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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了氢氧化钾(氢氧化钾)蚀刻过程对原子力显微镜制备的p型绝缘子上硅纳米结构的影响。采用电化学过程,如局部阳极氧化和两个湿化学蚀刻步骤,氢氧化钾去除硅和氢氟蚀刻,制备硅纳米结构。研究了纯氢氧化钾浓度(10%~30%wt)对表面质量的影响。并考虑了蚀刻浸入时间对纳米结构和SOI表面蚀刻的影响。研究了不同氢氧化钾浓度与10%IPA随反应温度混合对蚀刻速率的影响,最常见的各向异性蚀刻剂是氢氧化钾(氢氧化钾),与其他各向异性蚀刻剂(如乙二胺、吡咯二酚)相比,更推荐用于硅蚀刻。在AFM-LAO方法中,一种氧化物图案被转移到顶部的硅层上,作为硅的选择性蚀刻的掩模。液体蚀刻(氢氧化钾)攻击未覆盖的顶部硅层,并且可以通过选择性的化学蚀刻和去除不需要的硅区域来提取所需的结构。研究了对蚀刻速率和表面粗糙度的蚀刻时间,并与以往的工作进行了比较。在此问题上,我们考虑了原子力显微镜诱导的氧化物在蚀刻纳米结构上的比性质。这可以作为未来AFM纳米光刻、氢氧化钾蚀刻等实验工作的指导,并完成之前的实验工作。 图1该图像蚀刻了氢氧化钾为了研究氢氧化钾对晶片表面的影响,我们使用不同浓度的p型(100)Si样品。图1显示了在63-65oC(优化制造温度)的温度范围下,不同氢氧化钾比例的溶液(10-30%wt)蚀刻硅晶片的AFM显微图像。可以看出,表面粗糙度随着氢氧化钾的百...
发布时间: 2021 - 12 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后,“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂,以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。在制造半导体设备方面, 一种方法,用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质; 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液,以保持溶液中结合的金属络合物,以防止金属在上述硅晶片表面上的保留; 在提供的(NH4OH+H2O2+H2O)化学品溶液中加入预定数量的络合物形成剂的步骤,用于上述“RCA-清洗”的“SC1”清洗步骤; 将上述改性的“SC 1”清洗溶液保留在储罐工具中的步骤; 以及在所述改进的“RCA-清洗”的“SC1”步骤期间的预定时间内在所述改性的“SC1”清洗溶液中浸渍所述硅晶片的改进方法。 一种方法,用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质; 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液,以保持溶液中结合的金属络合物,以防止金属在上述硅晶片表面上的保留。 图1 为一般被通知为“RCA-清洗”的半导体制造清洗顺序的流程图。 图2为对第一图中的“RCA-清洗”加以改进的、本发明的一个球体例子的半导体制造清洗顺序的流程图
发布时间: 2021 - 12 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种基板处理方法,更详细地说,涉及一种用于清洗基板的基板清洗方法。上述稀释氨水提供的基板清洁方法,温度为20℃至70℃,包含上述硫酸和过氧化氢的混合液(SPM)是一种基板清洁方法,其混合比例为110℃至130℃硫酸和常温过氧化氢为2:1至6:1。一般情况下,半导体设备是在基板上以薄膜形式沉积多种物质,并将其垫片制造而成,蚀刻工艺是去除在基板上形成的膜质的工艺,清洁工艺是去除半导体制造的各端上工艺进行后残留在基板表面的污染物的工艺,蚀刻工艺及洗净工艺按工艺进行方式分为湿法方式和干法方式,湿法方式分为布局型式和自旋型式。 本发明的实施例试图在特定的基板清洗工艺中降低基板上的轻视污染物生成率,根据本发明的一方面,第一步骤,通过向基板提供包含硫酸和过氧化氢的混合液(SPM),对上述基板进行药液处理; 在上述第一阶段之后,将稀释的氨水供给上述基板,对上述基板进行药液处理的第二阶段; 在上述第二阶段之后,对上述基板进行护发素的第三阶段; 及在上述第3阶段之后,可提供一种包括干燥上述基板的第4阶段的基板清洁方法。 此外,包含上述硫酸和过氧化氢的混合液(SPM)可由110℃至130℃硫酸与常温过氧化氢以2:1至6:1的比例混合而成,上述稀释的氨水可与去离子水(DIW)和氨水以20:1至300:1的比例混合。 此外,上述稀释后的氨水可提供20℃至70℃。 ...
发布时间: 2021 - 12 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料宽带隙材料,例如氮化镓正在成为使电子性能更上一层楼的技术。与硅器件相比,基于GaN的电子元件具有许多重要优势,包括更紧凑的尺寸、更高的功率密度、更高的效率、更低的开关损耗和更好的热管理。这些因素对于 满足与高功率和高密度应用相关的日益严格的要求至关重要。1.为什么GaN的宽带隙如此重要?几十年来,大多数电力电子器件都是以硅为基础的,硅是一种可以低成本制造并且几乎没有缺陷的半导体。硅的理论性能现在几乎已经完全达到,突出了这种材料的一些限制,包括有限的电压阻断和有限的传热能力、效率和不可忽略的传导损耗。宽带隙(WBG)半导体,如氮化镓(氮化镓),提供优于硅的性能,如更高的效率和开关频率,更高的工作温度和更高的工作电压。氮化镓的带隙为3.2电子伏(eV),比硅的带隙高出近3倍,等于1.1 eV。这意味着需要更多的能量来激发半导体导电带中的价电子。虽然这种特性限制了氮化镓在超低电压应用中的使用,但它具有允许更高击穿电压和更高温度下更高热稳定性的优势。GaN大大提高了功率转换级的效率,在高效电压转换器、功率MOSFETs和肖特基二极管的生产中成为硅的宝贵替代品。与硅相比,氮化镓可以获得重要的改进,例如更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。2.GaN和SiC相似吗?氮化镓和碳化硅都是宽带隙材料。虽然这些材料都具有出色的性能,但它们的特性...
发布时间: 2021 - 12 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料碳化硅是由硅和碳组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料家族。它的物理结合非常牢固,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许SiC要在高于硅的结温(甚至超过200℃)下使用的器件。碳化硅在功率应用中提供的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的一个关键因素。SiC基功率器件得益于优异的物理和电子特性的结合,正在推动电力电子的彻底变革。虽然这种材料很久以前就为人所知,但它作为半导体的应用相对较新,这在很大程度上是由于可以获得大而高质量的晶片。近几十年来,人们的努力集中在开发特定和独特的高温晶体生长工艺上。虽然碳化硅具有不同的多晶型晶体结构(也称为多型),但4H-碳化硅多型六方晶体结构最适合高功率应用。六英寸碳化硅晶片如图1所示。 图1: 6英寸SiC晶圆1.SiC的主要性能有哪些?硅和碳的结合使这种材料具有优异的机械、化学和热性能,包括:·高导热性·低热膨胀和优异的抗热震性·低功耗和开关损耗·高能效·高工作频率和温度(工作温度高达200°C结)·小管芯尺寸(具有相同的击穿电压)·本征体二极管·出色的热管理降低了冷却要求·长寿命2.SiC在电子领域有哪些应用?碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体,这首先要归功于其...
发布时间: 2021 - 12 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本文中,我们提出了一种简单的低成本的湿式化学蚀刻工艺,它促进了银金属团簇的存在,并应用于n型(100)硅和商用硅太阳能电池。样品处理分两个步骤进行:首先通过在金属盐溶液中的浸没时间来控制金属颗粒的形成(步骤1),其次通过控制蚀刻时间(步骤2),根据蚀刻参数,可以在大尺度上实现不同深度的表面纹理,这种蚀刻工艺是一个相对简单和廉价的工艺,有望提高光伏器件的效率。湿蚀刻是通过将硅(100)型和硅太阳能电池浸泡在硝酸银5%m/m和HF5m的混合物中,在室温下给定一段时间(步骤1),然后将样品浸入过氧化氢为5%m/m和HF5m的第二种水溶液中一定时间,范围为30s~10min(步骤2)。利用原子力显微镜研究了样品表面的形貌,用WiTecAlpha300AR显微镜以硅悬臂尖的交流/敲击和接触模式记录样品的AFM图像。使用制造商提供的WiTec2.06软件对样品表面进行图像处理。在总反射模式下使用分光光度计(包括漫反射光和漫反射光和镜面光),并计算不透明样品的吸收(A)(=100%-R)。该仪器使用积分球、光源和测量反射率的参考样品来测量光谱反射率。该仪器的光谱范围为200~900nm,分辨率小于1nm。我们使用单晶n型硅晶片作为衬底,与单晶硅太阳能电池的性质几乎相同。在这两种情况下,蚀刻都是在n型层上进行的。在蚀刻过程中,带有银颗粒的衬底被浸没在高频溶液和...
发布时间: 2021 - 12 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具,为此,我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型,通过与实验蚀刻速率数据的比较,实现了模型验证。此外,该模型通过改变总流量、压力、等离子体功率、氧流量和输运管直径来确定CDE系统的可运行特性,蚀刻速率和不均匀性与各种输入和计算参数的相关性突出了系统压力、流量和原子氟浓度对系统性能的重要性。我们组装了一个化学反应流模型,以包括每个CDE组分中重要的化学和物理现象(图1),即等离子体源、输送管、淋浴器头、工艺室,CDE模型从一个组件到下一个组件连续地跟踪气体流动,每个组件模型的输出作为下一个模型的输入,该模型在每个组分中都包含了重要的物理和化学苯元素,中间结果包括等离子体源施加器的侵蚀率和通过输送管和工艺室的气相浓度。 图1对蚀刻速率和不均匀性的测量结果验证了完整的CDE模型,表面化学被包括用来解释表面蚀刻剂和带电物种的损失,在源区,采用化学轰击和离子轰击的石英蚀刻,以及表面重组和电荷交换,通过淋浴头和工艺床的流动在化学上比通过等离子体源和输送管更简单。等离子体功率沉积是电子能量方程的一个源项,它导致了等离子体中的电离和解离水平。气体温度是由对外部环境的热损失和从中性的第三体化学重组中获得的。我们预测了物种通过运输管的变化,包括带电物种浓度随距离的变化,输运...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转,通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后,晶片的平坦度,因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动,实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础,旋转圆板和静止圆板交替配置等。 图1 晶片蚀刻工艺概念图作为分析对象的流场,设想了实际的蚀刻工程。如图2所示,蚀刻溶液从水槽的下部供给,从水槽的上部溢出流出,由于旋转圆板和静止圆板配置了极多张,因此圆板间的流动在圆板的旋转轴(Z轴)方向上是周期性的,如图2左侧所示,将1张旋转圆板夹在2张静止圆板之间的区域作为数值分析的对象。 图2对于旋转圆板,假设为8英寸晶圆,半径R=0.1m(直径D=0.2m),该旋转圆板的旋转角速度为O=4.21 rad/s(=0.670 rps)。图3中显示了XY平面的代表性网格分割的例子。另一方面,圆板轴方向的网格分割,在预备计算的结果的基础上,将圆板间隔进行20分割,由此可以充分评价圆板上形成的边界层。图中在旋转圆板和静止圆板的半径相同的情况下(R=0.1m),旋转圆板和静止圆板之间的配置间...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言晶体具有压电性,并且由于其优异的弹性特性,在工业中广泛应用,特别是在振动器中, 关于其加工方法的研究,虽然进行了部分研究,但系统的研究并不多见,本研究报告了这种情况,以及在未来的工业中可能需要的湿法蚀刻加工方法,主要报告了以AT板为中心的湿法蚀刻加工方法。 蚀刻各向异性蚀刻包括各向同性蚀刻和各向异性蚀刻,各向同性蚀刻在所有方向上以相同的速度进行蚀刻,各向异性蚀刻在特定方向上选择性地进行蚀刻。为了解决各向异性蚀刻的问题,因为每个晶面具有不同的蚀刻速率,所以蚀刻速率高度依赖于晶体方向。这被认为与蚀刻方向有关,例如晶体的反应方向和蚀刻颗粒的运动方向。在晶体的情况下,与Si相比,其各向异性非常大。 蚀刻截面形状的预测通过在AT切割晶体板的表面上溅射金属来形成掩模图案,并且考虑蚀刻时的横截面形状,由于蚀刻的速度根据晶面的角度而不同,因此通过根据角度的各种蚀刻获得横截面形状。 (图1)由于其截面形状是预测的,因此本研究实际观察了截面,并将其形状与预测的形状进行了比较。 图1 蚀刻截面形状晶体刻蚀量的控制 对100μm的晶体晶片进行湿法蚀刻,在这种情况下,通过蚀刻剂(氟化铵水溶液)的浓度和蚀刻时间来控制蚀刻后剩余的晶体的厚度(参见图2)。实验工程的概要如下所示:①清洗基板(晶体AT板); ②通过溅射将Cr、Au粘附到...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在实际的研究中,硅表面的微粗糙度直接影响MOS器件的电性能,因此,控制硅表面的微粗糙度是非常重要的,据报道,p-MOSFET在Si(110)表面的电流驱动性远大于在Si(100)表面的,我们评估了清洗过程中使用的超纯水对硅(110)表面的微粗糙度有影响。 实验该晶片采用p型Cz双面抛光晶片,电阻率为8-12Ωcm,对所有晶片进行化学清洗,用稀释的高频进行蚀刻处理,用溶解氧浓度为 结果与讨论图1显示了在超纯水中,8.4ppm的氧溶解24小时的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面释放的(a)表面微粗糙度和(b)量。图2显示了在超纯水中,8.4ppm的氧溶解24小时的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面的AFM图像。溶解8.4ppm氧气的超纯水与空气中的超纯水相同。硅(111)表面非常稳定,表面微粗糙度的增加和溶解的硅原子的数量都很小。硅(100)表面也是稳定的。然而,硅(110)表面的表面微粗糙度变得非常大,从硅(110)表面释放的溶解硅原子量大约是硅(100)表面释放的3倍。 图1 图2图3显示(a)表面微粗糙度和(b)溶解的Si(100)和硅(110)表面释放超纯水42、8.4和0ppm的氧气溶解和1.6ppm溶解氢24小时,当溶解氧浓度足够高时,硅表面形成稳定的二氧化硅膜,...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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