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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文报道了利用等离子源体分子束外延(PSMBE)对6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN薄膜晶体质量的影响,我们了解了AlN在不同温度下在PSMBE系统中的生长机制。AlN薄膜的沉积是利用我们实验室开发的一种独特的技术,即等离子体源分子束外延(PSMBE)来完成的,一种高纯氩气和氮气的混合物被供应到中空阴极,其中形成了由高能铝、氩气和氮气组成的等离子体,能量在1eV左右的+和N的+离子留下空心阴极源,由于施加在衬底上的负偏差,进一步加速了这个通量。AlN薄膜在440℃、500℃、560℃、640℃和800℃下生长,衬底偏置电压为-15eV,这是我们的PSMBE系统的最佳电压,通过压电厚度监测器测量,所有薄膜的厚度都约为2000a。用反射高能电子衍射(RHEED)和原子力显微镜(AFM)、x射线衍射(XRD)和光学反射率对薄膜进行了原位表征,AFM表征是使用数字仪器纳米镜III与标准氮化硅针尖进行的,在scintagX1θ-θ衍射仪中对薄膜进行了XRD表征,样品被支撑在一个零背景的石英板上,对于电测量,Pt电极沉积在磁磁控溅射系统中,在500℃生长的样品上,毯子电极沉积在碳化硅衬底的底表面,直径为1毫米的顶部圆形接触通过硬掩模沉积在薄膜表面,使用HP4192ALF阻抗分析仪在1MHz频率下进行C-V表征。I-V测量是在带有直流电压源的HP414...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在氢氧化铵溶液中,使用各向异性硅蚀刻技术,在SOI晶片上制备了无连结fet(JL-FET)器件,以O2/N2电子回旋共振(ECR)等离子体作为栅极介质生长氮氧化硅,以反应性溅射作为栅极金属沉积硝化钛,利用扫描电镜成像和电学测量方法对其结构进行了表征,最终得到的硅通道厚度为65nm,器件的电性能与预期一致。通常在几纳米内从1020个原子/cm3p型掺杂剂到1020个原子/cm3n型掺杂剂,相比之下,JLFET器件在整个器件中具有相同的掺杂浓度,从而降低了掺杂剂的扩散速率,除了使用标准的热退火和更少的离子注入步骤可以降低制造成本外,JL-FET也因其性能而脱颖而出,电流密度通过衬底[1]的厚度分布,参与电流的载流子为大多数类型,并且一些电荷散射现象可以通过极化栅在平带条件来减轻,这允许给定器件的更大电流。在高频缓冲溶液中,使用湿式氧化和氧化硅蚀刻法将衬底变薄到约200nm,然后将晶片在50keV下离子注入磷,剂量为1013个原子/cm2,掺杂剂活化在1000°C的常规烤箱中惰性气体中进行30分钟,这一离子注入步骤的计划比通常剂量低,因为较低浓度的掺杂杂质会导致更宽的耗尽区域,通过牺牲一些电接触质量,在模拟步骤中只在25nm中观察到的晶体管行为,以及在更薄的器件中,即使在75nm厚的器件上也可以观察到,通过光刻技术确定了活性区域。通过ECR等...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料随着生长技术的改进,异质结构器件变得越来越突出,高选择性蚀刻工艺通常是必需的。在这项研究中,我们将观察压力、源功率和阴极rf功率对蚀刻选择性的影响。本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的。本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的,电感耦合等离子体反应堆是一个负载锁定的等离子体-热单反770,它使用一个2兆赫,3圈线圈电感耦合等离子体源,使用导热膏将所有样品安装在阳极化的铝载体上,铝载体夹在阴极上,用氦气冷却,通过在样品上叠加射频偏压(13.56兆赫兹)来定义离子能量或德拜,样品用Shipley 4330光致抗蚀剂图案化。 图1在500瓦电感耦合等离子体源功率、2毫托室压力和130瓦阴极射频功率下,氮化镓、氮化铝和铟的蚀刻速率在图1中显示为%氩在Cl2/氩等离子体中的函数,随着%氩浓度的增加,氮化镓和氮化铝的蚀刻速率在大于20%氩时先增加后降低,蚀刻速率的最初增加归因于氩离子对蚀刻产物更有效的溅射解吸,然而,在较高的氩含量下,由于等离子体中氯离子浓度较低,蚀刻速率降低,铟蚀刻速率通常随着%氩的增加而增加,InN蚀刻机理的强物理依赖性可能是低挥发性InC的结果,InC是在25 ℃下形成的蚀刻产物,必须从表...
发布时间: 2022 - 01 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种用于在线测量氢氧化钾蚀刻工艺中的氢氧化钾浓度的方法。在这个过程中,每蚀刻一个硅原子就释放一个氢分子。 溶液中的硅酸氢离子H2SiO42倾向于聚合物- ize,这有时会导致反应产物出现“黏糊糊”的外观,并使确定实际反应更加困难。 为了简单起见,这里使用上面显示的反应来描述该过程,并且通过使用氢氧化钾和硅酸氢二钾的摩尔质量来计算本文后面显示的重量/重量浓度值。 氢氧化钾浴中硅的蚀刻速率取决于浴的温度和氢氧化钾浓度。为了获得蚀刻时间的足够精确的估计,必须测量这两个参数。 虽然测量温度是一项微不足道的任务,但也有一些挑战浓度测量中的长度。随着蚀刻的进行,氢氧化钾被消耗,如上面所示的反应方程式所示。硅复合物不参与该过程,但是随着浓度的变化,蚀刻速率变化。 有一些测量,例如折射率测量 能够以足够的精度测量水中氢氧化钾的初始浓度。这个误差源对于单个蚀刻批次来说并不显著。如果在不更换KOH溶液的情况下进行几批蚀刻,累积误差将产生不可接受的结果。间接方法包括测量硅浓度并从总浓度中减去该浓度,这需要两次独立的测量。制造再利用或回收系统背后的经济依赖于获取和处理化学品的高成本。这一成本必须与以足够精度测量浓度所需的测量系统的额外成本相平衡。测量系统也应该是免维护的除了可能的定期校准外,很少维护。该系统在物理上也应足够小,以便安装在处理站中,并且应在线测量浓...
发布时间: 2022 - 01 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文章介绍了一种深垂直晶片孔和铜金属化射频硅集成的新方法,通过晶片孔通过深干蚀刻工艺实现,并使用铜电镀填充;提出了一种填充干蚀刻、高高宽比、紧密间隔间隙的新技术,并介绍了通晶片铜插头的制备工艺和电学表征,利用该技术,成功地实现了几种具有通晶片连接的新型射频结构。实现三维射频组件的工艺流程如图1所示,在这些实验中使用了标准的4英寸硅片,采用各向异性湿蚀刻步骤,局部将晶片厚度降低至目标值(到晶片正面的期望距离地平面),在我们的实验中,使用了25-150µm厚的硅膜,通过膜的电感耦合等离子体蚀刻,实现了方形和圆形的高纵横比通孔,通过PECVD或LPCVD在孔的两侧或孔内沉积一个氧化物隔离层,在晶片的背面蒸发了20nm的Cr粘附层和300nm的Cu种子层,这种蒸发过程具有方便的特点,蒸发的金属不能深入内部。 图1因此,铜岛在通道的底部附近形成,并迅速生长,这导致了通道底部的部分堵塞,这对于下一步的自下而上的电镀是非常理想的,采用光刻法确定这一侧的金属结构,并进行铜电镀,以增加这些结构的金属厚度,在这一步中,随着铜从内部的铜种子生长,通道的底部完全堵塞。一旦达到晶片背面Cu结构的期望厚度,在这一侧施加光刻胶层,同时进行自底而上的铜电镀,直到孔完全填充,得到均匀的通晶片铜塞,然后在晶片的正面进行另一次铜蒸发,然后进行光刻和电镀,以实现这一...
发布时间: 2022 - 01 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了通过等离子体辅助分子束外延(PAMBE)和氢化物气相外延(HVPE)方法持续生长的AlN/Si(111)外延结构,通过自催化AlN纳米胶在Si(111)衬底上的过度生长,合成了PAMBEAlN缓冲层,并作为厚AlN层进一步HVPE生长的模板。此外,我们还采用铬薄膜作为表面保护涂层,并相应地增加了层厚,从而避免了表面损伤和背面过刻。在氢氧化钾溶液中蚀刻这种结构可以导致AlN层从衬底中逐渐分离,同时,还观察到了样品表面的几次损伤,此外,还发现了AlN层背面过延伸的可能性,这项工作是研究通过氢氧化钾蚀刻从衬底中分离AlN层的一个延续,用PAMBE和HVPE法一致合成AlN/Si(111)样品(见图1)。 图1首先,利用VeecoGen200MBE系统,在半绝缘(R10000Ohm×cm)Si(111)基板上生长具有纳米柱种子层的AlN薄膜,底物的原外延制备采用改进的白石法进行,在生长前,将Si(111)衬底在T=850°C下退火30min,以去除二氧化硅层,以PAMBEAlN/Si(111)样品获得的样品作为厚AlN层HVPE生长的模板。通过扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射(XRD)分析对两种类型的样品进行了研究,在KOH:h2o(1:5)溶液中,使用化学蚀刻法鉴定了AlN脱毛层的晶体极性,以及AlN从Si(...
发布时间: 2022 - 01 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料为了开发利用三氟化氯气体对碳化硅外延反应器的原位清洗工艺,研究了去除磁化体上形成的碳化硅膜的蚀刻条件和工艺。通过将蚀刻温度调节到330◦C以下,可以去除所形成的碳化硅薄膜,而不会对基座造成明显的损伤。利用化学气相沉积(碳化硅)外延晶片4氢碳化硅(碳化硅),开发了目前和未来工业所需的动力电子器件,必须通过热和等离子体增强CVD反应器的反应器清洗技术去除它们。本研究详细研究了利用三氟氯气体制备一种适用于所形成的碳化硅薄膜的碳化硅外延反应器原位清洗工艺的化学反应条件。 图1图1显示了本研究中使用的反应器,以尺寸为3cm×3cm的小碳板作为基座,本研究中使用的基座由高纯碳制成,表面覆盖碳化硅涂层,与工业CVD反应堆相同,遵循4h碳化硅外延生长过程,在4h碳化硅衬底表面形成30-50μm厚的4h碳化硅外延薄膜。为了进行蚀刻,将具有碳化硅薄膜的基座插入到水平反应器12中,如图所示1,该反应器由一个气体供应系统、一个石英室和六个红外灯组成。供气系统引入了三氟化氯气和氮气,该反应器的横截面较小,以实现三氟化氯气体的高消耗效率。石英室的高度和宽度分别为10mm和40mm,磁座通过卤素灯通过石英室壁发射的红外线加热,六盏红外灯的功率根据之前在环境氮中测量的温度进行调整。 图2图2显示了本研究中使用的典型过程。首先,将基座在环境氮气中加热...
发布时间: 2022 - 01 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料AIN作为一种稳定的半导体表面钝化剂和薄膜表面声波器件引起了人们的关注,其高熔点和导热系数、宽带隙和优异的机械性能、对其他各种应用都有吸引力。与氮化镓和InN合金化时,形成一个异质结构体系,操作谱较宽,作为光学发射器和探测器,以及具有高温电子学的潜力,特别是,蓝/绿色发光二极管和紫外探测器的高质量单晶在氧化铝和其他底物上外延生长的进展,蓝/绿色发光二极管和紫外探测器的最新进展成为可能。对AIN和相关合金应用的一个关键要求是开发用于器件结构图案化的受控湿和干蚀刻技术,各种不同的蚀刻溶液已被用于非晶或多晶AIN,但迄今为止没有一种被证明适用于单晶材料,对于等离子体辅助化学气相沉积AIN在Si或III-V衬底上,膨胀或反应性蒸发的薄膜也在沸腾的HF/H2o、14-16HNO3/HF17或稀释的NaOH18溶液中被蚀刻,由于缺乏可靠的单晶材料湿蚀刻溶液,氮化物材料的等离子体蚀刻方法备受关注,在之前已经证明了在ch4/h2-、氯气-或br2基的等离子体化学中,AIN的光滑各向异性干蚀刻。三甲胺丙烷和氮通量从电子回旋共振~ECR!等离子体源~脉波波MPOR610,以2.45GHz和200W正向功率作为生长化学品,在砷化镓上生长的AIN是多晶的,而在氧化铝上生长的AIN是缺陷单晶,研究了两种不同的单晶样品:第一个有一个双晶x射线衍射峰宽~的半最大宽度,400弧...
发布时间: 2022 - 01 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料研究了含少量铜的氢氧化钾水溶液中Sill10)的蚀刻作用,结果表明,在氢氧化钾水溶液中,100ppb级的铜形成了锥形的硅山丘,使蚀刻表面粗糙。结果还表明,100ppb水平的铜降低了蚀刻速率,因为小山丘是由缓慢蚀刻的平面组成的。为了更稳定地获得光滑的加工表面,因为蚀刻的加工表面影响微结构的强度和弹性行为。在使用KOH水溶液蚀刻{110}面硅晶片的研究中,当KOH水溶液的浓度为30-40重量%时,可以获得更光滑的加工表面,并且蚀刻表面上的微金字塔的出现次数根据硅晶片的热处理条件而不同。 另一项研究表明,反应产物和蚀刻反应产生的氢与Si各向异性蚀刻表面粗糙度的原因有关,然而,尚未获得关于ppb级杂质的影响的知识,在本研究中,我们发现ppb级的微量Cu影响蚀刻表面粗糙度和速度。使用32重量%KOH水溶液(85%KOH试剂,关东化学制造,用纯水稀释)作为蚀刻液,对于KOH水溶液,用ICP-MS(横河PMS-200)分析液体中金属杂质的量,确认添加Cu之前液体中Cu的量,然后添加Cu并进行蚀刻实验。 将Cu添加到H水溶液中是通过使用用于原子吸收分析的金属标准溶液并将其与化学品中所含的含量相加来获得的。蚀刻表面的粗糙度为10点平均粗糙度Rz,该10点平均粗糙度Rz是由表面粗糙度计测量的表面形状的粗糙度曲线计算的,用SEM观察蚀刻表面的形状,并用俄歇电子能谱分析...
发布时间: 2022 - 01 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本文中,我们将专注于一种新的化学变薄技术,该技术允许晶圆变薄到50µm或更少,均匀性更好,比传统的变薄成本更低。我们还将讨论处理无任何类型晶圆载体的薄晶圆的方法。晶片减薄可通过几种方式进行:1)研磨晶片(通常为100至150µm),2)通过化学机械抛光,可使晶片厚度降至50µm或更少,3)通过化学蚀刻,使晶片变薄,消除研磨和抛光留下的地下损伤,4)通过等离子体蚀刻。通常研磨和其他方法的组合是最有效的薄模溶液的途径。大多数薄晶圆处理是通过将晶圆与临时载体粘合,从而以与传统的较厚晶圆几乎相同的方式处理晶圆。然而,在一些应用中,由于产量、经济、工艺流程或器件性能的原因,最好没有载体来处理晶片。化学变薄是消除损伤和减轻研磨和抛光留下的应力的必要步骤。化学稀薄也是抛光(磨薄后)作为制造超薄晶圆的替代方法。它的另一个好处是,完全消除了导致其他技术可能留下的导致损伤或表面特征。湿蚀刻涉及液体和固体基底之间的相互作用,它通常是最快、最经济的方法。当衬底两侧可能湿润时,浸泡是蚀刻和变薄是常见选择。如果衬底只能暴露在一侧的蚀刻剂中,那么自旋或喷雾将成为合理的候选者,但每个都有其缺点,如径向和输运引起的不均匀性。根据特定的包装或设备要求,改进的均匀性(就TTV而言)通常是一个重要的考虑因素;传统技术在保持在允许的TTV要求范围内可以去除...
发布时间: 2022 - 01 - 18
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