半导体技术 - 半导体硅片清洗机设备 - 华林科纳半导体设备有限公司

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PP通风柜---华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 10

PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱，克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷，具有的耐酸碱性能。适用行业：适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】：采用厚8-12mm瓷白色PP制作，耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后，同色同质焊条熔焊修饰处理，表面无锐角。【上部柜体】：排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作，耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理，无气流死角，获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】：台面采用12mmPP板制作，耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】：储物柜体，中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链，耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃：采用厚4mm透明亚克力玻璃制作，耐酸碱性能优异。2.调节门边框：为厚瓷白色PP板c型槽，嵌入式结合，以确保安全及耐用性。 3.调节门悬吊钢索：每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重：采无段式配重箱设计，其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关：按钮带灯式自锁开关，包含风机开关，照明开关，总电源开关。2.照明设备：采用全罩式三防灯具，灯罩内具220v*20w*23.插座部分：每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸（L×W×H）1200...

甩干机—华林科纳CSE

发布时间： 2017 - 04 - 06

甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H＝面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质：本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架：SUS25*25*1.2T骨架组合，结构强固。作业视窗：视窗采透明压克力材质，有效掌握作业情况。管路系统：OneChamber模块化。排风系统：间接式抽风设计，有效稳定空气扰流，并同时减低异味。机台支脚：具高低调整及锁定功能。机台正压保护：采N2正压保护。机台微尘控制量：无刷伺服电机去静电氮气控制单元1)管件阀门：SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能：不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能：待机时，保持腔内正压，防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头，对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后，氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时，保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1）控制器操作界面：5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2）软件功能：编辑/储存：制程/维修/警示/编辑/配方/，皆可从操作荧幕上修改。3）储存能力：记忆模块：参数记忆，配方设定。更多的甩干机清洗相关设备，可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096

干燥系统-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配，以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术可单台设备或整合在湿法设备中最佳的占地成熟的工艺无水迹无碎片应用：抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征：可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆适用于标准高边或低边花篮规格：艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run去边缘： 3 mm一般安装参数：尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训：操作、维护、工艺培训标准： CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性：平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

废气处理系统---CSE

发布时间： 2016 - 06 - 06

废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体，负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa；2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V，三相五线，8KW；4.采用英国废气处理系统工艺，CSE在原工艺上经过升级改造，新的系统推出市场后，客户反映效果较好；系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统，主要由以下几大部分组成：负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内（每个喷淋塔中间为伞装型喷头，对废气层形成水封，瞬间中和废气）、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和（在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔，三级喷淋净化塔内配有PP填料，配有喷嘴，再次充分喷淋中和废气）、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。

GMP自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

研磨液自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...

SPM腐蚀机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位，多年来与众多的集成电路生产企业密切合作，研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设备名称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适用领域LED外延及芯片制造设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基本介绍主要功能：通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/蓝）设备形式：室内放置型操作形式：自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096；18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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电子

电子电子是一种带有负电的次原子粒子。电子属于轻子类，以重力、电磁力和弱核力与其它粒子相互作用。轻子是构成物质的基本粒子之一，无法被分解为更小的粒子。电子带有1/2自旋，是一种费米子。因此，根据泡利不相容原理，任何两个电子都不能处于同样的状态。电子的反粒子是正电子，其质量、自旋、带电量大小都与电子相同，但是电量正负性与电子相反。电子与正电子会因碰撞而互相湮灭，在这过程中，生成一对以上的光子。由电子与中子、质子所组成的原子，是物质的基本单位。相对于中子和质子所组成的原子核，电子的质量显得极小。质子的质量大约是电子质量的1836倍。当原子的电子数与质子数不等时，原子会带电；称该带电原子为离子。当原子得到额外的电子时，它带有负电，叫阴离子，失去电子时，它带有正电，叫阳离子。若物体带有的电子多于或少于原子核的电量，导致正负电量不平衡时，称该物体带静电。当正负电量平衡时，称物体的电性为电中性。静电在日常生活中有很多用途，例如，静电油漆系统能够将瓷漆或聚氨酯漆，均匀地喷洒于物品表面。电子与质子之间的吸引性库仑力，使得电子被束缚于原子，称此电子为束缚电子。两个以上的原子，会交换或分享它们的束缚电子，这是化学键的主要成因。当电子脱离原子核的束缚，能够自由移动时，则改称此电子为自由电子。许多自由电子一起移动所产生的净流动现象称为电流。在许多物理现象里，像电传导、磁性或热传导，电子都扮演了机要的角色。移...

发布时间: 2019 - 01 - 22

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载流子

载流子在物理学中，载流子（charge carrier），或简称载子（carrier），指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）被视为载流子。在电解质溶液中，载流子是已溶解的阳离子和阴离子。类似地，游离液体中的阳离子和阴离子在液体和熔融态固体电解质中也是载流子。霍尔－埃鲁法就是一个熔融电解的例子。在等离子体，如电弧中，电离气体和汽化的电极材料中的电子和阳离子是载流子。电极汽化在真空中也可以发生，但技术上电弧在真空中不能发生，而是发生在低压电气中；在真空中，如真空电弧或真空管中，自由电子是载流子；在金属中，金属晶格中形成费米气体的电子是载流子。半导体中的多数载流子和少数载流子在半导体中，电子和空穴作为载流子。数目较多的载流子称为多数载流子；在N型半导体中多数载流子是电子，而在P型半导体中多数载流子是空穴。数目较少的载流子称为少数载流子；在N型半导体中少数载流子是空穴，而在P型半导体中少数载流子是电子。少数载流子在双极性晶体管和太阳能电池中起重要作用。不过，此种载流子在场效应管（FET）中的作用是有些复杂的：例如，MOSFET兼有P型和N型。晶体管酌涉及到源漏区，但这些少数载流子横穿多数载流子体。不过在传送区内，横穿的载流子比其相反类型载流子的数目多得多（实际上，相反类型的载流子会被外加电场移除而形成耗尽层），因此按惯例...

发布时间: 2019 - 01 - 22

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PN结

PN结一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结（英语：pn junction）。PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。PN结的形成采用一些特殊的工艺，可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。P型、N型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子，存在浓度梯度，所以二者之间将产生扩散运动。即：● 自由电子由N型半导体向P型半导体的方向扩散● 空穴由P型半导体向N型半导体的方向扩散载流子经过扩散的过程后，扩散...

发布时间: 2019 - 01 - 21

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晶体结构

晶体结构晶体结构是指晶体的周期性结构。固体材料可以分为晶体、准晶体和非晶体三大类，其中，晶体内部原子的排列具有周期性，外部具有规则外形，比如钻石。Hauy最早提出晶体的规则外型是因为晶体内部原子分子呈规则排列，比如钻石所具有的完美外形和优良光学性质就可以归结为其内部原子的规则排列。20世纪初期，劳厄发明X射线衍射法，从此人们可以使用X射线来研究晶体内部的原子排列，其研究结果进而证实了Hauy的判断。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格，不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系，各种晶系分别与十四种空间格（称作布拉维晶格）相对应，在宏观上又可以归结为三十二种空间点群，在微观上可进一步细分为230个空间群。对于晶体结构的研究是研究固体材料的宏观性质及各种微观过程的基础。专门研究分子结晶结构的科学称为晶体学，经常应用在化学、生物化学与分子生物学。

发布时间: 2019 - 01 - 21

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柴可拉斯基法

柴可拉斯基法柴可拉斯基法（简称柴氏法英语：Czochralski process），又称直拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。后来，演变为钢铁工厂的标准制程之一。直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。硅的直拉法生长高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。

发布时间: 2019 - 01 - 15

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单晶

单晶单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的，或者可以说，在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。与单晶相对的，是众多晶粒（Crystallite）组成的多晶（Polycrystal）。单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，由单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶根据晶体生长法制作分为：1、借由柴克劳司基法（Czochralski）：将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。2、浮区法（Floating zone）：可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。

发布时间: 2019 - 01 - 15

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晶种

晶种晶种是一小块单晶或多晶（通常是单晶），像种子般用来成长与自身相同材料、相同晶体结构的大晶体。无论把晶种浸入过饱和溶液，或使晶种与熔融材料接触并冷却，或者让材料蒸气在晶种表面沉积，皆能成长出大晶体。晶种效果背后的理论，从化合物与过饱和溶液（或与蒸气）的分子间物理交互作用衍生而来。在溶液中，自由的可溶分子（溶质）在随机流动中自由移动。此随机流动允许两个或更多的化合物分子有机会交互作用。这种交互作用可以强化分离的分子之间的分子间作用力并形成晶格的基础。然而将晶种置入溶液会使随机分子间的碰撞与交互作用减少，促进再结晶过程。借由引入已有秩序的晶体，分子间不用太仰赖随机流动就可以很容易地进行交互作用。在溶液中这种溶质发展出晶格的相变化被称为成核。简言之，晶种效果就是缩短了再结晶过程中的成核时间。在半导体产业中，常用的柴可拉斯基法与布里奇曼-史托巴格法就是用小晶种长出大人造胚晶或晶锭的运用实例。

发布时间: 2019 - 01 - 14

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半导体

半导体半导体（英语：Semiconductor）是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。电导率容易受控制的半导体，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性非常巨大。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选...

发布时间: 2019 - 01 - 14

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集成电路的发展与普及

集成电路的发展最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里，使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。集成电路的普及仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学...

发布时间: 2019 - 01 - 12

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集成电路的介绍

集成电路的介绍晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：● 小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。● 中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻...

发布时间: 2019 - 01 - 12

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