺PG-510型单面抛光机的主要结构特点:PG-510型单面抛光机的结构组成主要由抛光盘组件、抛光头组件、抛光液流量控制系统、晶片纯水冲洗系统、电气控制系统、操作系统等组成。抛光盘组件的结构及特点:抛光盘组件主要包括抛光盘部件、主轴系统、抛光盘驱动系统、抛光盘温度控制系统组成。PG-510型单面抛光机抛光盘组件的整体结构如图2所示:抛光盘组件是抛光机的核心部件,他的主要功能是抛光过程中带动粘贴在抛光盘表面的抛光垫作平稳旋转,从而实现CMP工艺过程中磨料对材料表面化学反应物的磨削去除作用。抛光过程中,不同的阶段对抛光盘的转速要求也不尽相同,在抛光的初始阶段,由于材料表面粗糙度较低,极易造成抛光垫的快速磨损和损伤,一般要求抛光盘要慢启动低转速,而在抛光的中间过程,为了提高抛光效率达到较高的去除率,要求抛光盘的转速相对较高,在抛光结束时为了防止纳米级的抛光表面被划伤,则要求抛光盘能够实现低转速慢停止,整个抛光过程中抛光盘的速度曲线为梯形,如图3所示。PG-510型单面抛光机的抛光盘驱动采用变频器与三相异步电机来完成,可实现平稳启动和停止的工艺要求,控制采用PLC模拟量加数字量控制,模拟量控制转速,数字量控制方向,整个抛光过程中抛光盘的速度最多可分为十个阶段,不同阶段可设定不同转速,整个过程中速度的变换由程序自动控制完成。PG-510型单面抛光机抛光盘的速度控制范围为:0~...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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低压气相淀积,是在27-270Pa的反应压力下进行的化学气相淀积。它的特点是:膜的质量和均匀性好,产量高,成本低,易于实现自动化。一般工艺流程:装片——进舟——对反应室抽真空——检查设备是否正常——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后开始淀积——关闭所有工艺气体,重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。化学气相沉积的制程,包含了热的传达、边界层的扩散(boundary-layerdiffusion),吸附于基板表面,反应物分解、表面扩散、副产物脱离表面等许多步骤,所以有很多个参数会影响沉积作用,如反应温度、压力、反应物流量、晶片摆置的位置和反应物的混合比例都是对是否能沉积出高品质的薄膜非常重要的因素。因为上述的化学气相沉积制程的几个步骤是连续的,那个步骤是最慢的速率,将会決定此化学气相沉积的速率,亦即是速率決定步骤。速率決定步骤,一般可分成两大类,一类是气相质量输运(gas-phaseprocess),另一类是表面反应(surfaceprocess)。对于气相质量输运最主要的考量点是反应气体撞击到基板。这个模型要考虑气体横越过边界层(boundary-layer)的速度。而此边界层就是气体大量流动和基板表面之间的范围。反应物的传输过程是藉著气相的扩散来达成,而此气相扩散的速率,正比于扩散系数和横越此边界层的的浓度梯度(concentrationgradient)。因此物质传...
发布时间: 2021 - 04 - 07
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