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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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晶圆减薄机的研发及应用 1硅片自旋转磨削法的特点:(1) 可实现延性域磨削。在加工脆性材料时,当磨削深度小于某一临界值时,可以实现延性域磨削。通过大量试验表明,Si材料的脆性一塑性转换临界值约为0.06m。进给速度厂控制在10m/min,承片台转速取200r/min,则每转切割深度可达到0.05m。对于自旋转磨削,由公式(1)可知,对给定的轴向进给速度,如果工作台的转速足够高,就可以实现极微小磨削深度。(2)可实现高效磨削。由公式(1)可知,通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度,可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下,达到较高的材料去除率,适用于大余量磨削。(3)砂轮与硅片的接触长度、接触面积、切入角不变,磨削力恒定,加工状态稳定,可以避免硅片出现中凸和塌边现象。由r上述优点,现在直径200mm以上的大尺寸硅片背面磨削(backgrinding)大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。2硅片背面磨削的工艺过程:硅片背面磨削一般分为两步:粗磨和精磨。在粗磨阶段,采用粒度46#~500#的金刚石砂轮,轴向进给速度为100~500mm/min,磨削深度较大,般为0.5~l1TII'fl。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料(加工余量的90%)。精磨时,加工余量几微米直至十几微米,采用粒度2000#~4000#的金刚石砂轮,轴向进给速度为0.5~10mm...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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硅拋光片全自动湿法清洗设备的研制硅抛光片湿法清洗原理1.1APM(SC-1):NH4OH/H202/HzOSC-1是碱性溶液,能去除颗粒和部分金属杂质。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜,该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。si〇2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快。Si的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而快。当清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值,一般工艺温度为60〜75°C。SC-1溶液浓度一般控制在稀浓度范围内,这样不但可以有效去除颗粒,而且可以防止表面微粗糙度增加。通常,在SC-1的基础上增加兆声系统,由于兆声微水流的加速度作用,可以增加颗粒去除效果,能够去除小于0.2um颗粒。1.2HPM(SC-2):HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下能去除铁和锌。一般工艺温度为65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时去除表面的金属沾污。一般工艺温度为室温。设备的组成及配置2.1设备的组成设备结构外形如图1所示,硅抛光片全自动湿法清洗设备采用全封闭、模块化结构设计。整机按功...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高真空化学气相外延炉的研制1.1 材料生长工艺简介Ge的晶格常数TGe=5.657A,Si的晶格常数TSi=5.431A。Si1-xGex体合金的晶格常数和Si1-xGex合金与Si之间格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一种典型的晶格失配异质结构系统,x值越大则晶格失配率越大。当x=1时,即Si和Ge之间的晶格失配率为4.2%。这一特点使Si1-xGex/Si结构的生长有别于晶格匹配材料异质结构的情况,其中必需考虑“临界厚度”以及控制和充分利用由于应力引起能带变化而出现的新的电学与光学特性。由于工艺方面的原因,70年代以前,无论在硅单晶衬底上或在锗单晶衬底上,均未能生长出高质量的Si1-xGex异质结外延层,多半会发生三维岛状生长并出现大量的穿透位错,堆垛层错和裂文[6]。由于近年来外延工艺技术的发展,80年代中期人们开始应用低温高真空化学气相外延技术生长硅外延片[7]。90年代中期用同样的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。应用低温高真空化学气相外延技术来生长锗硅薄层,解决了高温生长外延材料的许多缺点,保证原子级的清洁的生长表面,防止引入不希望的缺陷,实现二维共度生长,防止应变弛豫和三维岛状生长以提高晶格完整性,实现原位掺杂,防止界面互扩散以获...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高速电镀设备及工艺流程1上料系统这台设备的上料系统采用了半自动上料方式,首先把产品平放到上料台,由台上的推针把其送入上料夹,夹住产品后翻转至与不锈钢传送带同一平面,后与不锈钢传送带一起运动,当上料夹速度与不锈钢传送带速度一致时,把产品送人不锈钢传送带,翻转至初始位置,完成一次上料过程。2工艺工位每个工位都有一个储液罐,经抽液泵把液体打到工艺槽,形成环状循环(工艺槽在储液罐上面,有一定的距离)。这样的设计不但加快了药水浓度的补充,也把工作液中产生的气体及时排走,避免气泡停留在框架表面。从而提高电镀产品质量,保证镀品成品率。2.1工艺檀有液位传感器,在槽内有几段工位具备产品跟踪系统,有了这套跟踪系统能检测哪段工位有无产品掉落。主要工作原理为:产品进入第一个工艺槽时,该处的记数器开始工作,并记录下产品数量;若下一记数器的数据与上一记数器记录的数据不相同,会立到报警(由电脑上读取)。跟踪系统的存在减少了废品率,提高了成品率,还节约了材料和降低成本。2.2储液罐电镀设备每个工艺槽都配一个储液槽,除装药水外,还保证工艺槽内药水液面,保证镀品质量;若液位不够,工艺槽内会出现时有溶液上来,时而无液体,你想,这样的工作液面能生产产品吗,要让储液罐为工艺槽提供稳定的液拉,就必须由储液槽内的高低位传感器进行控制。若液位低于低位传感器,会报警,此时必须添加溶液至规定刻度;若液位高于高位传感器,也会报警,此...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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双真空室结构磁控溅射台的研制1设计原理:本文设计的磁控溅射台使用阴极溅射的方法淀积薄膜,将电压的负极应用于靶材,正极接于基架地,基片装在基片架上,从而在靶材和基片之间形成一个负的电场。在电场中通人工艺气体,在一定的真空条件下,工艺气体原子就会电离出带正电荷的离子和带负电荷的电子,如果工艺气体是氩气,则有:Ar→Ar++e-。电场的存在使氩离子加速向阴极移动,自由电子则移向正极。这个过程中,加速电子跟更多的氩原子发生碰撞,电子的动能使得受到碰撞的氩原子发生电离。上述过程持续重复,就能产生巨大数量的氩离子和电子,在靶材和基片之间形成等离子区。等离子区中大量带正电的氩离子飞向靶材,因氩离子具有较大的质量,能量较大,碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉积在基片上。图1显示了本设备的溅射成膜原理。  如果在阴极靶材背面合理地安装一块永久磁铁。磁铁的磁场强迫自由电子作额外的螺旋运动,就可以延长电子的移动路径,产生更高等级的分裂,并使得等离子区具有更好的同质性,能够更好的利用靶材,减少由溅射粒子引起的靶材再沉积的数量,避免弧光放电现象。如果阴极是由非导体材料组成,则轰击靶材的工艺气体离子就不能被传导电子中和,溅射过程就会熄火,所以绝缘靶材或电介质靶材不能使用直流源溅射,而需要采用射频溅射。射频溅射使用射频电源(典型13.65MHz)来点燃等离子区。在射频溅射的情况下,靶材交替地被带...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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步进扫描光刻机整机集成工艺方案设计分系统集成工艺方案设计:分系统集成工艺方案设计包含布局与接口分析、集成与检测方案规划、集成工具工装需求规划、集成步骤规划等。布局与接口分析:主要是分析分系统在整机中的布局、接口的形式、定位方式等;集成与检测方案规划:主要是分析集成指标,结合布局与接口形式规划集成方案及检测方法,如指标无法直接实现,还需要进行装配尺寸链分解;集成工具工装需求规划:根据集成和检测方案,选择适用的工具/检具,如需要设计专用工装辅助集成或检测的,则需给出工装设计方案及其指标需求;集成步骤规划:制定分系统集成到整机上的集成步骤。步进扫描光刻机集成工艺方案非常复杂,下文将通过几个分系统案例,阐述集成工艺方案的设计过程。调焦调平分系统调焦调平分系统安装在主基板下方,物镜安装在主基板上方,结构布局如图1所示。根据整机测校流程,调焦调平分系统在物镜曝光过程中实时调平调焦,因此,要求调焦调平焦面与像面的垂向集成误差不能超过调焦调平的焦深范围。步进扫描光刻机所选用的调焦调平分系统焦深范围非常小,是微米级别的。由此,调焦调平集成方案规划需解决以下几方面的问题:1、调焦调平焦面和像面都是光学面,相互为基准集成,集成阶段如何去确定这两个光学面的位置; 图1调焦调平分系统机构布局2、指标是微米级别的,常规的测量方法达不到这个级别的测量精度,该选用什么样的测量仪器;3、在线集成空间小,选...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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TZ一107自动探针测试台主要技术指标及功能:该机的主要技术指标;可测片径;75、100125mm。工作台最大行程;x向265ram,Y向205mm4工作台速度:50mm/S。定位精度:±0.O13mm。重复精度:±0.003mm。行进分辨率:0.Olmm。z向行程:O~O.8mm可诵。该机工作台调整采用多功能集中控制手柄。可实现微动(10m/步)、连续点动’快动、步进等l6种功能。通过键盘命令,可实现“扫描”、图形/探边方式选择、自检、公制/英制步距选择、单图测试、中停、z向升降及微调。机器还具有同步/延时打点选择,工作状态显示及声光报警功能,以及品片平墼:墨:跟踪。并可根据配接的测试仪不同进行状态预置。测试完毕,承片台自动高速“回零”到下料位置,便于装卸晶片。 该系统由滚珠丝杠、电机座l、底座2、溜板3、轴承座4和6、连板5以及轴承、直线滚动导轨、步进电机等组成。用以完成)0一Y步进运动、扫描、装卸片时快速进中心和回零。x、Y向均采用最高精度的C级滚球丝杠,较高精度的D级滚动直线导轨,和高速大力矩步进电机驱动系统。使精度和可重复性达到美[Electroglas公司生产的lO34x一6型5自动探针台的水平。由于选用了新型滚动功能部件,还使结构简单、工作稳定、易于维护保养。 该系统由吸盘1、芯轴2、摆杆5、托板8、偏心套10和步进电机等组成。...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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半自动刷片机1主机毛刷由微型电机带动可做顺逆时针方向转动。同时,硅片架由毛刷架拨动作间隙转动。由于这两个运动的结合,使硅片的每一部位都能刷到。为避免划伤表面,采用较软的羊毛制刷。本机还采用杠杆式取片机构,装片、取片时能自动抬起片架,从而避免了通常取片方式带入的硅渣,确保了清洗质量。 2控制器(见图1)电路比较简单,由周期为约15秒和30秒两档的多谐振荡器和三级分频器、一个译码器组成。涂电源外,全部电路由十只三极管和十三只二极管组成(详见控制电路如图4和5)。电机转向由第一级分频器控制。电机启动前,全部计数器都置零,启动后开始计数,计到名时,译码器给出脉冲,关断电机电源。主机结构示意图(图2、3)及使用:工作前将待清洗的硅片置于硅片盘(5)上,清洗用水由进水咀(1)注入到毛刷和硅片上。于交通电源,启动电机(9),毛刷(7)转动并自动定时换向。就这样边冲水边刷片达到清洗目的。和毛刷连在一起的拨杆(6)随毛刷转动而不时拨动硅片盘,使盘间隙转动一个角度,以保证硅片每个部分都能均匀刷到。机器自动来回八次转向后自动关断电源,工作人员可打开机器上盖,(10)压动杠杆(2)使托片盘(4)翘起,自动抬起硅片,已使取片,清洗用水由出水詛(3)流出。  免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 09
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PVD技术及设备玻璃表面镀膜:•玻璃表面镀膜是玻璃表面改性的常用方法,通过镀膜可以改变玻璃的光学、热学、电学、力学、化学性质、膜层既可是功能性的,也可以是装饰性的。•玻璃表面镀膜方法化学还原、高温分解、化学气相沉积、物理气相沉积、电浮等。气相沉积方法:•PVD:物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現象来进行薄膜沉积。•CVD:化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸气相经过化学反应后,在玻璃表面形成固相薄膜。  1、 汤生放电区:离子撞击阴极产生二次电子,参与与气体分子碰撞,并使气体分子继续电离,产生新的离子和电子。这时,放电电流迅速增加,但电压变化不大,这一放电阶段称为汤生放电。汤生放电后期称为电晕放电。•电极间无电流通过,气体原子多处于中性,只有少量的电离粒子在电场作用下定向运动,形成极微弱的电流。2和3、辉光放电区:汤生放电后,气体会突然发生电击穿现象。此时,气体具备了相当的导电能力,称这种具有一定导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加,放电电压却有所下降。导电粒子大量增加,能量转移也足够大,放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大,辉光区扩大到整放电长度上,电压有所回升,辉光的亮度不断提高,叫异常辉光放电,可提供面积大、分布均匀的等离子体。气体放电现象4、 ...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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GPP器件关键工艺设备制造技术研究1GPP二极管工艺制程图l为GPP二极管制造主要工艺流程示意图,包括晶片来料湿法清洗、磷预扩散、硼扩散及磷再分布、一次光刻、V形沟槽刻蚀、s口OS(SE.mi—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON)半绝缘多晶硅保护膜淀积、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃烧结、LTO(LOWTEMPERAN】reoxid撕on)低温氧化层淀积、三次光刻、接触面刻蚀、镀镍、镍烧结、镀金、电性测试。 从以上流程可以看出,GPP二极管的制程主要为三层保护膜的制作,其中SIPOS起到束缚电子的作用,烧结玻璃是对PN结的保护、Si0:是防止镍层与玻璃的附着;而这三层保护膜的完成都是基于同一位置——晶圆V形深沟槽中,由此可见沟槽的宽度、深度、形状、均匀性等直接影响着玻璃覆层的附着及厚度,进而影响着GPP二极管的性能参数。以往多采用机械式划槽技术,采用高速砂轮划V型槽,由于易造成碎片,沟槽深度也有一定的限制,因此现在多采用半导体平面刻蚀槽工艺技术,即光刻掩膜后利用湿法腐蚀的原理刻蚀V形槽。V型槽腐蚀液配比通常为硝酸:氢氟酸:冰醋酸=5:5:2,腐蚀温度为一10℃~0℃,时间20~25rnjn(腐蚀时间随槽深而确定),通常为100~120斗m,关键是控制好腐蚀速率。2GPP器件关键工艺设备GPP二极管主要工艺流程为沟槽制作及保护膜的制作,因...
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