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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文将对具有相同特性的晶片进行反复洗脱,用AFM测量了增加的LLS的结果,确定是晶片表面突出的横梁状缺陷,而不是pit或void。 因此,除了之前发现的oxide defect发生机制外,如果在硅晶片表面或bulk内表面附近存在其他相(phase)的物质(如氧析出物),则会影响oxide quality。被理解为可能发生。图4.4 图4.5如图4.4所示,对于Sample A,COP在晶片正面的晶片,通过SC-1重复洗脱,可以看出COP的数目增加, 在图4.5中显示,Sample B期望没有COP,只有氧析出物存在的晶片反复清洁时,被认为是大于0.12 um size的COP的LLS增加,后来讨论这个结果是一般所知道的可认为是重复洗井时COP的size增加或个数增加的部分,或AFM测量时得到的结果不同,在测量大于0.065 um size的LLS时,defect过多,因此将测量size调整为大于0.12 um。 AFM分析与结果:每个sample的重复洗脱结果显示所有晶片上size大于0.12 um的LLS呈逐渐增加的结果,为了确定不断增加的LLS的真实morphology,我们将每个sample重复清洗了25次,以基准试样Sample A为例,在重复洗脱前用SP-1 TBI用LLS测量发现的缺陷,经AFM测量后确认...
发布时间: 2021 - 12 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了替代SPM湿法清洗工艺的高浓度臭氧水生产技术,在这项工作中,我们研制了表面放电式臭氧发生器,还研制了高效臭氧接触器,用于混合臭氧气体和去离子水,作为臭氧化水的生产测试结果,我们在70 ppm臭氧化水的10%重量浓度下获得了80 ppm以上的臭氧化水浓度。在半导体晶片表面形成薄氧化膜的工艺,工艺使用氧化力约为30[ppm]以下的臭氧水浓度,半导体和平板反应领域的PR去除工艺是需要最高浓度臭氧数的工艺,目前使用等离子体ashing PR后,将残沙处理为过氧化氢和硫酸混合化学液的干/湿混合工艺应用最广泛。在湿化学溶液中,过氧化氢是氧化柿子光膜中包含的碳基有机物的酸。随着化学溶液使用量的增加,含有废硫酸嘴的化学废水量变得越来越重,为了去除废水处理过程中有毒的过氧化氢水,必须采用脱过氧化氢工艺,因此,不仅增加了处理成本,还在环境方面引起了问题。最近,作为取代这种硫酸基溶液的PR去除工艺的一种新的工艺技术,有关将臭氧溶解在纯水中的臭氧水应用的研究正在积极进行,被称为比过氧化氢更强的氧化剂。 图2如图2所示,作为制作的放电管单元,使用了外径为10[mm]、内径为8[mm]的陶瓷电介质管,内部电极采用钨丝,以抑制放电时电极的氧化及金属离子的释放现象,生成纯度的臭氧气体,适合半导体工艺使用。臭氧作为对水溶解度比较低的气体,通过中间瓶颈部分进一步...
发布时间: 2021 - 12 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料表面纹理对减少光反射和改善硅衬底内的光约束具有重要作用,从而提高太阳能电池的效率,研究了不同厚度碳硅晶片的湿各向异性纹理和随后的湿各向同性平滑,以改善光捕获。研究了试剂浓度和蚀刻时间对工艺平滑的影响,利用紫外-可见分光光度计监测纹理平滑步骤前后的反射特性,并用扫描电子显微镜获得表面形貌图像。在实践中,单晶硅表面纹理由各向异性碱性蚀刻组成,容易形成随机分布的上行金字塔。尽管这一过程的结果确实能有效地降低硅表面的反射率,但金字塔尖端的结果是尖锐的,并可能在已完成的太阳能电池中产生不希望的分流效应。薄晶片目前用于实现异质结太阳能电池,以降低制造成本,在这项技术中,薄晶圆硅表面的纹理和平滑对于改善光捕获和减少分流效应至关重要。以氢氧化钾、水和异丙醇(IPA)三元混合物作为表面活性剂添加剂,电阻率为1Ocm,厚度为350和120 11m的表面;这种各向异性蚀刻工艺常用于单晶硅基电池制造,以减少前的反射损失,经过纹理化过程后,部分样品在HF/RN03混合物中通过平滑过程进行蚀刻,能够围绕金字塔尖端,使用HF(50%,CarloErba)和RN03(70%,J.T.Baker),没有进一步稀释,在此过程中,一般的蚀刻机理是:氧化剂硝酸在硅片表面形成氧化硅;然后,通过高频形成的水溶性配合物从表面除去氧化硅,蚀刻速率受蚀刻剂组成的影响,评价了试剂浓度和蚀刻时间对样...
发布时间: 2021 - 12 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文采用氮化硅膜作为掩膜,采用湿蚀刻技术制备黑硅,样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明,氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的,比飞秒激光、RIE和水热蚀刻制备黑硅具有更大的优势。它为制备黑硅可见光和近红外光电子器件提供了一种合适而经济的方法。本文采用湿式蚀刻法制备了微结构硅,并对其微观结构进行了表征,并对其光学性能进行了测试。湿式蚀刻的基本步骤是:首先通过沉积或生长等方法在衬底上制备一层掩模层,然后通过从掩模层上的图形中蚀刻等方法,在从掩模层上的图形中蚀刻后,然后使用蚀刻溶液来湿蚀刻掩模层和基底,最后去除掩模层,可以要求基底上的图形和结构。目前硅湿蚀刻中相对常见的掩模材料为二氧化硅和氮化硅,一般采用浓缩碱作为蚀刻溶液,二氧化硅薄膜掩模对氢氧化钾溶液没有很好的蚀刻选择性,通常使用HF(氢氟酸),对二氧化硅蚀刻毒性大,对环境和人体有一定程度的风险。氮化硅薄膜掩模对氢氧化钾溶液具有很好的蚀刻选择性,因此我们使用氮化硅作为掩模材料。在我们的实验中,一个p掺杂硅基片被切割到2厘米的大小,使用浓缩的氢氧化钾溶液(KOH:H2O=50g:100ml)作为蚀刻剂,湿蚀刻在水中以50℃恒温加热,温度精度为±1℃。 图1显示去除氮化硅前湿蚀硅的扫描电子显微镜图像这些结构的图像如下图所示,从图1和图2中可以看出,周...
发布时间: 2021 - 12 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文综述了黑硅的制备方法及其产生的形态,并对其光电特性进行了定量比较,为了进行定量比较,研究黑硅太阳能电池的不同小组合作进行了本研究,以光吸收和少数载流子寿命作为基准参数,讨论了等离子体蚀刻、化学蚀刻或激光加工过程中的差异,并与数值模型进行了比较。图1四种常用的发黑方法的示意图。a显示了SF6和O2气氛中的感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICPRIE或短ICP)过程;b描述了HF和H2O2水溶液中基于Ag或Au催化剂颗粒的金属辅助湿化学蚀刻(MACE)过程;c显示了用于大孔硅(MacP-Si)制造的电化学蚀刻单元;d示意图,显示了fs激光处理硅表面(L-Si)的实验装置。所有的示意图都表明了在本工作中用于准备不同的表面形态的参数。 图1黑硅的制造方法本文综述了b-Si的四种主要制备方法:诱导耦合等离子体(ICP-RIE)、镁、Au催化剂、光电化学阳极化形成macP-Si、和飞秒(fs)激光脉冲(L-Si)照射表面。各种黑色蚀刻方法(图1)都导致宏观b-Si表面均匀,在整个硅吸收范围内具有相当低的反射率,然而,根据可用的工艺参数,微观或纳米结构有不同的形态。活性离子蚀刻法的黑硅(ICP-RIE):图1b说明了硅表面的典型例子中的MACE原理。从HF/h2o2溶液中提取的h2o2(或其他氧化剂)通过消耗电子在金属表面被催化还原,消耗的电子通过...
发布时间: 2021 - 12 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染,有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒的粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5mm)沉积在硅片上,并通过自旋冲洗和巨型清洗去除,颗粒滚动是硅晶片中变形亚微米颗粒的主要去除机理,超电子学提供了更大的流流速度,因为超薄的边界层会产生更大的去除力,能够完全去除受污染的粒子,为了去除颗粒,有必要了解接触颗粒与接触基底之间的附着力和变形。 图1利用自旋漂洗和超气体学的水动力去除实验结果,比较亚微米粒子的粘附力和去除力,并确定其去除机理,将清洗后和清洗前颗粒计数的差异除以清洗前颗粒计数,获得颗粒去除效率,通过自旋漂洗去除粒子的流场利用了流体动力边界层中的阻力和升力(如图所示1)同样,由于超气流引起的极薄声边界层内的阻力和升力对于超气体清洗中的粒子去除非常重要。 图4如图所示4,如果作用于颗粒上的升力大于附力,则从表面去除机构颗粒,FL³Fa升力比阻力小几个数量级,由于阻力已经小于粘附力,因此升力太小,无法使PSL粒子脱离表面,如果阻力、升力和粘附力满足以下公式,也可以通过滑动去除粒子:FD³k(Fa-FL),其中k为摩擦系数,定义阻力与附力的比值RS,以判断是否发生瞬时滑动的脱离。 图5如图所示5,对于0...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着半导体工业的发展,多层处理变得越来越复杂,清洗溶液和蚀刻化学物质在提高收率和减少缺陷方面的作用变得越来越重要。本文证明了具有铜和钨相容性的成功配方,并具有层间介电(ILD)清洗和选择性钛刻蚀的性能。本文研究了电化学沉积的铜薄膜在含氢氟酸(HF)的脱脂清洗溶液中的腐蚀行为。清洁溶液中过氧化氢的存在导致了对铜溶解速率的抑制超过一个数量级。我们将这种现象归因于在DHF中溶解速度较慢的界面氧化铜的形成。本文提出了一种涉及氧阴极还原和Cu0和Cu+1阳极氧化的动力学方案。我们利用铜腐蚀研究的经验,开发了一种湿蚀刻/清洁配方。钛硬掩模的引入用于铜互连的双屏蔽图案,这在选择性湿蚀刻化学中创造了一个独特的应用。 含有机HF清洗液中铜薄膜的腐蚀行为在当今先进的互连系统中,铜是超大规模集成(ULSI)金属化的选择。铜线现在用于所有互连层,高达12个金属化水平。互连是由金属线制成的电气路径或载流子,由绝缘层间介质材料分隔。用铜取代铝合金要求集成、金属化和图案化工艺技术发生显著变化。例如,在半导体器件中铜的引入已经引起了人们对薄膜腐蚀现象的关注,以避免最佳的器件性能、可靠性和寿命。一个简单的两层DD互连系统如图3.1所示。在这样的系统中,允许晶体管相互通信以及与外部世界通信的电信号通过任何给定的金属化水平内的金属线传输,并通过充满铜的通道从一个金属化水...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度,研究了HF/HNO3/甲基羧基混合溶液中蚀刻时间对硅片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟,高频蚀刻剂浓度在(20-24)wt%的范围内,结果表明,随着刻蚀时间的延长,减重和刻蚀深度的变化单调增加。蚀刻速率然后通过减重和深度随时间的变化来确定蚀刻速率,硅晶片的蚀刻速率随时间降低,而高高频浓度的蚀刻速率增大,通过光学显微镜下观察到,蚀刻后对硅片表面进行光滑抛光。本研究采用不同浓度的高频和硝酸蚀刻混合物,加入乙酸,研究了对硅片的化学蚀刻效应。蚀刻剂混合物的浓度为(20%HF/65%硝酸、22%HF/65%硝酸、24%HF/65%硝酸),比例为1:1,浓度在(20-24)%范围内,分别采用分析半微平衡、数字微米、光学显微镜和x射线衍射仪(XRD)测定了硅片的总厚度减少和减重、蚀刻率、表面形貌和晶体结构。主要目的是研究高频的时间蚀刻浓度对总厚度耗散和减重量、蚀刻速率的影响,并研究蚀刻硅片的表面形貌和结晶度。 图1使用的材料为HF、硝酸、醋酸和硅片,首先,将硅片浸入蚀刻剂混合物中,时间间隔为5分钟至30分钟,这取决于蚀刻剂的浓度,然后用蒸馏水清洗晶片,用空气干燥后再进行表征,采用了三种不同的HF蚀刻剂浓度,分别为20%、22%和24%,而其蚀刻剂浓度保持在65%。硅片被蚀刻至30分钟,时间间隔...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅,研究发现,在400~2200nm的波长内,光的吸收显著增强,其中飞秒激光用六氟化硫蚀刻的黑硅在近红外波段的吸收值最高。但这大大缩短了晶体硅的少数载流子寿命,通过沉积二氧化硅薄膜使黑硅表面钝化,可以有效地调节和控制。最后,以黑硅为基础制造了一种PIN光探测器,与无蚀刻工艺的PIN硅光探测器相比,在1060nm处获得了更高的责任,为0.57A/W。任何能够减少反射和增强硅从紫外线到近红外波长的吸收的发展,都将有助于使硅基宽带探测器成为现实,纳米结构和微结构的c-Si(在晶圆表面有锥、线或孔)作为高效和低成本材料的可能结构受到越来越多的关注,因为它们表现出非常低的反射,特别是在可见区域。飞秒激光蚀刻(FLE)、深反应离子蚀刻(DRIE)和金属催化化学蚀刻(MCE)等方法可以制备这些结构,可以有效地提高c-Si的光吸收。本文采用FLE、DRIE和MCE三种制备BS的方法,同时直接在c-Si基底上获得了几种抗反射/捕光结构,同时,对三种不同的BS材料的形貌、光吸收、少数载流子寿命进行了比较。最后,基于BS制造了一种PIN光电探测器,并将其责任与无蚀刻工艺的PIN硅光电探测器进行了比较。图1为在六氟化硫和空气大气中被FLE蚀刻的BS的典型形态。从图中可以看出,在相同的激光参数下,两种大气...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(MACE)工艺制备的黑硅(b-Si)的表面形态学和光学性能,研究了银膜低温退火和碳硅片蚀刻时间短的两步MACE法制备硼硅吸收材料。该过程包括银薄膜沉积产生的镓氮气,然后进行低温退火。采用不同的蚀刻剂浓度,在HF:h2o2:DI水溶液中进行蚀刻70s,以体积比的形式表示。然后分析了蚀刻剂浓度对b-Si表面形态和光学性质的影响。计算了最大电位短路电流密度(Jsc(max)),以相对估算在300-1100nm光谱区域内b-Si的光耦合性能。一旦在优化的b-si吸收材料上制备了太阳能电池,计算出的电位Jsc(max)可以用来预测最大可实现的光电流。本实验采用电阻率为1-10Ω的p型单碳化硅晶片(250μm厚度)作为衬底,使用RCA技术预先清洗晶片,以去除污染,为了制备b-Si,采用射频溅射法,用15nm的银薄膜沉积c-Si晶片,为了生产银NPs,晶片在N2大气(流速为2L/min)下以230⁰C退火40min,然后将晶片蚀刻在含高频(50%):过氧化氢(30%):DI水的水溶液中。该溶液的体积比为X:Y:Z,分别对应于HF、过氧化氢和DI水的体积,本实验中使用的体积比分别为1:5:5、1:5:10和1:5:20,蚀刻工作在室温下进行,蚀刻时间为70s。FESEM用于研究和表征b-硅纳米孔的顶视图和横截面。利用FESEM图...
发布时间: 2021 - 12 - 18
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