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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。        (1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。        (2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。        (3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:429
简介半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现,但 90%以上的半导体器件和电路,尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视,这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高,污染物对器件的影响也愈加突出。20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点,因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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所谓的半导体,是指在某些情况下,能够导通电流,而在某些条件下,又具有绝缘体效用的物质;而至于所谓的IC,则是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法,将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件,作在一微小面积上,以完成某一特定逻辑功能(例如:AND、OR、NAND等),进而达成预先设定好的电路功能。自1947年12月23日第一个晶体管在美国的贝尔实验室(Bell Lab)被发明出来,结束了真空管的时代,到1958年TI开发出全球第一颗IC成功,又意谓宣告晶体管的时代结束,IC的时代正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来,集积度也不断提升。从小型集成电路(SSI),每颗IC包含10颗晶体管的时代;一路发展MSI、LSI、VLSI、ULSI;再到今天,短短50年时间,包含千万个以上晶体管的集成电路已经被大量生产,并应用到我们的生活的各领域中来,为我们的生活带来飞速的发展。不能想象离开半导体产业我们的生活将会怎样,半导体技术的发展状况已成为一个国家的技术状况的重要指针,电子技术也成为一个国家提高国防能力的重要途径。 半导产品类别    目前的半导体产品可分为集成电路、分离式组件、光电半导体等三种。    集成电路(IC),是将一电路设计,包括线路及电子组件,做在一片硅芯片上,使其具有处理信息的功能...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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一、双极型IC的基本制造工艺:      A、在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)          ECL(不掺金) (非饱和型) 、TTL/DTL (饱和型) 、STTL (饱和型)       B、在元器件间自然隔离          I2L(饱和型)二、MOSIC的基本制造工艺:      根据栅工艺分类:                A  铝栅工艺                B  硅栅工艺      ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:145
外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD介绍:       金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED芯片的制造工艺流程:       外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。     &#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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腐蚀液被腐蚀物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%)=76:3:15:5:0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向异向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
发布时间: 2016 - 03 - 23
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在半导体封装技术国际学会“2015 Electronic Components and Technology Conference(ECTC)”上,IBM苏黎世研究所发表了用铜纳米粒子使铜柱的倒装芯片接合实现了低温化目标的成果。       虽尚在初步评测阶段,但拥有可在150℃的低温下接合的潜在可能,有能缓和组装时芯片与封装间应力的优点。并且,由于使用铜纳米粒子来接合铜柱,因此接合部最终会仅由铜构成的块。另外,对电流导致金属离子移动的电迁移还有良好耐受力,称能够实现可通过大电流的接合。       在实际评测的键合条件下,向接合部供给铜纳米粒子后,以250℃烘烤,将铜纳米粒子烧结成体块。此前人们知道的接合铜表面的方法是热压键合,但其量产的门槛较高。存在如对接合部的平坦性的要求精度较高、要求接合面清洁以及要在400℃高温下高压接合等课题。此次的技术若能实用化,便可轻松实现仅由铜构成的体块接合,具有很大的优点。公开接合方法和接合后的强度评测结果       此次发布的成果,尚未进入电迁移评测阶段,只报告了接合方法和接合后的强度评测结果。该研究所表示,尝试了两种向铜柱与焊盘间供给铜纳米粒子的方法。  ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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(1)外延工艺技术       外延工艺是根据不同硅源(SIH2CL2、SIHCL3、SICL4),在1100-1180℃温度下在硅片表面再长一层/多层本征(不掺杂)、N型(掺PH3)或P型(掺B2H6)的单晶硅,并把硅层的厚度和电阻率,厚度和电阻率的均匀性、表面的缺陷控制在允许范围内。功率半导体器件的外延生产工艺技术标准一般要求达到厚度40-80±5um, 厚度和电阻率均匀性控制在5%以内。(2)光刻工艺技术       光刻工艺是半导体工艺技术中最关键的技术之一,也是反映半导体工艺技术水平的重要指标。光刻工艺是将掩膜(光刻板)图形转移到衬底表面的光刻胶上形成产品所需要图形的工艺技术,光刻机的精度一般是指光刻时所得到的光刻图形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越细的线条,集成度也越高。对于高端Trench工艺技术的功率半导体器件,光刻生产工艺采用8英寸硅片,0.5um技术。 (3)刻蚀工艺技术       刻蚀是用物理或化学的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,刻蚀的基本作用是准确地复制掩膜图形,以保证生产线中各种工艺正常进行。湿法刻蚀是通过合适...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子。  Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度——在光刻工艺中转移图形的精度。  Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向异性——在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。  Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。  Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。  Lay - The main direction of s...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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