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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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引线键合工艺MEMS芯片的引线键合的主要技术仍然采用IC芯片的引线键合技术,其主要技术有两种,即热压键合和热超声键合。引线键合基本要求有:(1)首先要对焊盘进行等离子清洗;(2)注意焊盘的大小,选择合适的引线直径;(3)键合时要选好键合点的位置;(4)键合时要注意键合时成球的形状和键合强度;(5)键合时要调整好键合引线的高度和跳线的成线弧度。 常用的引线键合设备有热压键合、超声键合和热超声键合。 (1)热压键合法:热压键合法的机制是低温扩散和塑性流动(PlasticFlow)的结合,使原子发生接触,导致固体扩散键合。键合时承受压力的部位,在一定的时间、温度和压力的周期中,接触的表面就会发生塑性变形(PlasticDeformation)和扩散。塑性变形是破坏任何接触表面所必需的,这样才能使金属的表面之间融合。在键合中,焊丝的变形就是塑性流动。该方法主要用于金丝键合。(2)超声键合法:焊丝超声键合是塑性流动与摩擦的结合。通过石英晶体或磁力控制,把摩擦的动作传送到一个金属传感器(Metal“HORN”)上。当石英晶体上通电时,金属传感器就会伸延;当断开电压时,传感器就会相应收缩。这些动作通过超声发生器发生,振幅一般在4-5个微米。在传感器的末端装上焊具,当焊具随着传感器伸缩前后振动时,焊丝就在键合点上摩擦,通过由上而下的压力发生塑性变形。大部分塑性变形在键合点承受超...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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一、用料铜编织线1050mm1根,950mm1根;铜接线端子200A2个;助焊剂,焊条;二、工具专用焊锡锅1只;专用钳子1把;专用卡具1对;螺丝刀,锥子,锉刀等三、制作方法将铜编织线一端夹在专用卡具里,尽量让铜编织线与夹具持平,或稍高出夹具一些。然后将螺丝穿过卡具盖板,再穿过铜编织线,拧紧螺丝,让铜编织线在夹具里厚度一致。另一端用铜接线端子将铜编织线包住,然后用专用钳子将接线端子夹紧,将铜编织线固定在铜端子里后用手锤将铜端子砸平即可。四、焊锡加温将焊锡条放入焊锡锅,通电加热,当焊锡条溶化后,再加热20-30分钟,表面起氧化反应即可。用一铁片将表面的氧化层刮掉,这时将铜编织线两端分别浸泡在助焊剂中2-3秒,取出后垂直放入锡锅内,放入深度与专用夹具平行即可。另一端与接线端子全部进入锡锅中为止,放置2-4秒后即可。五、电极头制作待铜编织线冷却后,将多余的焊锡及铜线去掉,将专用夹具去掉后将这部分进行加工处理,如图所示:料厚=4mm 六、 将制作好的电极套上18的腊管,用绝缘胶布将两端的腊管头部与端子根部包住,另一端与加工部位的根部包住,即完成。免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 12
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蓝宝石晶体结构图: 蓝宝石切面图晶体结构上视图蓝宝石(Al2O3)特性: 蓝宝石晶体生长过程: 蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成。晶体生长方法: 晶体生长方法: 泡生法示意图  水平传动法示意图 提拉法示意图 热交换法示意图 熔焰法示意图 导模法示意图  导向温梯法示意图 微提拉旋转泡生法示意图1-冷凝水杆;2-加热器;3-籽晶夹;4-热交换器顶部;5-坩锅;6-晶体;7-固/液界面;8-熔体;9-支撑杆;10-热屏蔽系统蓝宝石晶棒加工制作工艺流程: 蓝宝石晶片加工制作工艺流程: 蓝宝石晶棒加工制作工艺流程图片: 免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 12
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晶圆划片机 晶圆划片机,包括机体、导轨、支撑座、晶圆片、滑轨、主轴、划刀,导轨安装在机体内,支撑座安装在导轨上,晶圆片安装在支撑座上,滑轨安装在机体的内部,主轴安装在滑轨的底部,划刀安装在主轴的端部,所述支撑座上安装有磁环,所述支撑座内安装有位于磁环内圈处的卡套,所述卡套的内部填充有胶板,所述胶板的顶部与晶圆片的底部粘接,所述主轴的外圈处固定连接有磁杆,所述磁杆的端部固定连接有第一磁圈。支撑座的顶部安装有支撑杆,支撑杆的外部滑动套装有滑动套,滑动套的外侧螺纹连接有螺栓,螺栓的端部贯穿并延伸至滑动套的内部,滑动套的侧面固定连接有支撑块,支撑块的端部固定连接有定位环。定位环的内部填充有粘接环,定位环的直径大于晶圆片的直径,粘接环与晶圆片为轴向滑动连接。第一磁圈的外圈处固定连接有磁棒,所述磁棒的端部固定连接有第二磁圈,所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈的磁极均为相同磁极,所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈与磁环为同极相斥状态。胶板的材质为工业级橡皮泥材质,所述粘接环的材质为粘性橡胶圈,所述粘接环上开设有若干个通孔,所述粘接环上通孔的形状与晶圆片的形状相适配。1、该晶圆划片机,通过卡套与胶板之间的配合使用,使得晶圆在切割过程中,底部受到重力与磁力相斥的力度直接陷进胶板的内部,通过胶板的柔性设计,使得晶圆在切割时,底部直接被胶板包裹,同时通过胶板将晶圆固定在支撑座上,无需另外采用固...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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化学机械抛光设备及其操作方法 图1 图2A  图2B 图3  图4  图5A 图5B 图6图1是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图2A是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图2B是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意横截面图。图3是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图4是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图5A及5B是根据一些实施例的图4中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图6是绘示根据一些实施例的操作CMP设备的方法的示意流程图。图1是绘示根据一些实施例的CMP设备100的示意图。如图1中所展示,CMP设备100包含压板102、晶片载体104及垫调节器110。抛光垫105安置于压板102上且包含面向晶片载体104及垫调节器110的抛光表面105A。在一些实施例中,压板102可由基座101支撑且可使抛光垫105围绕第一轴线103旋转。晶片载体104包含轴件106及耦合到轴件106的平板107。轴件106经配置以围绕第二轴线113旋转。平板107经配置以固持工件108,例如半导体晶片。在一些实施例中,晶片载体104经配置以向上或向下移动晶片108,使得晶片108可与抛光表面105A接合。在一些实施例中,平板107可通过...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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晶圆减薄机的研发及应用 1硅片自旋转磨削法的特点:(1) 可实现延性域磨削。在加工脆性材料时,当磨削深度小于某一临界值时,可以实现延性域磨削。通过大量试验表明,Si材料的脆性一塑性转换临界值约为0.06m。进给速度厂控制在10m/min,承片台转速取200r/min,则每转切割深度可达到0.05m。对于自旋转磨削,由公式(1)可知,对给定的轴向进给速度,如果工作台的转速足够高,就可以实现极微小磨削深度。(2)可实现高效磨削。由公式(1)可知,通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度,可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下,达到较高的材料去除率,适用于大余量磨削。(3)砂轮与硅片的接触长度、接触面积、切入角不变,磨削力恒定,加工状态稳定,可以避免硅片出现中凸和塌边现象。由r上述优点,现在直径200mm以上的大尺寸硅片背面磨削(backgrinding)大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。2硅片背面磨削的工艺过程:硅片背面磨削一般分为两步:粗磨和精磨。在粗磨阶段,采用粒度46#~500#的金刚石砂轮,轴向进给速度为100~500mm/min,磨削深度较大,般为0.5~l1TII'fl。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料(加工余量的90%)。精磨时,加工余量几微米直至十几微米,采用粒度2000#~4000#的金刚石砂轮,轴向进给速度为0.5~10mm...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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硅拋光片全自动湿法清洗设备的研制硅抛光片湿法清洗原理1.1APM(SC-1):NH4OH/H202/HzOSC-1是碱性溶液,能去除颗粒和部分金属杂质。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜,该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。si〇2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快。Si的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而快。当清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值,一般工艺温度为60〜75°C。SC-1溶液浓度一般控制在稀浓度范围内,这样不但可以有效去除颗粒,而且可以防止表面微粗糙度增加。通常,在SC-1的基础上增加兆声系统,由于兆声微水流的加速度作用,可以增加颗粒去除效果,能够去除小于0.2um颗粒。1.2HPM(SC-2):HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下能去除铁和锌。一般工艺温度为65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时去除表面的金属沾污。一般工艺温度为室温。设备的组成及配置2.1设备的组成设备结构外形如图1所示,硅抛光片全自动湿法清洗设备采用全封闭、模块化结构设计。整机按功...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高真空化学气相外延炉的研制1.1 材料生长工艺简介Ge的晶格常数TGe=5.657A,Si的晶格常数TSi=5.431A。Si1-xGex体合金的晶格常数和Si1-xGex合金与Si之间格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一种典型的晶格失配异质结构系统,x值越大则晶格失配率越大。当x=1时,即Si和Ge之间的晶格失配率为4.2%。这一特点使Si1-xGex/Si结构的生长有别于晶格匹配材料异质结构的情况,其中必需考虑“临界厚度”以及控制和充分利用由于应力引起能带变化而出现的新的电学与光学特性。由于工艺方面的原因,70年代以前,无论在硅单晶衬底上或在锗单晶衬底上,均未能生长出高质量的Si1-xGex异质结外延层,多半会发生三维岛状生长并出现大量的穿透位错,堆垛层错和裂文[6]。由于近年来外延工艺技术的发展,80年代中期人们开始应用低温高真空化学气相外延技术生长硅外延片[7]。90年代中期用同样的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。应用低温高真空化学气相外延技术来生长锗硅薄层,解决了高温生长外延材料的许多缺点,保证原子级的清洁的生长表面,防止引入不希望的缺陷,实现二维共度生长,防止应变弛豫和三维岛状生长以提高晶格完整性,实现原位掺杂,防止界面互扩散以获...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高速电镀设备及工艺流程1上料系统这台设备的上料系统采用了半自动上料方式,首先把产品平放到上料台,由台上的推针把其送入上料夹,夹住产品后翻转至与不锈钢传送带同一平面,后与不锈钢传送带一起运动,当上料夹速度与不锈钢传送带速度一致时,把产品送人不锈钢传送带,翻转至初始位置,完成一次上料过程。2工艺工位每个工位都有一个储液罐,经抽液泵把液体打到工艺槽,形成环状循环(工艺槽在储液罐上面,有一定的距离)。这样的设计不但加快了药水浓度的补充,也把工作液中产生的气体及时排走,避免气泡停留在框架表面。从而提高电镀产品质量,保证镀品成品率。2.1工艺檀有液位传感器,在槽内有几段工位具备产品跟踪系统,有了这套跟踪系统能检测哪段工位有无产品掉落。主要工作原理为:产品进入第一个工艺槽时,该处的记数器开始工作,并记录下产品数量;若下一记数器的数据与上一记数器记录的数据不相同,会立到报警(由电脑上读取)。跟踪系统的存在减少了废品率,提高了成品率,还节约了材料和降低成本。2.2储液罐电镀设备每个工艺槽都配一个储液槽,除装药水外,还保证工艺槽内药水液面,保证镀品质量;若液位不够,工艺槽内会出现时有溶液上来,时而无液体,你想,这样的工作液面能生产产品吗,要让储液罐为工艺槽提供稳定的液拉,就必须由储液槽内的高低位传感器进行控制。若液位低于低位传感器,会报警,此时必须添加溶液至规定刻度;若液位高于高位传感器,也会报警,此...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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双真空室结构磁控溅射台的研制1设计原理:本文设计的磁控溅射台使用阴极溅射的方法淀积薄膜,将电压的负极应用于靶材,正极接于基架地,基片装在基片架上,从而在靶材和基片之间形成一个负的电场。在电场中通人工艺气体,在一定的真空条件下,工艺气体原子就会电离出带正电荷的离子和带负电荷的电子,如果工艺气体是氩气,则有:Ar→Ar++e-。电场的存在使氩离子加速向阴极移动,自由电子则移向正极。这个过程中,加速电子跟更多的氩原子发生碰撞,电子的动能使得受到碰撞的氩原子发生电离。上述过程持续重复,就能产生巨大数量的氩离子和电子,在靶材和基片之间形成等离子区。等离子区中大量带正电的氩离子飞向靶材,因氩离子具有较大的质量,能量较大,碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉积在基片上。图1显示了本设备的溅射成膜原理。  如果在阴极靶材背面合理地安装一块永久磁铁。磁铁的磁场强迫自由电子作额外的螺旋运动,就可以延长电子的移动路径,产生更高等级的分裂,并使得等离子区具有更好的同质性,能够更好的利用靶材,减少由溅射粒子引起的靶材再沉积的数量,避免弧光放电现象。如果阴极是由非导体材料组成,则轰击靶材的工艺气体离子就不能被传导电子中和,溅射过程就会熄火,所以绝缘靶材或电介质靶材不能使用直流源溅射,而需要采用射频溅射。射频溅射使用射频电源(典型13.65MHz)来点燃等离子区。在射频溅射的情况下,靶材交替地被带...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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