欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料制造过程中的清洁的目的:抗蚀剂去除,表面处理,去除颗粒,去除有机物和去除金属。清洁可分为预沉积/氧化清洗和蚀刻后清洗。我们选择清洁工艺/化学的因素有:要清除的残留物类型,清洁过程中暴露的表面类型,能够在不损坏器件材料的情况下去除残留物和污染物。清洁机制分为螯合/复合物形成,增溶和溶解。表面活性剂:表面活性剂是任何清洁剂中最重要的部分。表面活性剂这个词是“表面活性剂”的缩写。一般来说,表面活性剂是一种化学物质,当溶解在水或另一种溶剂中时,会在液体和固体(我们正在去除的污垢)之间的界面(边界)上定向,并改变界面的性质。表面活性剂是如何工作的?都有一个共同的分子相似性。分子的一端有一个长的非极性链被油、油脂和污垢(疏水物)吸引。分子的另一部分被水(亲水物)吸引。如图所示,表面活性剂排列在界面上。分子的疏水端离开水,亲水端靠近水。当污垢或油脂存在时(本质上是疏水的),表面活性剂会包围它,直到它从边界上被清除。注意到污垢分子实际上悬浮在溶液中。 螯合剂:去污是一个复杂的过程,比仅仅在水中加入肥皂或表面活性剂要复杂得多。我们在处理清洁剂时主要关心的问题之一是水的硬度。由于钙、镁、铁和锰金属离子的存在,水变得“坚硬”。这些金属离子会干扰洗涤剂的清洁能力。金属离子像灰尘一样起作用“用完”表面活性剂,使它们无法作用于我们想要清洁的表面。螯合剂与这些物质结...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在半导体清洗过程中,作为取代 现有湿化学清洗液的新型湿式溶液,将臭氧溶解到纯中,被称为仅次于氟的强氧化剂,是PR去除工艺和杂质清洗。这种臭氧水方式的湿洗完全不使用对环境有害的物质,大大减少了纯水的使用量,同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液(硫酸/过氧化氢混合液)工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素,以目前国内外技术水平的低PR去除性能来说,有很大的技术制约,不能满足设备制造业的生产产量。因此,与传统的湿法工艺相比,虽然有很多优点,但实际的PR去除工艺中臭氧水工艺实用化替代并不明显。 实验 PR去除试验为了探讨本边界膜控制方式臭氧处理工艺研究所进行的辽小技术及工艺设备作为半导体制造工艺的PR去除工艺是否具有可行性和有效性,进行了PR去除性能试验。性能测试是根据预定义的工艺条件,使用硅片在凸轮内进行反应工艺后未反应的方法测量硅片表面残留的PR厚度,计算每单位时间的PR去除率,从而达到PR去除率最高的工艺条件。想要发货。半导体制造过程中使用的PR种类很多,而且各制造过程使用的方法也很多。如图7所示,为了PR去除试验,制作并使用了臭氧发生量为60g/hr级的超高浓度臭氧发生系统,臭氧供应流量为6-12[LITER/PLIN],并调整放电功率以保持14-16wt%的臭氧浓度...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:8
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言多孔硅(pSi)内表面的钝化是大多数接收应用的先决条件。在多孔硅(PsI)内表面,反应性氢化物端接键被功能更稳定的物质取代。在可容易地应用于pSi膜和粉末的钝化技术中,热氧化是最常见的;在静态样品/熔炉条件下,这已被证明是高度放热的,并可导致大程度的烧结和孔隙塌陷。我们通过阳极氧化和从母晶片电化学分离形成的多孔硅膜在室温下通过浸入包含甲醇和氢氧化钠( 实验在电化学阳极化(直径150毫米,硼,0.01:1)上制备多孔硅层;选择电流密度和时间产生介质(63%)或高孔率(80%),层厚度150µm。阳极化后,通过施加高电流密度脉冲(130mA/cm2,持续10m),每一层立即与基底分离。随后,分离的膜在MeOH中冲洗,并在50◦C下真空干燥几个小时,然后手工破碎成小块(从1M(pH14)原液中连续稀释制备0.1M(pH13)和0.01M(pH12)氢氧化钠溶液。将MeOH移液到阳极氧化的疏水pSi上,以促进润湿,并允许随后添加的氢氧化钠水溶液(足以完全覆盖膜)进入孔隙结构;搅拌溶液(300rpm)以确保均匀性;使用热电偶测量每种溶液的最高温度。在预先确定的时间后,每个样品从溶液中分离,依次冲洗(去离子水,然后是甲醇),干燥(50◦C真空烤箱数小时)。使用氮气吸附/解吸,使用微型三轮车3000测定每个粉末的表面积、孔隙体积和平均孔...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在半导体制造中,半导体的湿法清洗使用氢氟酸(HF)、标准清洗1(SCI)和标准清洗2(SC2)的顺序化学配方进行栅极前清洗。该清洗程序旨在通过HF去除大块二氧化硅(SiO),然后用SCI(去离子水(DI)、氢氧化氨(NH,OH)和过氧化氢(HCO)的混合物)清洗颗粒,然后用SC2(去离子水、盐酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金属。该顺序清洁过程之后通常是最后的异丙醇(异丙醇)干燥步骤。在每个步骤之间通常会进行中间去离子水冲洗。重要的是在高频之后和化学气相沉积重新生长一氧化硅层之前,清洁半导体衬底的硅(硅)表面。任何由硅-二氧化硅界面中的颗粒、金属或表面粗糙度引起的缺陷都可能导致氧化物电荷-击穿(Qtd)故障的电测试,导致器件成品率降低。用于清洗半导体晶片的系统和方法,其中消除了SCI和SC2的使用,代之以DIO和稀释化学物质的使用。在一个方面,本方法包括:(a)在处理室中支撑至少一个半导体晶片,该半导体晶片具有硅基底,在至少一个预栅极结构中具有二氧化硅层;(b)将去离子水中的氢氟酸水溶液施加到半导体晶片上,以去除二氧化硅层并形成栅极;(c)向半导体晶片施加臭氧化去离子水(DIO ),以从栅极去除颗粒并钝化硅基底;(d)将氢氟酸和盐酸在去离子水中的稀溶液施加到半导体晶片上,以去除由于施加DIO而可能在栅极中形成的任何二氧化硅层,并去除任何金属污染...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      微透镜及其阵列在光子学中有许多应用的可能性,规模不断缩小。它们因能够在微型尺度上操纵光线并使整体包装简单紧凑而变得流行。因此,预计光子学中的微透镜应用将以各种形式广泛传播。      我们使用基于Br2溶液的扩散限制化学蚀刻技术制造了折射半导体微透镜。简单的一步湿法刻蚀工艺产生了高质量的GaAs和磷化铟微透镜,这两种半导体材料在光电子学中最受欢迎。标称透镜直径为30 m的球形GaAs微透镜分别具有91和36 m的曲率半径和焦距。经原子力显微镜检查,表面粗糙度测量值低于10。由于加工简单和高质量的结果,这种微透镜制造方法应该易于应用。      图1示意性地示出了掩模孔内的蚀刻工艺。Br2分子在掩蔽区域不与衬底反应,这些分子必须扩散到开放区域(在我们的例子中是圆孔)进行蚀刻。然而,由于Br2分子的低迁移率,分子在掩模边界附近被消耗的概率高于远离掩模边界的概率。蚀刻窗口上蚀刻速率的这种逐渐的空间变化(其分布在图1的上面板中示意性地示出)在半导体表面上形成球面透镜轮廓。在取决于半导体材料和所需透镜曲线的蚀刻期间,样品需要静止放置在蚀刻槽内以获得良好的再现性,因为对蚀刻物质的自然差异运动的任何干扰都会改变蚀刻过程的细节。 图1 使用基于Br2的...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:3
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      集成电路制造过程中通常使用的清洗化学物质已经使用了很多年。尽管已知各种清洁化学物质对于当前一代集成电路设计规则是有效的,但是对这些化学物质的清洁机制和性能限制仍知之甚少。通过仔细的过程优化和对清洁机制的理解,这些化学物质通常可以被修改以保持或提高清洁效率,同时减少化学物质的使用。最常见的清洗化学物质包括用于去除重有机污染物、过渡金属污染物和颗粒污染物的氧化水溶液。硫酸和强氧化剂如过氧化氢的混合物通常用于去除高分子量有机物(如灰化光刻胶)。      近年来,大量的努力集中在优化SC-1和SC-2化学品的工艺性能上。已经表明,这些化学物质可以被充分稀释,同时仍然保持高清洁效率。本文将讨论SC-1清洁剂的优化,以最大限度地减少颗粒和有机污染、环境影响和拥有成本。只要施加足够的兆频超声波能量,稀释SC1清洗就能有效去除颗粒。这通过最大限度地减少化学品使用、漂洗水使用和废物处理,降低了拥有成本和环境影响。 实验      颗粒去除研究:实验面临的污染挑战是氮化硅颗粒,它是从气溶胶中沉积出来的,粒径范围从0.11 pm(计量检测下限)到0.30 Atm。用于这些实验的晶片是150毫米的Si,在稀释的(1∶10∶130)SC-1化学中预先清洗,...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:3
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化镓发光二极管是异质外延生长在不同的衬底上,如蓝宝石和碳化硅,因为生长块状氮化镓有困难。蓝宝石是最常用的衬底,因为它的成本相对较低。然而,由于外延氮化镓薄膜和蓝宝石衬底之间晶格常数和热膨胀系数的巨大失配,在平面蓝宝石衬底上生长的氮化镓导致高密度的位错缺陷(10±10厘米)。我们研究了氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)对性能增强的反应机制,其生长在化学湿蚀刻图案蓝宝石衬底(CWE-PSS)上,该二极管在顶部表面具有v形坑特征。根据温度依赖的光致发光(PL)测量和测量的外部量子效率,该结构可以同时提高内部量子效率和光提取效率。 实验      蓝宝石衬底上的蚀刻图案是排列的六方孔阵列。在这里,我们使用硫酸和磷酸的混合溶液(HSO:HPO)在300℃的工作温度下蚀刻蓝宝石基底。CWE-PSS的制造细节可以在其他地方找到。图1(a)中显示了CWE-PSS的俯视图扫描电镜图像。单个孔的直径为3m,晶格常数为7m。蚀刻孔深度为0.5m,中心为三角形平面,被三个平面面包围。然后在低压金属-有机化学气相沉积CWE-PSS上培养LED结构。三甲基镓(TMGa)、三甲基钠(TMIn)和氨(NH)分别作为Ga、In、N前体,双环戊二烯镁(CpMg)和硅烷(SiH)作为...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:11
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在SOG旋转/烘烤/固化步骤之间应至少间隔一段时间。大多数SOG用户“指定”在SOG沉积、烘烤和最终固化后不超过两个小时。与大多数晶圆厂加工一样,建议将晶圆储存在干燥的环境中(湿度沉积的SOG薄膜缓慢地进入和离开高温固化炉是至关重要的。这防止了当彼此接触的具有不同热膨胀系数的材料发生快速热变化时可能发生的破裂。建议从300℃开始逐渐固化。SOG以比推荐值低得多的转速旋转,或者一个SOG的多个涂层可以产生超过推荐厚度的薄膜,并且在固化过程中容易破裂。这种趋势随着晶片表面形貌变得更加严重而增加。通常,当需要更厚的膜时,可以找到替代的SOG来满足需要。在最热的烘烤之后,冷却晶片可以被放置在冷却板上,该冷却板不工作或者被设置在室温。设定为“冷”的真正冷却板会过快冷却晶圆,导致应力和开裂。 当需要更厚的膜时(通常通过扫描电镜检查确定),可以采取两种方法:1)沉积多层(通常是双层)SOG,或(2)使用同一产品系列的较厚SOG。较低的第一烘烤板温度(推荐温度为80℃)允许溶剂更缓慢地离开SOG,允许SOG更大的流动,并因此提供更好的平面化。较长的扩散周期会导致仍然含有溶剂的SOG向边缘移动,降低平面度,并产生边缘珠。更短的传播周期(2-6或甚至低至1秒)。在3000转/分钟时,随后停止(即10秒钟)导致一些形貌上更好的平面化。虽然SOG被设计成在30...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      彻底消除半导体加工环境中所有可能的杂质对于实现亚微米至更低亚微米特征尺寸的ULSI器件非常重要。很明显,晶片表面上的残留污染物应该随着图案密度的增加而显著减少。湿法化学工艺在超大规模集成电路制造技术中占有非常重要的地位。随着超大规模集成电路器件图案密度的增加,越来越需要无污染的清洗和干燥系统。对于通过化学溶液处理从硅r中去除颗粒污染物,已经发现NH OH-HCO溶液是极好的,并且溶液中NH OH的比率可以减少到标准比率的1/10,同时保持高的去除效率。通过降低NH,OH含量,将减少在NH       通过比较各种清洗方法的清洗效率,研究了颗粒物污染对李思-康表面清洗的影响。并且,为了实现无颗粒干燥系统,开发了IPA蒸汽干燥设备,在该设备中,在干燥区域完全消除了颗粒的产生,并且研究了影响晶片表面清洁度的因素。 实验      清洁实验:在人工污染的晶片上进行晶片清洗实验。直径为0.43 pm的聚苯乙烯乳胶球和直径为0.5 pm的二氧化硅乳胶球分别用作有机和无机人工颗粒污染物。用于测试的硅片直径为3英寸,取向为(1,0,0)p型(6-8ii-cm)或n型(3-5II-厘米)。将含有7×10-7×10’0颗粒/毫升的胶...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了确保高器件产量,在半导体制造过程中,必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗涤器是用于实现这种控制的工具之一,尤其是在化学机械平面化工艺之后。尽管自20世纪90年代初以来,刷子刷洗就已在生产中使用,但刷洗过程中的颗粒去除机制仍处于激烈的讨论之中。这项研究主要集中在分析擦洗过程中作用在颗粒上的力。这项方法着重于分析作用在颗粒上的力和力矩,以揭示擦洗过程中颗粒的去除机理。首次研究了刷洗过程中刷状粗糙体/基底的接触几何形状。然后用理论和实验相结合的方法确定不同润滑方式下的力和力矩。最后,通过对力和力矩的分析,解释了实验结果,并找出了颗粒去除的机理。 实验测试晶片是200毫米p型硅,150纳米氮化物层沉积在15纳米衬垫氧化物上。使用前,使用O3-last Imec-clean清洗晶片。颗粒为胶体二氧化硅颗粒,直径分别为20、34、78和126纳米。晶片的受控污染是通过浸入pH ≈ 0(盐酸)的颗粒污染浴中,然后过流冲洗和马兰戈尼干燥来实现的。基于雾度法,最终粒子表面浓度(σpsc)是通过使用光散射装置测量晶片的雾度来确定的。 结果和讨论润滑制度:根据润滑状态,颗粒受到不同类型的机械力和力矩:边界润滑状态下的接触力(或力矩),流体动力润滑状态下的流体动力(力矩)。因此,我们首先确定不同刷/晶片相对速度和压力下的流体膜厚度...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:16
1085页次12/109首页上一页...  78910111213141516...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开