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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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㈠、目的和原理:利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用,去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层,同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性,争取表面较低反射率较低的表面织构。 解释:①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶 硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片金刚砂硬度很高会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱,是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得,价格比较便宜,每500克6元。化学反应方程式为: 分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应,但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元,用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒,不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外,碱性系统与硅反应,基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀,可以保证一定的平行度。 ㈡、步骤: 1. 本工艺步骤是施博士制定的,是可行的具有指导意义的两步法碱腐蚀工艺。第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。第二步细抛光,表面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠,化学反应方程式为: 2. 第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层,化...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9),其特征在于:所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10),所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面,所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置,所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部,且与驱动机(4)的输出端传动连接,所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上,所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)内部底端面,所述内箱(6)位于集水槽(7)上方;所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧,所述升降机构(2)包括电机一(21)、滑轮(22)、传动轴(23)和绳索(24),所述传动轴(23)转动连接在加工箱体(1)内部靠上部位,所述滑轮(22)设有两个,两个滑轮(22)对称转动连接在传动轴(23)上,所述滑轮(22)通过绳索(24)与内箱(6)固定连接,所述传动轴(23)与电机一(21)的输出端传动连接;所述清洗机构(9)包括辅助清洁组件(91)和电机二(92),所述电机二(92)设置在加工箱体(1)底端面,所述辅助清洁组件(91)设有两个,两个所述辅助清洁组件(91)对称设置在加工箱体(1)内部,所述辅助清洁组件(91)包括支架(911)、高压喷头(912)、滑块(913)、齿条(914)、齿轮(915)和安装轴(916),所述齿...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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制备绒面的目的:•减少光的反射率,提高短路电流,以致提高光电转换效率•陷光原理•当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。单晶制绒:单晶制绒流程:预清洗+制绒预清洗目的:通过预清洗去除硅片表面脏污,以及部分损伤层。 单晶制绒:预清洗方法:1、10%NaOH,78oC,50sec;2、①1000gNaOH,65-70oC(超声),3min;②1000gNa2SiO3+4LIPA,65oC,2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 预清洗原理:1、10%NaOH,78oC,50sec;利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时,采用上述工艺,硅片腐蚀速率可达5μm/min;损伤去除完全后,硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀,硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液,从而完成硅片的表面清洗。经50sec腐蚀处理,硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比,不考虑损伤层影响,硅片不同晶面的腐蚀速率比为:(110):(100):(111)=25:15:1,硅片不会因各向异性产生预出绒,从而获得理想的预清洗结果。缺点:油污片处理困难,清洗后表面残留物去除困难。预清洗原理:2、①1000gNaOH,65-70oC(超声),3min;②1000gNa2Si...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1等离子体刻蚀装备与工艺:图1给出了大连理工大学PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片。该装置主要包括两组13.56MHz的射频功率源、阻抗匹配源、电感线圈和同轴电缆构成的复合射频源系统、刻蚀/聚合加工室、等离子体诊断系统、供气和真空系统等4部分。两组射频功率源分别为1.5kW和1kW。刻蚀加工样品置于加工室中的样品台上,样品台采用循环水冷,温度控制范围为5~30℃。该装置可以实现等离子体/离子等不同类型的刻蚀工艺。本试验典型的工艺条件:射频源功率分别为200~400W,50~200W,工作气体BCl3,气体流量30~100sccm,工作气压1~10Pa,刻蚀时间3~10min。 图1PEPP-300型等离子体刻蚀/聚合复合加工系统照片2等离子体刻蚀结果:试验研究的Er3+掺杂Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜,通过热氧化法在Si(100)基片表面制备SiO2薄膜,再采用溶胶—凝胶法在SiO2/Si表面提拉制备Er3+掺杂Al2O3薄膜。Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜制备工艺详见参考文献[6]。图2给出了制备的Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波导薄膜的扫描电子显微镜(SEM)照片。Si(100)基片上生长的SiO2层厚约为2.5m,提拉获得的Er3+掺杂Al2O3薄膜约为2m。Er3+掺杂Al2O3薄膜致密、连续地覆盖于氧...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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自动炉管清洗机  图1 图2  图3  图4 图1是本发明实施例的供液原理示意图;图2是图1中的清洗装置的结构示意图;图3是图1中的储液装置的结构示意图;图4是图2清洗装置中的旋转装置的结构示意图。 图中:1、储液装置       2、清洗装置            3、供液管路4、废液回收管路   5、气控隔膜阀          6、供液泵7、气动阀         8、废液排放管          9、液位传感器10、控制系统      11、液位传感器      &#...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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制酸干吸的工艺过程。(1)干燥塔将净化后的SO2烟气给予干燥,干燥后的SO2烟气进入转化器将其转化为SO3;(2)因为浓H2SO4有吸收水分这一特性;利用这个原理,干燥塔吸收烟气中的水分,从而使得干燥循环槽H2SO4的浓度降低,干燥循环槽H2SO4的数量增加、液位升高;(3)通过干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽到干燥循环槽窜酸阀,保持干燥循环槽H2SO4浓度和平衡干燥循环槽H2SO4液位;若生产93%H2SO4,可将放酸阀打开,将干燥循环槽中高于循环槽设定点的H2SO4放入计量槽;若生产98%H2SO4,用干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽到干燥循环槽窜酸阀,保持中间吸收循环槽浓度、控制干燥循环槽液位;(4)中间吸收循环槽是将转化器一次转化后的SO3烟气用浓H2SO4给予吸收;因此,中间吸收循环槽H2SO4的浓度在逐渐升高,液位同时也在升高;如要保持中间吸收循环槽H2SO4的浓度,用干燥循环槽的相对低浓度的H2SO4和给中间吸收循环槽加水的方法才能使中间吸收循环槽H2SO4的浓度保持;如果生产98%H2SO4,打开中间吸收循环槽放酸阀将中间吸收循环槽内的98%H2SO4放入计量槽,保持中间吸收循环槽液位,用干燥循环槽到中间吸收循环槽窜酸阀和中间吸收循环槽H2SO4浓度调节阀保持浓度;;如果生产93%H2SO4,则用中间吸收循环槽H2SO4来调节干燥循环...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1设备的清洗工艺:全自动硅片清洗机主要以超声波清洗为主,以鼓泡和抛动清洗等工艺为辅助手段。利用超声波渗透力强的机械振动冲击硅片表面并结合清洗剂的化学去污作用达到对硅片的清洗,清洗作用力均匀,清洗洁净度高,清洗效果好,可有效去除硅片表面的杂质。工艺流程:上料(浸泡)→超声清洗(摆动+加热+鼓泡)→超声碱洗(摆动+加热)→超声漂洗(摆动+加热)→慢拉脱水槽(加热)→烘干→下料(手动)对工艺过程所作的调整是多种多样的,其中包括机械手传送的速度、超声清洗的时间、氮气鼓泡的气体流量、抛动系统的频率、溶剂的温度、烘干系统的温度等、超声漂洗用水的流量等。对于客户来讲,主要应考虑设备生产硅片的能力,保证能满足生产要求;同时应降低能耗,在保证硅片清洗干净和烘干的前提下,通过温控系统调整溶剂和漂洗水的温度,以及烘干的温度和时间。2设备整体结构:上料台全自动硅片清洗机是按照一定的工艺要求,由机架、悬臂机械手、上料台、各种超声清洗槽、抛动机构、慢提拉系统、烘干系统、抽风系统、温控系统、电控系统等构成一个多功能的完整设备。该设备适用的硅片规格:125mm×125mm,156mm×156mm。如图1所示。2.1机架和槽体的设计:考虑到太阳能硅片清洗时所用的溶剂为碱溶液,为了提高设备的耐腐蚀性,槽体所用的材质为优质不锈钢。机架的整体材质为碳钢,并用瓷白色PP板进行包覆,不仅满足了设备的强度要...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1 水下激光传输特性:图1是纯净水对不同波长激光吸收的曲线[9]。横坐标为激光的波长,纵坐标为吸收长度,吸收长度即激光被完全吸收所穿过的溶液长度。 当激光射入水中时,水会吸收一部分激光而造成其能量的衰减,这可以由Lambert-Beer定律计算得到[10]:Ix(λ)=I0(λ)exp[-μ(λ)x](1)式中,I0(λ)为传输前的激光初始辐照度,Ix(λ)为在液体中传输路程为x后的激光辐照度;μ(λ)为光束衰减系数,表示激光传输1m距离后能量衰减的对数值(自然对数),单位是m-1。Δ=1/μ(λ),Δ为激光在溶液中的吸收长度,即激光被完全吸收穿过的溶液长度,则Beer-Lambert法则还可写为: (2)由(2)式可以方便地估算出不同水深激光的衰减比例。从图1中可以看出,对不同波长的激光,水的吸收长度Δ不同。对355nm紫外光的吸收长度约为5m,本文中采用的水深为5mm,此时紫外激光被吸收了约0.1%。相对于其它多数波长水对紫外激光的吸收率较小,因此紫外激光较适合做水下激光加工的光源。2 实验研究2.1 实验材料和设备实验中采用的激光加工设备为多功能紫外激光微加工系统。紫外激光加工系统主要由激光器、冷却系统、紫外光学系统、控制系统、CCD定位系统和机械系统构成。激光器是美国OPTOWAVE(光波)公司的AWave355系列355nm三倍频全固态调Q紫外激光器,...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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1.清洗机概述在发动机的生产线上,清洗机是非常重要的辅机设备,主要的功能就是清洗发动机的每个零部件。清洗机分为三种,通常分为中间清洗机、CMM清洗机以及最终清洗机。着重分析发动机的缸体缸盖的最终清洗机的相关功能以及作用。下图为一种缸体缸盖清洗机和工序节拍:2.缸体缸盖最终清洗机各个工位的功能及作用2.1浪涌清洗工位工件通过机动滚道进入到本工位的浪涌水箱中,有到位装置被设置在输送装置上,对工件的是否到位进行检测,同时发令,停止滚道的输送,关闭浪涌水箱的插门。有浪涌储水箱被配备在这个工位当中,打开浪涌清洗泵电磁阀之后,供水到浪涌水箱内,在供水工作完毕之后减速机驱动鼓轮回转装置就会旋转工件270度,固定搅水喷嘴就会喷水,通过胶水喷嘴以及工件旋转的搅水,就会让水紊流和翻腾,就可以利用涮洗功能对工件的内表面以及水道腔进行清洗;在完成清洗之后,将排水插门打开,进行防水,对工件不断进行倒水操作,这样就能够让下一个工位的吹干工作更加方便的进行,然后打开出料插门,输送工件到下一个工位上。2.2升降清洗工位在工件完成浪涌清洗工位的清洗之后,就会进入到升降清洗工位当中,到位检测开关检测到工件之后就会停止滚道,同时伸出止回器,根据PLC的指令让喷嘴和水箱进行有规律的升降运动,清洗工件三面的表面和孔隙。为了让清洗效果能够得到保证,水箱会不断的上升和下降来进行清洗的工作。在这样的工作循环过几次之后,就会停止水...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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引线键合工艺MEMS芯片的引线键合的主要技术仍然采用IC芯片的引线键合技术,其主要技术有两种,即热压键合和热超声键合。引线键合基本要求有:(1)首先要对焊盘进行等离子清洗;(2)注意焊盘的大小,选择合适的引线直径;(3)键合时要选好键合点的位置;(4)键合时要注意键合时成球的形状和键合强度;(5)键合时要调整好键合引线的高度和跳线的成线弧度。 常用的引线键合设备有热压键合、超声键合和热超声键合。 (1)热压键合法:热压键合法的机制是低温扩散和塑性流动(PlasticFlow)的结合,使原子发生接触,导致固体扩散键合。键合时承受压力的部位,在一定的时间、温度和压力的周期中,接触的表面就会发生塑性变形(PlasticDeformation)和扩散。塑性变形是破坏任何接触表面所必需的,这样才能使金属的表面之间融合。在键合中,焊丝的变形就是塑性流动。该方法主要用于金丝键合。(2)超声键合法:焊丝超声键合是塑性流动与摩擦的结合。通过石英晶体或磁力控制,把摩擦的动作传送到一个金属传感器(Metal“HORN”)上。当石英晶体上通电时,金属传感器就会伸延;当断开电压时,传感器就会相应收缩。这些动作通过超声发生器发生,振幅一般在4-5个微米。在传感器的末端装上焊具,当焊具随着传感器伸缩前后振动时,焊丝就在键合点上摩擦,通过由上而下的压力发生塑性变形。大部分塑性变形在键合点承受超...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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