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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程:1.1GaN芯片前道流程演示图:2. GaNITO芯片后道流程:2.1. GaN芯片后道流程演示图:免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系作者删除。
发布时间: 2021 - 04 - 08
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计算的量要稍多一些②加热除去氧化膜Ga:高真空下,700℃,2hAs:高真空下,280℃,2h③用液氮或干冰将Ga凝固,撞破石英隔窗,将反应管放入炉中④升温:低温炉617℃,高温炉1250℃⑤移动熔区合成好熔体⑥生长单晶,⑦降温:先将高温区降至610℃,再同时降温至室温HB法优缺点:优点:设备简单,生长系统中温度梯度小,可生长低位错密度单晶缺点:①粘舟,产生缺陷生长截面D形,加工成圆片材料损失②难以生长非掺杂半绝缘GaAs单晶③难以生长大直径75mm液态密封法LEC、LEP:是对CZ技术的一项重大改进基本原理:用一种惰性液体覆盖着被拉制材料的熔体,生长室内充入惰性气体,使其压力大于熔体的离解压力,以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失,这样就可按通常CZ技术拉制单晶液态密封法中所用覆盖剂应满足条件:1.密度小于拉制材料2.对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的,而且熔体中溶解度小3.熔点低于被拉制材料熔点,且蒸汽压低,易去掉4.有较高纯度,熔融状态下透明B2O3满足上述要求LEC法生长GaSb熔点低,用1:1KCl+NaCl作覆盖剂LEC法工艺流程:1.装料:一石英杯装Ga,一石英安瓶装As,石英坩埚中装B2O32.抽真空下,B2O3加热脱水900-1000℃,Ga杯,As瓶烘烤除去氧化膜3.降温至600-700℃,将Ga倒入坩埚内沉没在B...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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高功率模块具备半导体功率器件的特性测试功能,主要通过PCI总线与主控机进行通信,实现对半导体功率器件的电激励功能和电测量功能。相关参数和指标下:最大驱动电压:±200V最大驱动电流:±1A最小驱动电压:±2V最小驱动电流:±1nA电压测量分辨率:2uV电流测量分辨率:10fA最大功率:20W由于高功率模块对测试电压和测试电流的分辨率要求很高,经过理论计算最低需要18位AD。经过了大量的理论研究和分析,并综合考虑系统噪声、AD的低端数据丢失等因素的影响,最终选择了待测件的I-V曲线,用户可以根据I-V曲线了解待测件的相关电气特性。在进行半导体功率器件参数测试过程中,必须保证程控恒压源、恒流源的高度稳定性。为此,高功率模块采用了双控制环路的方法,使用FPGA[3]控制,实现恒压源或恒流源的稳定输出。当采用恒压源作为半导体功率器件激励源时,恒流负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒压负反馈控制环路实现恒压控制;相反,当采用恒流源作为半导体功率器件激励源时,恒压负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒流负反馈控制环路实现恒流控制。其具体原理框图如图2所示。 全范围大动态控制调整及斜坡补偿技术:高功率模块开关电源根据输出电压和负载变化,通过反馈闭环回路[4]调整开关管的工作占空比实现稳压输出,反馈闭环回路是否稳定决定了高压电源输出电压的稳定度和工作的可...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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多量子阱层和电子阻挡层;在电子阻挡层上生长高温P型层,高温P型层由多个周期的超晶格结构组成,每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力;在高温P型层上生长P型接触层。InGaN层的生长温度为800~1000℃。BGaN层的生长温度为900~1100℃。InGaN层的生长压力为400~600torr。BGaN层的生长压力为100~200torr。InGaN层和BGaN层的厚度相等。高温P型层的厚度为50~300nm。高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。InGaN层为In x Ga 1-x N层,0BGaN层为B y Ga 1-y N层, 0 . 05        图1图2图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图;图2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图。图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,如图1所示,该制造方法包括:衬底可以为蓝宝石衬底。步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层。 低温缓冲层可以为GaN缓冲层,厚度为20~50nm。三维成核层可以为GaN层,厚度为400~60...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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单面抛光机制作工艺PG-510型单面抛光机的主要结构特点:PG-510型单面抛光机的结构组成主要由抛光盘组件、抛光头组件、抛光液流量控制系统、晶片纯水冲洗系统、电气控制系统、操作系统等组成。抛光盘组件的结构及特点:抛光盘组件主要包括抛光盘部件、主轴系统、抛光盘驱动系统、抛光盘温度控制系统组成。PG-510型单面抛光机抛光盘组件的整体结构如图2所示:抛光盘组件是抛光机的核心部件,他的主要功能是抛光过程中带动粘贴在抛光盘表面的抛光垫作平稳旋转,从而实现CMP工艺过程中磨料对材料表面化学反应物的磨削去除作用。抛光过程中,不同的阶段对抛光盘的转速要求也不尽相同,在抛光的初始阶段,由于材料表面粗糙度较低,极易造成抛光垫的快速磨损和损伤,一般要求抛光盘要慢启动低转速,而在抛光的中间过程,为了提高抛光效率达到较高的去除率,要求抛光盘的转速相对较高,在抛光结束时为了防止纳米级的抛光表面被划伤,则要求抛光盘能够实现低转速慢停止,整个抛光过程中抛光盘的速度曲线为梯形,如图3所示。PG-510型单面抛光机的抛光盘驱动采用变频器与三相异步电机来完成,可实现平稳启动和停止的工艺要求,控制采用PLC模拟量加数字量控制,模拟量控制转速,数字量控制方向,整个抛光过程中抛光盘的速度最多可分为十个阶段,不同阶段可设定不同转速,整个过程中速度的变换由程序自动控制完成。PG-510型单面抛光机抛光盘的速度控制范围为:0~...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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低压气相淀积,是在27-270Pa的反应压力下进行的化学气相淀积。它的特点是:膜的质量和均匀性好,产量高,成本低,易于实现自动化。一般工艺流程:装片——进舟——对反应室抽真空——检查设备是否正常——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后开始淀积——关闭所有工艺气体,重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。化学气相沉积的制程,包含了热的传达、边界层的扩散(boundary-layerdiffusion),吸附于基板表面,反应物分解、表面扩散、副产物脱离表面等许多步骤,所以有很多个参数会影响沉积作用,如反应温度、压力、反应物流量、晶片摆置的位置和反应物的混合比例都是对是否能沉积出高品质的薄膜非常重要的因素。因为上述的化学气相沉积制程的几个步骤是连续的,那个步骤是最慢的速率,将会決定此化学气相沉积的速率,亦即是速率決定步骤。速率決定步骤,一般可分成两大类,一类是气相质量输运(gas-phaseprocess),另一类是表面反应(surfaceprocess)。对于气相质量输运最主要的考量点是反应气体撞击到基板。这个模型要考虑气体横越过边界层(boundary-layer)的速度。而此边界层就是气体大量流动和基板表面之间的范围。反应物的传输过程是藉著气相的扩散来达成,而此气相扩散的速率,正比于扩散系数和横越此边界层的的浓度梯度(concentrationgradient)。因此物质传...
发布时间: 2021 - 04 - 07
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1前言等离子清洗技术被广泛应用于电子、生物医药、珠宝制作、纺织等众多行业,由于各个行业的特殊性,需要针对行业需要,采用不同的设备及工艺。在电子封装行业中,使用等离子清洗技术,目的是增强焊线/焊球的焊接质量及芯片与环氧树脂塑封材料之间的粘结强度。为了更好地达到等离子清洗的效果,需要了解设备的工作原理与构造,根据封装工艺,设计可行的等离子清洗料盒及工艺。等离子清洗的工作原理是通过将注入气体激发成等离子体,等离子体由电子、离子、自由基、光子以及其他中性粒子组成。由于等离子体中的电子、离子和自由基等活性粒子存在,其本身容易与固体表面发生反应。反应类型可以分为物理反应和化学反应,物理反应主要是以轰击的形式使污染物脱离表面,从而被气体带走;化学反应是活性粒子与污染物发生反应,生成易挥发物质再被带走[1]。在实际使用过程中,通常使用Ar气来进行物理反应,使用O2或者H2来进行化学反应,其反应原理示意图如图1所示。等离子清洗的效果通常用滴水实验来直观反应,如图2所示,等离子清洗前接触角约为56°,等离子清洗后表面接触角约为7°。在电子封装中,通常使用物理化学结合的方式进行等离子清洗,以去除在原材料制造、运输、前工序中残留的有机污染物及芯片焊盘和引线框架表面形成的氧化物。等离子清洗设备的反应室主要分为感应耦合“桶式”反应室、电容耦合“平行平板”反应室、“顺流”反应室三种。目前国内...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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一、多晶硅锭的制备工艺根据生长方法的不同,多晶硅可分为等轴晶、柱状晶。通常在热过冷及自由凝固的情况下会形成等轴晶,其特点是晶粒细,机械物理性能各向同性。如果在凝固过程中控制液固界面的温度梯度,形成单方向热流,实行可控的定向凝固,则可形成物理机械性能各向异性的多晶柱状晶,太阳能电池多晶硅锭就是采用这种定向凝固的方法生产的。在实际生产中,太阳能电池多晶硅锭的定向凝固生长方法主要有浇铸法、热交换法(H EM)、布里曼(B ridgem an)法、电磁铸锭法,其中热交换法与布里曼法通常结合在一起。热交换法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩埚中( 避免了二次污染),其中热交换法是将硅料在坩埚中熔化后,在坩埚底部通冷却水或冷气体,在底部进行热量交换,形成温度梯度,促使晶体定向生长。布里曼法则是在硅料熔化后,将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区,而液硅仍然处于加热区,这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。其特点是液相温度梯度dT/dX 接近常数,生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数,生长速度可以调节。本项目生产所用结晶炉是采用热交换与布里曼相结合的技术。本项目采用中国电子科技集团公司第四十八研究所研发的拥有先进技术的R13450-1型多晶硅铸锭炉,它采用先进的多晶硅定向凝固技术,将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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在太阳能电池片制造行业中,通常单晶硅片需要进行清洗,去除各种杂质,或者利用化学品对硅片行刻蚀后形成特定的表面状态,这样才能够继续进行后续工艺生产。其中,利用碱溶液KOH进行刻蚀清洗,是一种重要的硅片处理方式。在湿法设备中集成多种化学品后,可以在单个设备上完成刻蚀、清洗等不同工艺,达到对硅片进行综合处理的目的。KOH溶液的质量分数、刻蚀时间等对硅片表面状态有重要影响。KOH刻蚀过程中需要使用大量的化学品,近年来随着技术的进步,出现了KOH碱刻蚀辅助添加剂,通过在KOH溶液中混合辅助添加剂,不仅能够达到原先的工艺要求,还能够有效减少化学品用量,降低化学品废液的处理量和难度,为今后KOH碱刻蚀大规模用提供了条件1 实验材料和工艺实验中,使用砂浆切割和金刚线切割的单晶硅片外观尺寸为156mm×156mm,厚度为200um,电阻率为1-3Q·cm。该单晶硅片为市场常见硅片。电池片生产工艺采用车间量产的PERC(射极纯化及背电极)单晶生产工艺。各类化学品原液质量分数如表1所示。2 实验结果与讨论2.1KOH预清洗砂浆切割的硅片表面有大量的切割损伤和各种杂质等“,需要进行清洗才能开展下一步扩散工艺。通常采用KOH刻蚀的方式来对硅片进行预清洗,去除硅片表面各种脏污杂质等,达到清洗效果。清洗工艺中,通常刻蚀时间对工艺效果影响较大。实验中,保持KOH溶液质量分数18%不变,反应温度...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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光刻是制造半导体器件和集成电路微图形结构的关键工艺,其工艺质量直接影响着器件成品率、可靠性、器件性能以及使用寿命等参数指标。光罩是光刻工艺中的一个重要环节,光刻版必须非常洁净,所有硅片上的电路元件都来自版图。如果光刻版不洁净,存在污染颗粒,这些颗粒就会被复制到硅片表面的光刻胶上,造成器件性能的下降。然而,光刻版在使用过程中不可避免的会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。中国电子科技集团公司第四十五研究所是国内从事电子专用设备技术、整机系统和应用工艺研究开发与生产制造的专业化科研生产单位。本文对四十五所研制的全自动光刻版清洗机进行了介绍,主要包括清洗的工艺原理和清洗的工作过程。1工艺原理1.1清洗药液1.1.1丙酮溶液对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同时,可以采用超声,提高浸泡效果。对于比较干净的光刻版,浸泡基本就能将有机污染物去除干净。对于光刻胶较多的光刻版,浸泡只能将光刻胶泡软,还需要用无尘布或无尘棉,蘸取丙酮轻轻擦洗,或在光刻版清洗设备中采用毛刷刷洗,通过外力将顽固的光刻胶去除掉。1.1.2浓硫酸+双氧水浓硫酸加双氧水的混合物,对于所有的有机材料都是有效的。...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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