半导体技术 - 半导体硅片清洗机设备 - 华林科纳半导体设备有限公司

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PP通风柜---华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 10

PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱，克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷，具有的耐酸碱性能。适用行业：适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】：采用厚8-12mm瓷白色PP制作，耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后，同色同质焊条熔焊修饰处理，表面无锐角。【上部柜体】：排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作，耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理，无气流死角，获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】：台面采用12mmPP板制作，耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】：储物柜体，中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链，耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃：采用厚4mm透明亚克力玻璃制作，耐酸碱性能优异。2.调节门边框：为厚瓷白色PP板c型槽，嵌入式结合，以确保安全及耐用性。 3.调节门悬吊钢索：每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重：采无段式配重箱设计，其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关：按钮带灯式自锁开关，包含风机开关，照明开关，总电源开关。2.照明设备：采用全罩式三防灯具，灯罩内具220v*20w*23.插座部分：每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸（L×W×H）1200...

甩干机—华林科纳CSE

发布时间： 2017 - 04 - 06

甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H＝面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质：本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架：SUS25*25*1.2T骨架组合，结构强固。作业视窗：视窗采透明压克力材质，有效掌握作业情况。管路系统：OneChamber模块化。排风系统：间接式抽风设计，有效稳定空气扰流，并同时减低异味。机台支脚：具高低调整及锁定功能。机台正压保护：采N2正压保护。机台微尘控制量：无刷伺服电机去静电氮气控制单元1)管件阀门：SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能：不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能：待机时，保持腔内正压，防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头，对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后，氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时，保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1）控制器操作界面：5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2）软件功能：编辑/储存：制程/维修/警示/编辑/配方/，皆可从操作荧幕上修改。3）储存能力：记忆模块：参数记忆，配方设定。更多的甩干机清洗相关设备，可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096

干燥系统-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配，以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术可单台设备或整合在湿法设备中最佳的占地成熟的工艺无水迹无碎片应用：抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征：可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆适用于标准高边或低边花篮规格：艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run去边缘： 3 mm一般安装参数：尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训：操作、维护、工艺培训标准： CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性：平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

废气处理系统---CSE

发布时间： 2016 - 06 - 06

废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V，三相五线，8KW；4.采用英国废气处理系统工艺，CSE在原工艺上经过升级改造，新的系统推出市场后，客户反映效果较好；系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统，主要由以下几大部分组成：负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内（每个喷淋塔中间为伞装型喷头，对废气层形成水封，瞬间中和废气）、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和（在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔，三级喷淋净化塔内配有PP填料，配有喷嘴，再次充分喷淋中和废气）、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。

GMP自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

研磨液自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

SPM腐蚀机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位，多年来与众多的集成电路生产企业密切合作，研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设备名称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适用领域LED外延及芯片制造设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基本介绍主要功能：通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/蓝）设备形式：室内放置型操作形式：自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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柴可拉斯基法

柴可拉斯基法柴可拉斯基法（简称柴氏法英语：Czochralski process），又称直拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。后来，演变为钢铁工厂的标准制程之一。直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。硅的直拉法生长高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。

发布时间: 2019 - 01 - 15

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单晶

单晶单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的，或者可以说，在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。与单晶相对的，是众多晶粒（Crystallite）组成的多晶（Polycrystal）。单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，由单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶根据晶体生长法制作分为：1、借由柴克劳司基法（Czochralski）：将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。2、浮区法（Floating zone）：可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。

发布时间: 2019 - 01 - 15

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晶种

晶种晶种是一小块单晶或多晶（通常是单晶），像种子般用来成长与自身相同材料、相同晶体结构的大晶体。无论把晶种浸入过饱和溶液，或使晶种与熔融材料接触并冷却，或者让材料蒸气在晶种表面沉积，皆能成长出大晶体。晶种效果背后的理论，从化合物与过饱和溶液（或与蒸气）的分子间物理交互作用衍生而来。在溶液中，自由的可溶分子（溶质）在随机流动中自由移动。此随机流动允许两个或更多的化合物分子有机会交互作用。这种交互作用可以强化分离的分子之间的分子间作用力并形成晶格的基础。然而将晶种置入溶液会使随机分子间的碰撞与交互作用减少，促进再结晶过程。借由引入已有秩序的晶体，分子间不用太仰赖随机流动就可以很容易地进行交互作用。在溶液中这种溶质发展出晶格的相变化被称为成核。简言之，晶种效果就是缩短了再结晶过程中的成核时间。在半导体产业中，常用的柴可拉斯基法与布里奇曼-史托巴格法就是用小晶种长出大人造胚晶或晶锭的运用实例。

发布时间: 2019 - 01 - 14

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半导体

半导体半导体（英语：Semiconductor）是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。电导率容易受控制的半导体，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性非常巨大。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选...

发布时间: 2019 - 01 - 14

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集成电路的发展与普及

集成电路的发展最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里，使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。集成电路的普及仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学...

发布时间: 2019 - 01 - 12

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集成电路的介绍

集成电路的介绍晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：● 小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。● 中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻...

发布时间: 2019 - 01 - 12

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半导体材料

半导体材料半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。发展● 1833年，英国的法拉第（Michael Faraday）发现的其中一种半导体材料：硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低。● 1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun），注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。● 1947年12月23日，巴丁与布拉坦（Walter Brattain）进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器，晶体管正式发明。● 1958年9月12日，德州的基尔比（Jack Kilby），细心地切了一块锗作为电阻，再用一块pn接面做为电容，制造出一个震荡器的电路。● 1970年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为：● 元素半导体材料：以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。● 复合半导体材料：由两种或两种以上无机物化合成的半导体，种类繁多，已知的二元化合物就有数百种。● 三五半导体：由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，比如砷化镓（GaAs）；它们都具有闪锌矿结构，在应用方面仅次于Ge、Si。● 二六半导体：Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...

发布时间: 2019 - 01 - 11

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晶圆

晶圆晶圆（英语：Wafer）是指制作硅(硅)半导体集成电路所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般晶圆产量多为单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等）。晶圆越大，同一圆片上可生产的集成电路（integrated circuit, IC）就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。一般认为硅(硅)晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。晶圆的制造过程很简单的说，首先由普通硅(硅)砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就得到了单晶硅圆片，也即晶圆。1、将二氧化硅矿石（石英砂）与焦炭混合后，经由电弧炉加热还原，即生成粗硅（纯度98%，冶金级）。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、盐酸氯化并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅(半导体级纯度11个9，太阳能级7个9），因在精密电子元件当中，硅晶圆需要有相当的纯度（99.999999999%），不然会产生缺陷。3、晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅(硅)熔解，再于溶液内掺入一小粒的硅(硅)晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶...

发布时间: 2019 - 01 - 11

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光刻胶

光刻胶光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种－正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。● 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。● 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。

发布时间: 2019 - 01 - 10

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光刻

光刻光刻（英语：photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。首先，通过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光（一般是紫外线）后可以被特定溶液（显影液）溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，可以对光刻胶进行选择性照射（曝光）。然后使用前面提到的显影液，溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施，改善剩余部分光刻胶的一些性质。上述步骤完成后，就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程，未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的最后一步，即将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。

发布时间: 2019 - 01 - 10

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