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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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步进扫描光刻机整机集成工艺方案设计分系统集成工艺方案设计:分系统集成工艺方案设计包含布局与接口分析、集成与检测方案规划、集成工具工装需求规划、集成步骤规划等。布局与接口分析:主要是分析分系统在整机中的布局、接口的形式、定位方式等;集成与检测方案规划:主要是分析集成指标,结合布局与接口形式规划集成方案及检测方法,如指标无法直接实现,还需要进行装配尺寸链分解;集成工具工装需求规划:根据集成和检测方案,选择适用的工具/检具,如需要设计专用工装辅助集成或检测的,则需给出工装设计方案及其指标需求;集成步骤规划:制定分系统集成到整机上的集成步骤。步进扫描光刻机集成工艺方案非常复杂,下文将通过几个分系统案例,阐述集成工艺方案的设计过程。调焦调平分系统调焦调平分系统安装在主基板下方,物镜安装在主基板上方,结构布局如图1所示。根据整机测校流程,调焦调平分系统在物镜曝光过程中实时调平调焦,因此,要求调焦调平焦面与像面的垂向集成误差不能超过调焦调平的焦深范围。步进扫描光刻机所选用的调焦调平分系统焦深范围非常小,是微米级别的。由此,调焦调平集成方案规划需解决以下几方面的问题:1、调焦调平焦面和像面都是光学面,相互为基准集成,集成阶段如何去确定这两个光学面的位置; 图1调焦调平分系统机构布局2、指标是微米级别的,常规的测量方法达不到这个级别的测量精度,该选用什么样的测量仪器;3、在线集成空间小,选...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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TZ一107自动探针测试台主要技术指标及功能:该机的主要技术指标;可测片径;75、100125mm。工作台最大行程;x向265ram,Y向205mm4工作台速度:50mm/S。定位精度:±0.O13mm。重复精度:±0.003mm。行进分辨率:0.Olmm。z向行程:O~O.8mm可诵。该机工作台调整采用多功能集中控制手柄。可实现微动(10m/步)、连续点动’快动、步进等l6种功能。通过键盘命令,可实现“扫描”、图形/探边方式选择、自检、公制/英制步距选择、单图测试、中停、z向升降及微调。机器还具有同步/延时打点选择,工作状态显示及声光报警功能,以及品片平墼:墨:跟踪。并可根据配接的测试仪不同进行状态预置。测试完毕,承片台自动高速“回零”到下料位置,便于装卸晶片。 该系统由滚珠丝杠、电机座l、底座2、溜板3、轴承座4和6、连板5以及轴承、直线滚动导轨、步进电机等组成。用以完成)0一Y步进运动、扫描、装卸片时快速进中心和回零。x、Y向均采用最高精度的C级滚球丝杠,较高精度的D级滚动直线导轨,和高速大力矩步进电机驱动系统。使精度和可重复性达到美[Electroglas公司生产的lO34x一6型5自动探针台的水平。由于选用了新型滚动功能部件,还使结构简单、工作稳定、易于维护保养。 该系统由吸盘1、芯轴2、摆杆5、托板8、偏心套10和步进电机等组成。...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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半自动刷片机1主机毛刷由微型电机带动可做顺逆时针方向转动。同时,硅片架由毛刷架拨动作间隙转动。由于这两个运动的结合,使硅片的每一部位都能刷到。为避免划伤表面,采用较软的羊毛制刷。本机还采用杠杆式取片机构,装片、取片时能自动抬起片架,从而避免了通常取片方式带入的硅渣,确保了清洗质量。 2控制器(见图1)电路比较简单,由周期为约15秒和30秒两档的多谐振荡器和三级分频器、一个译码器组成。涂电源外,全部电路由十只三极管和十三只二极管组成(详见控制电路如图4和5)。电机转向由第一级分频器控制。电机启动前,全部计数器都置零,启动后开始计数,计到名时,译码器给出脉冲,关断电机电源。主机结构示意图(图2、3)及使用:工作前将待清洗的硅片置于硅片盘(5)上,清洗用水由进水咀(1)注入到毛刷和硅片上。于交通电源,启动电机(9),毛刷(7)转动并自动定时换向。就这样边冲水边刷片达到清洗目的。和毛刷连在一起的拨杆(6)随毛刷转动而不时拨动硅片盘,使盘间隙转动一个角度,以保证硅片每个部分都能均匀刷到。机器自动来回八次转向后自动关断电源,工作人员可打开机器上盖,(10)压动杠杆(2)使托片盘(4)翘起,自动抬起硅片,已使取片,清洗用水由出水詛(3)流出。  免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 09
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PVD技术及设备玻璃表面镀膜:•玻璃表面镀膜是玻璃表面改性的常用方法,通过镀膜可以改变玻璃的光学、热学、电学、力学、化学性质、膜层既可是功能性的,也可以是装饰性的。•玻璃表面镀膜方法化学还原、高温分解、化学气相沉积、物理气相沉积、电浮等。气相沉积方法:•PVD:物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現象来进行薄膜沉积。•CVD:化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸气相经过化学反应后,在玻璃表面形成固相薄膜。  1、 汤生放电区:离子撞击阴极产生二次电子,参与与气体分子碰撞,并使气体分子继续电离,产生新的离子和电子。这时,放电电流迅速增加,但电压变化不大,这一放电阶段称为汤生放电。汤生放电后期称为电晕放电。•电极间无电流通过,气体原子多处于中性,只有少量的电离粒子在电场作用下定向运动,形成极微弱的电流。2和3、辉光放电区:汤生放电后,气体会突然发生电击穿现象。此时,气体具备了相当的导电能力,称这种具有一定导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加,放电电压却有所下降。导电粒子大量增加,能量转移也足够大,放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大,辉光区扩大到整放电长度上,电压有所回升,辉光的亮度不断提高,叫异常辉光放电,可提供面积大、分布均匀的等离子体。气体放电现象4、 ...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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GPP器件关键工艺设备制造技术研究1GPP二极管工艺制程图l为GPP二极管制造主要工艺流程示意图,包括晶片来料湿法清洗、磷预扩散、硼扩散及磷再分布、一次光刻、V形沟槽刻蚀、s口OS(SE.mi—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON)半绝缘多晶硅保护膜淀积、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃烧结、LTO(LOWTEMPERAN】reoxid撕on)低温氧化层淀积、三次光刻、接触面刻蚀、镀镍、镍烧结、镀金、电性测试。 从以上流程可以看出,GPP二极管的制程主要为三层保护膜的制作,其中SIPOS起到束缚电子的作用,烧结玻璃是对PN结的保护、Si0:是防止镍层与玻璃的附着;而这三层保护膜的完成都是基于同一位置——晶圆V形深沟槽中,由此可见沟槽的宽度、深度、形状、均匀性等直接影响着玻璃覆层的附着及厚度,进而影响着GPP二极管的性能参数。以往多采用机械式划槽技术,采用高速砂轮划V型槽,由于易造成碎片,沟槽深度也有一定的限制,因此现在多采用半导体平面刻蚀槽工艺技术,即光刻掩膜后利用湿法腐蚀的原理刻蚀V形槽。V型槽腐蚀液配比通常为硝酸:氢氟酸:冰醋酸=5:5:2,腐蚀温度为一10℃~0℃,时间20~25rnjn(腐蚀时间随槽深而确定),通常为100~120斗m,关键是控制好腐蚀速率。2GPP器件关键工艺设备GPP二极管主要工艺流程为沟槽制作及保护膜的制作,因...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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铬和钒的掺杂含铬和钒的硬质合金有很高的硬度及一定的韧性,其热膨胀系数接近钢。使用这些材料沉积扩散涂层可获得非常好的结合力。工业CAD工艺在中温下,在油淬的碳钢制零部件上沉积硬质涂层,某些情况下会产生不一致的结合力。通过含cr或V的扩散过渡层,工艺和结合力可得到很好的控制。图1展示了结合力较差的涂层(见图la)和通过Cr扩散涂层获得的结合力较好的涂层(见图1b)。 这些复合涂层的实现需要额外的前驱物质及设施用于沉积工艺。在上例中,需要额外的发生器来产生挥发性的含Cr化合物——C尤l。口1。在此发生器中,不同的金属(粒状或碎屑状)与氯气或氯化氢进行反应。而此发生器的使用不应将最终的cr或V残留物带人到后序的涂层中(如氧化铝)。使用带内部金属氯化物发生器的同一CAD设备,可沉积带掺杂的CAD涂层,通过加入一定量的一种或几种合金(如铬、钒、钨或铊)来改善TiN,TiC或Ti(C,N)涂层性能。形成的涂层一般为(Til0Q“一。cr。V6w。)C,N,O:,其中戈+y+z=1,其机械性能(如硬度及韧性)与TiN,TiC和Ti(C,N)类似,但由于合金元素的存在,其抗腐蚀性能也得到改善。3硼的添加从早期的研究p1可知,在中温Ti(C,N)中添加硼可改变Ti(C,N)典型的柱状结构,获得相当高的硬度。在实际应用中,由于其较高的内部应力及脆性,这种涂层仅限于非常薄的涂层。因此,通过改变多...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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砷化镓的制造工艺:1.主动层的形成:由于目前砷化稼器件市场定位以高性能特性取胜,因此器件皆以异质接面方式成长为主,以求达到最佳的器件功能,目前器件以理及为市场主流,主要都是以磊晶成长方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取决于磊晶层的品质的好坏,所以需要成长出品质非常好的磊晶层,才能得到良好的器件特性。而要成长出良好的砷化稼磊晶品质,目前最普遍的是以或等方式成长,因为这些方式可以精准的控制磊晶纯度、厚度、掺杂浓度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的异质接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工艺目前主要以离子布植形成主动层,即使是有磊晶成长,皆是以为主,并无精确控制其接口成分的必要性。另外目前新兴以硅锗材料为主的制造工艺,其磊晶成长主要以技术为主,成长时需在工艺技术中使用选择性成长方式以便与技术集成,因此并无像砷化稼磊晶一般有专业代工厂成长磊晶层。2.微影制造工艺:砷化稼制造工艺中有干式蚀刻和湿式蚀刻,其中湿式蚀刻应用在一些砷化稼材料本身的蚀刻上,为制造工艺上极为关键的步骤。砷化稼湿式蚀刻基本上有非等方向的本质,其使用的蚀刻化学溶液和硅制造工艺不同,如硅是使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行蚀刻,而砷化稼可以用磷酸、双氧水与水的混合溶液蚀刻。比较特别的是,由于砷化稼为二元化合物,在不同面蚀刻后形状会不一样,随着不同平面、不同方向、不同溶液侵蚀,蚀刻后的形状可能为字型,亦可能为...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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晶体硅太阳电池制作流程太阳电池基本结构:一个单一的晶体硅电池输出电压在0.5V左右,而其最大输出功率则与太阳电池效率和表面积有关。如,一个接受光面积约为100cm2,效率为15%的太阳电池的最大输出功率仅为1.5W左右。达到一般应用要求,必须将许多太阳电池串联及并联在一起,形成所谓的模组(module)。并联的目的是为了增加输出功率,串联的目的在于提高输出电压,进一步的串联或并联则可形成阵列安排(array)。 在一把的太阳电池应用系统上,还包括蓄电池(storagebattery)、功率调节器(powerconditioner)和安装固定结构(mountingstructures)等周边设施,统称为平衡系统(balanceofsystem)。随材料和制造技术不同,太阳电池的架构会有不同变化,但最基本的结构可分为基板、PN二极管、抗反射层、表面粗糙结构化和金属电极等五个主要部分。 为达到最佳的转换效率,主要考虑的因素有:减低太阳光的表面反射;减低任何形式的载流子再结合(carrierrecombination);金属电极接触最优化。基板:在晶体硅太阳电池中,以单晶硅能达到的能量转换效率最高。要达到最优的能量转换效率,所使用的基板的品质最为关键,这里的品质指基板应具有很好的结晶完美性、最低的杂质污染等。就品质的完美性而言,所有的结晶硅中以FZ硅片(FloatZon...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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Al2O3-GaN外延片结构:•超晶格(异质结)就是将两种晶格常数不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构,超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜,事实上就是特定形式的层状精细复合材料。•由于GaN与衬底晶格失配为15.4%,因此要生长平坦而没有裂纹的高质量GaN外延层非常困难。Amano提出利用低温生长AlN或GaN作为缓冲再与高温(1000℃)生长GaN的二段生长法得到表面平坦如镜,低剩余载流子浓度,高电子迁移率的高质量GaN外延层。 外延片制造的基本流程: 衬底的制备:(a)、结构特性好,晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。(b)、接口特性好,有利于晶圆料成核且黏附性强。(c)、化学稳定性好,在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。(d)、热学性能好,包括导热性好和热失配度小。(e)、导电性好,能制成上下结构。(f)、光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小。(g)、机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等。(h)、大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。(i)、价格低廉。衬底材料的选用:Al2O3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3优点:化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;机械强度高,易于处理和清洗缺点:(1)晶格失配和热应力失配(...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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真空镀膜腔室,包括腔室门和对基板进行真空镀膜的至少一个真空制程腔,真空制程腔设于腔室门内;大气传输腔室,包括至少一个对镀膜后的基板进行散热的大气腔;以及移动装置,将基板移动至真空镀膜腔室或者大气传输腔室的输入端;其中大气传输腔室的数量少于真空镀膜腔室的数量。每个大气传输腔室对应设有至少两个真空镀膜腔室。真空镀膜腔室包括多个间隔设置的真空环境不同的真空制程腔和/或大气传输腔室包括多个间隔设置的大气环境不同的大气腔。真空镀膜腔室和/或大气传输腔室包括腔室门和真空阀,腔室门设于真空镀膜腔室和/或大气传输腔室的端部,真空阀连通真空制程腔和/或大气腔的内部和真空泵。真空镀膜腔室可切换为大气传输腔室,和/或,大气传输腔室可切换为真空镀膜腔室。真空镀膜腔室和大气传输腔室内均设有传输机构,传输机构包括设于腔室内的磁性导轨以及传送辊;移动装置设于真空镀膜腔室和大气传输腔室的同侧端部;真空镀膜腔室和大气传输腔室的两侧端部分别设置有移动装置;移动装置的传输方向垂直于所述传输机构的传输方向;还包括基板架基板固定设于所述基板架上基板架与所述磁性导轨磁性连接;所述基板架上设有与所述传送辊连接的传动轴。移动装置包括移动组件和与其连接的固定组件固定组件固定所述基板架移动组件驱动所述固定组件移动。固定组件包括机架和设于其上的固定辊固定辊上设有允许所述传动轴卡入的凹槽;所述移动组件包括带轮传动件机架与所述带轮传动件的...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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