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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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微机电系统(MEMS)是一种技术,其最一般的形式可以定义为使用微细加工技术制成的小型机械和机电元件(即设备和结构)。MEMS器件的关键物理尺寸可能从尺寸范围的下端的一微米以下到几毫米不等。同样,MEMS装置的类型可以从没有运动元件的相对简单的结构变化到在集成微电子的控制下具有多个运动元件的极其复杂的机电系统。MEMS的一个主要标准是至少有一些元件具有某种机械功能,而无论这些元件是否可以移动。用于定义MEMS的术语在世界各地有所不同。在美国,它们主要被称为MEMS,而在世界其他地区,它们被称为“微系统技术”或“微机械设备”。 尽管MEMS的功能元件是小型化的结构,传感器,致动器和微电子器件,但最值得注意的(也许是最有趣的)元件是微传感器和微致动器。微型传感器和微型执行器适当地归类为“换能器”,其定义为将能量从一种形式转换为另一种形式的设备。在微传感器的情况下,该设备通常会将测得的机械信号转换为电信号。   在过去的几十年中,MEMS研究人员和开发人员已经针对几乎所有可能的传感方式(包括温度,压力,惯性力,化学物质,磁场,辐射等)展示了数量众多的微型传感器。值得注意的是,许多此类微型机械传感器已经展示了的表现超过了他们的宏观水平。即,例如压力传感器的微加工版本通常胜过使用最精确的宏观水平加工技术制成的压力传感器。不仅MEMS装置的性能优异,而且其...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。(1)SPM:H2SO4/H2O2120~150℃SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF)20~25℃DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM(SC-1):NH4OH/H2O2/H2O30~80℃由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。(4)HPM(SC-2):HCl/H2O...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿蚀刻湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆,也称为基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料层,以用作电子和微流体设备的基础;最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程。在蚀刻之前,需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能。在称为光刻的过程中,将光敏光刻胶旋涂到晶圆上。然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂。然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部,并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂。现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中。各向同性蚀刻各向同性蚀刻,即在所有方向上均相等的蚀刻,是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式。当将腐蚀剂(一种腐蚀性化学品)施加到被掩膜的晶圆上时,在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中,蚀刻会以相同的速率发生,从而产生倒圆的边缘。如果允许蚀刻剂反应足够长的时间,如图1所示,蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料。可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂,然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况。墙壁,然后添加更多的蚀刻剂。通过添加缓冲液以改变浓度或通过升高/降低温度...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿化学:湿蚀刻原理湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案,选择性大于100:1。要求 液体化学必须满足以下要求:遮罩层不得受到攻击选择性必须很高蚀刻工艺必须能够通过用水稀释而停止反应产物不得为气态,因为它们可能会遮盖其他区域在整个过程中蚀刻速率恒定反应产物必须可溶以避免颗粒必须确保环境安全和易于处置批量蚀刻在批量蚀刻中,可以同时蚀刻多个晶圆,过滤器和循环泵可防止颗粒到达晶圆。由于化学浓度随每个处理过的晶片而降低,因此必须经常更新。蚀刻速率,换句话说,单位时间的磨损,必须是众所周知的,以确保可重复的过程。精确回火是必不可少的,因为蚀刻速率会随着温度的升高而增加。 杠杆可以沿水平和垂直方向传送晶片。在蚀刻晶片之后,通过在单独的浴中用水冲洗来停止蚀刻过程。随后,在旋转干燥器中除去水分。分批蚀刻的优点是高生产率和蚀刻工具的简单构造。但是,均匀度低。喷涂蚀刻 喷雾蚀刻可与光刻中的喷雾显影媲美。由于同时旋转晶片以稳定地更新蚀刻化学,所以均匀性非常好。由于快速旋转,不会出现气泡,但是每个晶片必须单独处理。作为单晶片工艺的替代方法,可以一次在多个晶片上进行喷涂蚀刻。在旋转蚀刻机中,晶片被放置在喷嘴周围并同心旋转。之后,将晶片在热氮气氛中干燥。 硅的各向异性蚀刻尽管液体中的分子可以在...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿法化学蚀刻安全腐蚀剂的腐蚀性极强。戴上护目镜,面罩,丁腈手套,乙烯基实验室围裙,无纺布鞋。将酸加入稀释剂中。向弱酸中加入强酸。最后添加氧化剂。 Ga 2 O 3蚀刻剂参考:(2 [sec.4.3.2],8、98、99)。Ga 2 O 3的厚度通常约为。1:1-HCL:H 2 O-(10秒)1:20-H 2 SO 4:H 2 O ---(30秒)1 : 40-H 3 PO 4:H 2 O- -(20秒)盐酸:H 3 PO 4参考:(4,9,10,99)。反应速率有限。InP蚀刻速率为1:1〜2.5 µm / min。GaInP蚀刻速率为1:1〜0.60 µm /分钟。H 3 PO 4:H 2 O 2:H 2 O参考文献:(13,98,99)。反应速率有限。GaAs蚀刻速率为3:1:25〜0.30 µm /分钟。InGaAs蚀刻速率为1:1:8〜0.40 µm /分钟。InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1:1:38〜0.10 µm / min。H 2 SO 4:H 2 O 2:H 2 O参考:(1、2、3、14)。扩散率限制在〜33%H 2 SO 4以上。反应速率限制在〜33%H 2 SO 4以下。蚀刻速率与Ga和As含量成正比。InGaAsP蚀刻速率为1:1:10〜0.10 µm /分钟。C 6 H 8 O ...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1PCBA上的污染的种类印制电路板组件(PrintedCircuitBoardAssembly,PCBA)污染物是在各个工序生产过程中附着在PCBA表面肉眼可见的锡珠、残胶、油脂、指印等和不可见的助焊剂残留、粉尘等。这些污染物可以分为极性污染物、非极性污染和粒子污染物。极性污染物包含助焊剂、汗液、焊料残渣和元器件及印制电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)的氧化物等。非极性污染物包含焊剂中的松香及树脂的残留,胶带、粘结剂残留,皮肤油脂和防氧化剂等。粒子污染物包含尘埃、烟雾、棉絮、锡珠、静电粒子和PCBA加工时产生的玻璃纤维等。极性污染物会造成电迁移、枝晶生长、元器件的引脚腐蚀,严重时会引起电路失效。非极性污染物会吸附灰尘、静电粒子,引起导电接触不良,影响接插件的接触可靠性,粒子污染物则会加剧污染的危害。在以上污染物中危害最大的应属极性污染物,也就是通常说的离子污染物。离子污染物的控制对于产品质量可靠性的控制意义重大。从元器件、PCBA污染物残留的控制,到生产中使用的焊膏、焊剂、焊锡丝等选型,再到生产过程中操作人员的工作服、手套等穿戴控制,到最后产品的包装、转运工装的管理都会影响到产品污染物含量的高低,最终影响到产品的运行可靠性和寿命的长短。这些生产中的质量控制,是非常细致、周密、严格和系统的,需要投入大量的人力和物力。2清洗工艺的种类清洗工艺对解决PCBA上的污染...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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生物传感器装置由其生物或受生物启发的受体单元定义,对相应的分析物具有独特的特异性。这些分析物通常具有生物学起源,例如细菌或病毒的DNA或从被感染或受污染的生物体的免疫系统(抗体,抗原)产生的蛋白质。当具有特定特异性的生物受体单元可用时,此类分析物也可以是简单的分子,例如葡萄糖或污染物。生物传感器开发中的许多其他挑战之一是生物识别事件(转导)的有效信号捕获。这种换能器将分析物与生物元素的相互作用转化为电化学,电化学发光,磁,重量或光学信号。为了增加灵敏度并降低甚至单个分子的检测限,纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定增加量的生物受体单元,甚至自身充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定更多数量的生物受体单元,甚至可以自己充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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磷化(Ⅱ)——磷化前的预处理 一般情况下,磷化处理要求工件表面应是洁净的金属表面(二合一、三合一、四合一例外)。工件在磷化前必须进行除油脂、锈蚀物、氧化皮以及表面调整等预处理。特别是涂漆前打底用磷化还要求作表面调整,使金属表面具备一定的“活性”,才能获得均匀、细致、密实的磷化膜,达到提高漆膜附着力和耐腐蚀性的要求。因此,磷化前处理是获得高质量磷化膜的基础。 1 除油脂 除油脂的目的在于清除掉工件表面的油脂、油污。包括机械法、化学法两类。机械法主要是:手工擦刷、喷砂抛丸、火焰灼烧等。化学法主要:溶剂清洗、酸性清洗剂清洗、强碱液清洗,低碱性清洗剂清洗。以下介绍化学法除油脂工艺。 1.1 溶剂清洗 溶剂法除油脂,一般是用非易燃的卤代烃蒸气法或乳化法。最常见的是采用三氯乙烷、三氯乙烯、全氯乙烯蒸汽除油脂。蒸汽脱脂速度快,效率高,脱脂干净彻底,对各类油及脂的去除效果都非常好。在氯代烃中加入一定的乳化液,不管是浸泡还是喷淋效果都很好。由于氯代卤都有一定的毒性,汽化温度也较高,再者由于新型水基低碱性清洗剂的出现,溶剂蒸汽和乳液除油脂方法现在已经很少使用了。 1.2 酸性清洗剂清洗 酸性清洗剂除油脂是一种应用非常广泛的方法。它利用表面活性剂的乳化、润湿、渗透原理,并借助于酸腐蚀金属产生氢气的机械剥离...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1、引言在PV-TRACofEUROPEANCOMMISSION发表的“AVisionforPhotovoltaicTechnologyin2005”的报告中,可知多晶硅太阳能电池在光伏行业中所占的比例最大[1]。在21世纪光伏行业竞争激烈的今天,多晶太阳能电池的技术发展不仅要围绕着“提高效率、降低成本”两个主题,电池的外观也开始引起更多人的关注。由于多晶硅晶粒取向的随机性,制备较好的多晶硅绒面效果一直是国内外技术人员研究的热点。目前,在多晶制绒众多工艺中,酸腐蚀工艺[2.3]是一个比较容易整合到多晶太阳能电池处理工序中的制绒技术[4],基本也是成本最低、应用最为广泛的制绒技术[5]。因此,使用低成本的酸腐蚀制绒技术制备具有高效、美观的电池片已成为当今太阳能电池技术研究的重点。本文采用酸腐蚀制绒技术,通过改变酸腐液的温度和浓度配比,对多晶硅片进行各向同性腐蚀,用紫外反射光谱仪测其反射率,用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察,并进行分析,从而寻找更优的多晶硅绒面效果。2、实验原理和过程本实验样品是由英利(中国)能源有限公司生产的B参杂P型多晶A等硅片,电阻率为0.7-2.0Ω·cm,尺寸为156×156mm,厚度约为190μm。酸腐蚀制绒设备是由RENA厂家提供的RENA链式制绒机。腐蚀槽中的腐蚀液由浓度为65%的HNO3、40%的HF和去离子水(DI水)按...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。初次氧化有热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术:干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较厚SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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