半导体技术 - 半导体硅片清洗机设备 - 华林科纳半导体设备有限公司

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PP通风柜---华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 10

PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱，克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷，具有的耐酸碱性能。适用行业：适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】：采用厚8-12mm瓷白色PP制作，耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后，同色同质焊条熔焊修饰处理，表面无锐角。【上部柜体】：排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作，耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理，无气流死角，获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】：台面采用12mmPP板制作，耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】：储物柜体，中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链，耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃：采用厚4mm透明亚克力玻璃制作，耐酸碱性能优异。2.调节门边框：为厚瓷白色PP板c型槽，嵌入式结合，以确保安全及耐用性。 3.调节门悬吊钢索：每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重：采无段式配重箱设计，其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关：按钮带灯式自锁开关，包含风机开关，照明开关，总电源开关。2.照明设备：采用全罩式三防灯具，灯罩内具220v*20w*23.插座部分：每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸（L×W×H）1200...

甩干机—华林科纳CSE

发布时间： 2017 - 04 - 06

甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H＝面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质：本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架：SUS25*25*1.2T骨架组合，结构强固。作业视窗：视窗采透明压克力材质，有效掌握作业情况。管路系统：OneChamber模块化。排风系统：间接式抽风设计，有效稳定空气扰流，并同时减低异味。机台支脚：具高低调整及锁定功能。机台正压保护：采N2正压保护。机台微尘控制量：无刷伺服电机去静电氮气控制单元1)管件阀门：SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能：不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能：待机时，保持腔内正压，防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头，对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后，氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时，保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1）控制器操作界面：5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2）软件功能：编辑/储存：制程/维修/警示/编辑/配方/，皆可从操作荧幕上修改。3）储存能力：记忆模块：参数记忆，配方设定。更多的甩干机清洗相关设备，可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096

干燥系统-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配，以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术可单台设备或整合在湿法设备中最佳的占地成熟的工艺无水迹无碎片应用：抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征：可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆适用于标准高边或低边花篮规格：艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run去边缘： 3 mm一般安装参数：尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训：操作、维护、工艺培训标准： CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性：平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

废气处理系统---CSE

发布时间： 2016 - 06 - 06

废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V，三相五线，8KW；4.采用英国废气处理系统工艺，CSE在原工艺上经过升级改造，新的系统推出市场后，客户反映效果较好；系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统，主要由以下几大部分组成：负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内（每个喷淋塔中间为伞装型喷头，对废气层形成水封，瞬间中和废气）、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和（在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔，三级喷淋净化塔内配有PP填料，配有喷嘴，再次充分喷淋中和废气）、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。

GMP自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

研磨液自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

SPM腐蚀机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位，多年来与众多的集成电路生产企业密切合作，研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设备名称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适用领域LED外延及芯片制造设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基本介绍主要功能：通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/蓝）设备形式：室内放置型操作形式：自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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多晶硅片腐蚀清洗工艺规程

1、适用范围：六槽清洗机、八槽清洗机的腐蚀清洗的生产。 3、准备工作3.1、配制腐蚀液3.1.1、八槽清洗机按NaOH：H2O==100g:1L的比例的溶液注入第一槽，容量达到规定要求。按HNO3：HF：H2O：15g：150g：1L的比例的溶液分别注入四、五、六槽容量达到规定要求。3.1.2、六槽清洗机按HF：HN4F:H2O==40g:5g：1L的比例的溶液注入第一槽，容量达到规定要求。按HCL：H2O==100g：1L的比例的溶液注入第三槽，容量达到规定要求按HCLH2O==30g：1L的比例的溶液注入第四槽，容量达到规定要求3.2、确认各槽清洗温度设定及分布正常。3.3、确认各槽清洗状态正常各槽内注入规定的溶液正确。3.4、确认各槽控制系统工作正常程序准确时间设定准确。3.5、确认氮气流量为5L/min4、操作过程：4.1、确认投入作业的硅片的型号、批号、数量、工序。4.2、戴好一次性手套双手将片子一片一片地插入片架内。如果片子经过超声清洗过的片子就无需这样做直接做下工序4.3、用双手操作将插满硅片的片架按顺序平稳地放入清洗花篮内。4.4、用双手将放有硅片的清洗花篮挂上机械手臂上。4.5、再检查一遍运行程序正常符合工艺要求。按下“启动”键程序开始运行。4.6、八槽清洗机运行时随时查看运行状况确保运行正常。4.7、程序运行结束设备报警提示。4.8、双手操作取...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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硅片腐蚀

㈠、目的和原理：利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片金刚砂硬度很高会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱，是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应，但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元，用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。㈡、步骤： 1. 本工艺步骤是施博士制定的，是可行的具有指导意义的两步法碱腐蚀工艺。第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。第二步细抛光，表面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠，化学反应方程式为： 2. 第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层，化...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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多晶硅铸锭硅片清洗设备

多晶硅铸锭硅片清洗设备，包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9)，其特征在于：所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10)，所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面，所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置，所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部，且与驱动机(4)的输出端传动连接，所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上，所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)内部底端面，所述内箱(6)位于集水槽(7)上方；所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧，所述升降机构(2)包括电机一(21)、滑轮(22)、传动轴(23)和绳索(24)，所述传动轴(23)转动连接在加工箱体(1)内部靠上部位，所述滑轮(22)设有两个，两个滑轮(22)对称转动连接在传动轴(23)上，所述滑轮(22)通过绳索(24)与内箱(6)固定连接，所述传动轴(23)与电机一(21)的输出端传动连接；所述清洗机构(9)包括辅助清洁组件(91)和电机二(92)，所述电机二(92)设置在加工箱体(1)底端面，所述辅助清洁组件(91)设有两个，两个所述辅助清洁组件(91)对称设置在加工箱体(1)内部，所述辅助清洁组件(91)包括支架(911)、高压喷头(912)、滑块(913)、齿条(914)、齿轮(915)和安装轴(916)，所述齿...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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绒面光学原理

制备绒面的目的：•减少光的反射率，提高短路电流，以致提高光电转换效率•陷光原理•当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。单晶制绒：单晶制绒流程：预清洗+制绒预清洗目的：通过预清洗去除硅片表面脏污，以及部分损伤层。单晶制绒：预清洗方法：1、10%NaOH，78oC，50sec；2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 预清洗原理：1、10%NaOH，78oC，50sec；利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min；损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液，从而完成硅片的表面清洗。经50sec腐蚀处理，硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比，不考虑损伤层影响，硅片不同晶面的腐蚀速率比为:(110):(100):(111)=25：15：1，硅片不会因各向异性产生预出绒，从而获得理想的预清洗结果。缺点：油污片处理困难，清洗后表面残留物去除困难。预清洗原理：2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2Si...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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微米宽度的反应离子刻蚀氧化铝薄膜研究

1等离子体刻蚀装备与工艺：图1给出了大连理工大学PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片。该装置主要包括两组13.56MHz的射频功率源、阻抗匹配源、电感线圈和同轴电缆构成的复合射频源系统、刻蚀/聚合加工室、等离子体诊断系统、供气和真空系统等4部分。两组射频功率源分别为1.5kW和1kW。刻蚀加工样品置于加工室中的样品台上，样品台采用循环水冷，温度控制范围为5~30℃。该装置可以实现等离子体/离子等不同类型的刻蚀工艺。本试验典型的工艺条件：射频源功率分别为200～400W，50～200W，工作气体BCl3，气体流量30～100sccm，工作气压1～10Pa，刻蚀时间3～10min。图1PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片2等离子体刻蚀结果：试验研究的Er3+掺杂Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜，通过热氧化法在Si(100)基片表面制备SiO2薄膜，再采用溶胶—凝胶法在SiO2/Si表面提拉制备Er3+掺杂Al2O3薄膜。Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜制备工艺详见参考文献[6]。图2给出了制备的Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜的扫描电子显微镜(SEM)照片。Si(100)基片上生长的SiO2层厚约为2.5m，提拉获得的Er3+掺杂Al2O3薄膜约为2m。Er3+掺杂Al2O3薄膜致密、连续地覆盖于氧...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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自动炉管清洗机

自动炉管清洗机图1 图2 图3 图4 图1是本发明实施例的供液原理示意图；图2是图1中的清洗装置的结构示意图；图3是图1中的储液装置的结构示意图；图4是图2清洗装置中的旋转装置的结构示意图。图中：1、储液装置 2、清洗装置 3、供液管路4、废液回收管路 5、气控隔膜阀 6、供液泵7、气动阀 8、废液排放管 9、液位传感器10、控制系统 11、液位传感器 &#...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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自动配酸系统既PID调节

制酸干吸的工艺过程。（1）干燥塔将净化后的SO2烟气给予干燥，干燥后的SO2烟气进入转化器将其转化为SO3；（2）因为浓H2SO4有吸收水分这一特性；利用这个原理，干燥塔吸收烟气中的水分，从而使得干燥循环槽H2SO4的浓度降低，干燥循环槽H2SO4的数量增加、液位升高；（3）通过干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽到干燥循环槽窜酸阀，保持干燥循环槽H2SO4浓度和平衡干燥循环槽H2SO4液位；若生产93%H2SO4，可将放酸阀打开，将干燥循环槽中高于循环槽设定点的H2SO4放入计量槽；若生产98%H2SO4，用干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽到干燥循环槽窜酸阀，保持中间吸收循环槽浓度、控制干燥循环槽液位；（4）中间吸收循环槽是将转化器一次转化后的SO3烟气用浓H2SO4给予吸收；因此，中间吸收循环槽H2SO4的浓度在逐渐升高，液位同时也在升高；如要保持中间吸收循环槽H2SO4的浓度，用干燥循环槽的相对低浓度的H2SO4和给中间吸收循环槽加水的方法才能使中间吸收循环槽H2SO4的浓度保持；如果生产98%H2SO4，打开中间吸收循环槽放酸阀将中间吸收循环槽内的98%H2SO4放入计量槽，保持中间吸收循环槽液位，用干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽H2SO4浓度调节阀保持浓度；；如果生产93%H2SO4，则用中间吸收循环槽H2SO4来调节干燥循环...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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太阳能硅片清洗机

1设备的清洗工艺：全自动硅片清洗机主要以超声波清洗为主，以鼓泡和抛动清洗等工艺为辅助手段。利用超声波渗透力强的机械振动冲击硅片表面并结合清洗剂的化学去污作用达到对硅片的清洗，清洗作用力均匀，清洗洁净度高，清洗效果好，可有效去除硅片表面的杂质。工艺流程：上料(浸泡)→超声清洗（摆动+加热+鼓泡）→超声碱洗（摆动+加热）→超声漂洗（摆动+加热）→慢拉脱水槽（加热）→烘干→下料（手动）对工艺过程所作的调整是多种多样的，其中包括机械手传送的速度、超声清洗的时间、氮气鼓泡的气体流量、抛动系统的频率、溶剂的温度、烘干系统的温度等、超声漂洗用水的流量等。对于客户来讲，主要应考虑设备生产硅片的能力，保证能满足生产要求；同时应降低能耗，在保证硅片清洗干净和烘干的前提下，通过温控系统调整溶剂和漂洗水的温度，以及烘干的温度和时间。2设备整体结构：上料台全自动硅片清洗机是按照一定的工艺要求，由机架、悬臂机械手、上料台、各种超声清洗槽、抛动机构、慢提拉系统、烘干系统、抽风系统、温控系统、电控系统等构成一个多功能的完整设备。该设备适用的硅片规格：125mm×125mm，156mm×156mm。如图1所示。2.1机架和槽体的设计：考虑到太阳能硅片清洗时所用的溶剂为碱溶液，为了提高设备的耐腐蚀性，槽体所用的材质为优质不锈钢。机架的整体材质为碳钢，并用瓷白色PP板进行包覆，不仅满足了设备的强度要...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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水辅助激光刻蚀氧铝陶瓷的研究

１　水下激光传输特性：图１是纯净水对不同波长激光吸收的曲线［９］。横坐标为激光的波长，纵坐标为吸收长度，吸收长度即激光被完全吸收所穿过的溶液长度。当激光射入水中时，水会吸收一部分激光而造成其能量的衰减，这可以由Ｌａｍｂｅｒｔ－Ｂｅｅｒ定律计算得到［１０］：Ｉｘ（λ）＝Ｉ０（λ）ｅｘｐ［－μ（λ）ｘ］（１）式中，Ｉ０（λ）为传输前的激光初始辐照度，Ｉｘ（λ）为在液体中传输路程为ｘ后的激光辐照度；μ（λ）为光束衰减系数，表示激光传输１ｍ距离后能量衰减的对数值（自然对数），单位是ｍ－１。Δ＝１／μ（λ），Δ为激光在溶液中的吸收长度，即激光被完全吸收穿过的溶液长度，则Ｂｅｅｒ－Ｌａｍｂｅｒｔ法则还可写为：（２）由（２）式可以方便地估算出不同水深激光的衰减比例。从图１中可以看出，对不同波长的激光，水的吸收长度Δ不同。对３５５ｎｍ紫外光的吸收长度约为５ｍ，本文中采用的水深为５ｍｍ，此时紫外激光被吸收了约０．１％。相对于其它多数波长水对紫外激光的吸收率较小，因此紫外激光较适合做水下激光加工的光源。２　实验研究２．１　实验材料和设备实验中采用的激光加工设备为多功能紫外激光微加工系统。紫外激光加工系统主要由激光器、冷却系统、紫外光学系统、控制系统、ＣＣＤ定位系统和机械系统构成。激光器是美国ＯＰＴＯＷＡＶＥ（光波）公司的ＡＷａｖｅ３５５系列３５５ｎｍ三倍频全固态调Ｑ紫外激光器，...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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缸体缸盖最终清洗机

1.清洗机概述在发动机的生产线上，清洗机是非常重要的辅机设备，主要的功能就是清洗发动机的每个零部件。清洗机分为三种，通常分为中间清洗机、CMM清洗机以及最终清洗机。着重分析发动机的缸体缸盖的最终清洗机的相关功能以及作用。下图为一种缸体缸盖清洗机和工序节拍:2.缸体缸盖最终清洗机各个工位的功能及作用2.1浪涌清洗工位工件通过机动滚道进入到本工位的浪涌水箱中，有到位装置被设置在输送装置上，对工件的是否到位进行检测，同时发令，停止滚道的输送，关闭浪涌水箱的插门。有浪涌储水箱被配备在这个工位当中，打开浪涌清洗泵电磁阀之后，供水到浪涌水箱内，在供水工作完毕之后减速机驱动鼓轮回转装置就会旋转工件270度，固定搅水喷嘴就会喷水，通过胶水喷嘴以及工件旋转的搅水，就会让水紊流和翻腾，就可以利用涮洗功能对工件的内表面以及水道腔进行清洗；在完成清洗之后，将排水插门打开，进行防水，对工件不断进行倒水操作，这样就能够让下一个工位的吹干工作更加方便的进行，然后打开出料插门，输送工件到下一个工位上。2.2升降清洗工位在工件完成浪涌清洗工位的清洗之后，就会进入到升降清洗工位当中，到位检测开关检测到工件之后就会停止滚道，同时伸出止回器，根据PLC的指令让喷嘴和水箱进行有规律的升降运动，清洗工件三面的表面和孔隙。为了让清洗效果能够得到保证，水箱会不断的上升和下降来进行清洗的工作。在这样的工作循环过几次之后，就会停止水...

发布时间: 2021 - 04 - 12

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