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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。  Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。  Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。  Lay - The main direction of s...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:189
硅晶片         硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的,其次是氧元素,硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分,也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。有意思的是,硅自身的导电性并不是很好。然而,可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。        制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体,这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。  加工硅晶片       生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、质量和终端用户要求。超过 75%的单晶硅晶圆片都是通过直拉生长法(Czochralski (CZ))生长的。CZ 硅锭生长需要大块的纯净多晶硅将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中,这称为搀杂。&#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:154
设备概述华林科纳CSE硅片有机清洗机,设备设计由华林科纳聘请的从事半导体生产的专家亲自指导,采用国际先进的生产加工工艺,在超净厂房组装测试,有可靠的质量保障。设备由不锈钢骨架,外包10mm厚瓷白防火PP板,洁净美观,耐腐蚀。电控面板置于机台上方,方便操作,并有防腐蚀保护,具有严格的安全防护措置。此设备腐蚀清洗装置主要是浸泡式清洗腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,电控及操作台等部分组成,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。适用于4、6、8英寸硅片的清洗处理,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。设备结构    ※ 此设备腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,机械臂,电控及操作台等部分组成;    ※ 设备工艺流程:根据设备所放场地布置要求(与客户沟通确定),设备左进右出,经手动放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI冲水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料台,工艺处理合格后经操作人员手动下料;    ※ 安全门:进口优质透明PVC活动门(左右、上下推拉式),防止有毒气体挥发到室内,保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;    ※ ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:186
化学机械研磨技术(化学机器磨光, CMP)兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用,可以使晶圆表面达到全面性的平坦化,以利后续薄膜沉积之进行。       在CMP制程的硬设备中,研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转,至于研磨垫则以相反的方向旋转。在进行研磨时,由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间。影响CMP制程的变量包括有:研磨头所施的压力与晶圆的平坦度、晶圆与研磨垫的旋转速度、研浆与研磨颗粒的化学成份、温度、以及研磨垫的材质与磨损性等等。
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:164
半导体晶圆在晶圆厂的时间通常有80%以上花费在等待、运输与储存方面。在这些长时间的非处理时期,洁净室空气、结构材料和/或先前处理工序可能会对晶圆表面造成分子级污染。随着关键尺寸的持续缩小以及新技术/材料/处理方法的推出,设备对空气分子污染物(AMC)已经变得更加敏感。惰性气体相对安定 氮气净化成新宠        惰性气体净化是一种提供化学洁净与稳定晶圆环境的技术。这种技术尤其有助于去除来自先前处理工序的逸散/残留气体,特别是腐蚀性气体。氧化、接触形式、酸蚀刻以及光刻都是首先需要这种技术能力的处理方法。铜互连与低-K电介质的面世进一步推动了这种需求。氧气与湿气的存在能够影响自然氧化层的发展,减少硅化物的厚度,进而提高表面电阻,生成微粒、引起腐蚀,并加速化学污染。        由于其高反应性以及和邻近水分子和/或其它化学物类形成氢键的可能性,湿气比氧气和大部分其它化学物类更难从晶圆环境中清除。惰性气体微环境也许是晶圆储存与运输的理想型解决方案,能够为对氧气及湿气敏感的产品或工序提供保护。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang发现持续用氮气进行晶圆盒净化能够长期显著减少硅表面的自然氧化层...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:161
比如,用于三维IC的TSV刻蚀设备必须将刻蚀腔清洗步骤设计成常规清洗流程,是设备能够在生产和清洗模式之间迅速转换,使得腔室始终保持纯净状态,同时满足高量产对速度、工艺可预见性和工艺重复的要求;这类刻蚀系统还必须具有单台设备刻蚀所有材料的工艺处理能力,尽可能减小设备和设施的成本,消除工艺转移和排队造成的延迟,为客户在产能和设备拥有成本方面提供竞争力。另外,由于目前高端IC产品都使用300毫米晶圆,保证晶圆表面工艺处理的均匀性,TSV的刻蚀需要使用平面状等离子源(Planar Plasma)。对于刻蚀工艺模式的选择,业界目前仍在比较SSP(Steady State Processes)和RAP(Rapid Alternating Processes)技术。据了解,RAP刻蚀的选择性(selectivity)很高,可以刻蚀纵宽比很大通孔,速度也快,但是表面粗糙度是个挑战;SSP工艺和常规的刻蚀接近,速度高而且制作的侧壁光滑,不过Selectivity和Undercut的控制是难点。Steve认为,对用户来说真正满意的方案是,机台能够根据应用的要求进行工艺的选择和整合,实现两种模式的切换,整体控制刻蚀速度、selectivity、侧壁光滑性和纵宽比。当然,这需要大量的工艺知识积累,以及对所制造器件的了解。对量测提出新的要求可以预见,TSV的特殊性还会给3D IC制造的检测和量测带来前所未有...
发布时间: 2020 - 12 - 17
浏览次数:4
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