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始于90年代末

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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2014年9月,国家大基金一期成立,总投资额1387亿,带动新增社会融资约5000亿,实现集成电路产业链的全覆盖。近日国家大基金披露,二期基金已到位,11月开始投资。实际募资2000亿左右,按照1∶3的撬动比,所撬动的社会资金规模在6000亿左右。二期基金投资的布局重点在集成电路装备、材料领域。2019年1-6月,我国集成电路进口额1376.2亿美元,同比下降6.9%;集成电路出口额457.5亿美元,同比增长17.1%。这说明随着我国集成电路技术的进步,以及产能的扩张,我国集成电路进口替代取得了显著的效果。我国集成电路产业从前期大力投入,开始进入收获季节,相关公司开始增收增利。近日爆发的日韩贸易战中,韩国半导体产业就因日本限制了关键半导体材料的出口,而被锁住了命运的咽喉,半导体材料也因此成为了各界所关注的焦点。在整个半导体产业链中,半导体材料处于产业链上游,是整个半导体行业的重要支撑。在集成电路芯片制造过程中,每一个步骤都需要用到相应的材料。半导体材料主要包括晶圆制造材料与封装测试材料两大类。其中,晶圆制造材料主要包括硅晶圆、光刻胶、掩膜版、电子特种气体、湿电子化学品、溅射靶材、CMP 抛光材料等;封装材料包括引线框架、基板、陶瓷封装材料、键合丝、封装树脂、芯片贴装材料等(图 1)。  图 1 半导体材料涉及工艺流程(红色为湿电子化学品应用环节)一湿电子化学品简述湿电子化...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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一、激光器的发展 1916年爱因斯坦提出了一套全新的技术理论‘受激辐射’。这一理论说明在组成物质的原子中,有不同数量的电子分布在不同的能级上,在高能级上的粒子受到某种光子的激发,从高能级跃迁到低能级上,这时将会辐射出与激发它的光相同性质的光,而且在某种状态下,能出现一个弱光激发出一个强光的现象。这就叫做“受激辐射的光放大”,简称激光。  1960年7月7日,梅曼研制成功世界上第一台激光器,梅曼的方案是,利用一个高强闪光灯管,来刺激在红宝石色水晶里的铬原子,从而产生一条相当集中的纤细红色光柱,当它射向某一点时,可使其达到比太阳表面还高的温度。  到目前为止,激光产业得到空前发展,制造出了各种各样的激光产品,其中包括固体激光器、气体激光器、液体激光器以及其他激光器。涉及到医学治疗、工业切割、测量、探测、激光武器、条形码识别等多个领域,具有非常诱人的前景。 二、半导体激光器发展及应用 半导体激光器的发展是从上世纪60年代开始的。当时的半导体激光器主要是同质结激光器,外形类似于晶体二极管,故常被称为二极管激光器,但此种激光器在实际应用中存在很多限制。第二阶段是异质结构激光器,首先是单异质结构激光器,但它因无法实现室温下连续工作而被淘汰,然后出现双异质结构激光器解决了这个问题。1978年出现了世界上第一个半导体量子阱激光器...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。         半导体材料主要应用于晶圆制造与芯片封装环节。由于半导体制造与封测技术的复杂性,从晶圆裸片到芯片成品,中间需要经过氧化、溅镀、光刻、刻蚀、离子注入、以及封装等上百道特殊的工艺步骤,半导体技术的不断进步也带动了上游专用材料与设备产业的快速发展。就半导体材料而言,主要应用领域集中在晶圆制造与芯片封装环节(如图): 半导体材料是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光刻胶、光刻胶配套试剂、湿电子化学品、电子气体、 CMP 抛光材料、以及靶材等,芯片封装材料包括封装基板、引线框架、树脂、键合丝、锡球、以及电镀液等,同时类似湿电子化学品中又包含了酸、碱等各类试剂,细分子行业多达上百个。硅片硅片的生产过程非常复杂,从硅石到硅片需要经过提纯、熔铸、拉棒、切割、抛光、清洗等多道工序。一般而言,硅片要经过硅石的三步提纯制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅,再通过熔铸、拉棒等工艺流程生产成适当直径的硅锭,最后被切割、抛光、清洗并通过质检环节后,...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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5G时代下的VR/AR是通信产业的升级方向,产业化基础已日益完备  伴随2G到4G的升级,人类基于移动终端的信息交互媒介经历了文字、语音、图片、视频的演进,而在5G时代,通信的发展有望继续拓展所传递信息的纵深。因此我们认为,基于VR/AR的实景交互代表着通信产业新的发展方向。当前时点,5G的成熟为克服3D内容实时传输问题,以及因延迟造成的眩晕问题构建了网络环境,而相应光学元件、显示方案、专用芯片的推出则为终端的兴起搭建了硬件基础。此外,下半年及明年华为、苹果等大品牌终端的发布有望提振VR市场热度,推荐歌尔股份、水晶光电、利亚德、京东方A,建议关注韦尔股份、联创电子、苏大维格、汇顶科技。  5G网络的传输速度有效解决终端互联和眩晕问题  现阶段主流VR头显刷新率在75-90Hz,在90Hz刷新率以及H.264压缩协议下,我们计算得到1K分辨率的VR内容需要21Mbps码率,相较于仅能提供10Mbps码率的4G网,5G可实现100-1024Mbps码率,已经可以满足未来单眼8K的码率要求。此外,VR头显的显示时延极限为20ms,若超过20ms部分用户会有明显的眩晕感,目前VR头显的内部图像渲染以及刷新等时间约15-16ms,若增加4G网络下额外10ms时延,用户感知时延将远超过20ms,而仅有1ms的超低时延的5G可有效解决该问题。  VR芯片、光学元件、显示屏等硬件基础已具备,VR头...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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1引言硅片上的有机﹑无机和颗粒状杂质通常是以化学或物理吸附的方式结合于硅片表面或包埋于硅片自身的氧化膜中。这些沾染物及颗粒状杂质会严重影响器件的性能﹑可靠性和成品率。实验表明,有超过50%的次品是由于清洗不当造成的,从而使得超净表面的制备工艺成了制作大规模和超大规模(VLSI)集成电路(IC)的关键技术。所谓超净表面即要求硅片表面无颗粒状杂质和有机、金属沾染物(保守地说,表面的金属杂质应少于每平方厘米1010个原子;大于0.1mm的粒子应少于每平方厘米0.1个),无自身氧化物,完全氢终端﹑表面的微观粗糙度要小[1,2]。因此清洗时必须有效地去除表面有机与无机沾染物,而又不侵蚀和破坏硅片表面或导致表面粗糙化。目前世界各国在半导体器件生产中普遍采用的是Kern于1970年发明的RCA标准清洗方法[1]。自90年代初期,人们开始致力于新型清洗工艺和清洗剂的研究以取代RCA清洗技术。1996年W.A.Cady和M.Varadarajan[3]提出了采用四甲基氢氧化氨[N(CH3)4OH)]与羧酸盐缓冲剂配置的碱性水溶液喷雾清洗法;1997年JoongS.Jeon和SriniRaghavan[4,5]提出了利用兆声波激发臭氧水对硅片进行清洗;1998年GeoffreyL.Bakker[6]等人提出了用水和水/CO2混合溶液在高温、高压下的清洗等等。1995年山东大学光电材料与器件研究所研制成...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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一、什么是半导体?半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多,用于制造半导体的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)。纯净的半导体电阻率很高,几乎不导电。但在特定的条件下,如光照、掺杂等,它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低,并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P(空穴导电)型半导体和N(电子导电)型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时,在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性,利用它可以制得常用的二极管。在集成电路制造中,常用的衬底材料是硅单晶片,根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同,可把它分为和等晶向。在mos集成电路制造中,选用的是晶向的圆片。二、什么是集成电路?不同导电类型的半导体组合在一起,可以做成二极管、三极管、电容、电阻,如果把这些元件做在同一块芯片上,完成一定的电路功能,就称之为集成电路。集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路,MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。三、集成电路中的常用薄膜。多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器,及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中,它有以下几种用途:作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜,...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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背景技术半导体单晶硅作为硅的单品体结构,具有光学性能好、禁带宽度低、热稳定性好等优点,是光、电、热的优良载体,在半导体集成电路、太阳能发电等方面应用非常广泛。同时,以单晶硅为基础制作的硅材质托盘应用于蓝宝石村底材料及窗口材料的生产过程中,可以大幅度提高生产过程的稳定性,降低光学、电学缺陷的产生概率。氮化铝(AIN)应用于半导体中属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度宽、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点,但其较高的化学情性使对其清洗及洗净再生过程产生了一定的难度。发明内容针对现有技术存在的问题,本发明提供半导体12英寸单晶硅托盘表面氨化铝薄膜的清洗去除方法,采用一定比例的氢氧化钾(KOH)、双氧水(H2O2)与水(H20)的混合溶液(液A)清洗去除单晶硅托盘表面氮化铝薄膜,KOH在混合液中起到去除单晶硅表面沉积ALN的作用,而H202在混合液中起到保护单晶硅的作用,浸泡过程单晶硅清洗侵蚀量大约为0.005mm左右;并采用体积分数为3.4%的氨氟酸(HF)作为刻蚀药液(溶液B),通过HF的刻蚀作用,可以有效降低并控制溶液A对单晶硅托盘表面晶界性能的影响,同时清洗损耗和产品质量均可以得到很好的控制,具有成本低、损耗量低、洁净度高、均匀性好等优点。本发明的技术方案是:半导体12英寸单晶硅托盘表面氮化铝薄膜的清洗去除方法,具体步骤如下:步骤一、选取两个聚丙烯材料制作的浸...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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以锗为衬底的化合物电池由于具有转换效率高、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优势,在航空航天领域得到了广泛的应用。多节化合物电池用锗衬底通常为高表面质量的锗抛光片,要求其表面无颗粒沾污、无有机沾污、无表面缺陷。要使锗抛光片表面达到这一标准,清洗是非常重要的环节。紫外线/臭氧清洗技术是一种非接触式的干法清洗技术,不受溶液表面张力的影响。被清洁的表面仅与紫外线和臭氧作用,不与其他物体发生接触。并且有机物经过紫外光照射发生光敏氧化反应后,仅生成可挥发性气体,不会造成溶液清洗时的二次污染。与此同时,紫外光是短波光线,能够射入材料表面并在与臭氧的协同作用下与表面物质发生氧化反应,形成均匀的氧化物薄膜。紫外光子辐照的能量相对比等离子体溅射或惰性气体离子轰击的能量小,一般情况下,经过紫外线/臭氧处理的表面不会受到损伤或发生晶体缺陷。在RCA标准清洗法中,利用DHF清洗来剥离自然氧化层,从而达到去除氧化层中金属离子的目的。但由于HF并不溶解锗O或其他非正四价态锗氧化物,只溶解锗O:和极少量的锗混合态氧化物,所以本文采用对锗0和锗0:有很好溶解能力并且不与锗发生反应的盐酸进行清洗。紫外线/臭氧处理过程中,由于臭氧具有类似于H2O2的氧化电势,其可在锗抛光片表面形成洁净的氧化物薄膜,因此可以采用紫外线/臭氧干法氧化的方式替代H2O2的氧化作用。本文从降低锗抛光片雾值、提高表面质量为出发点,以紫外线/臭氧代替H2...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1前言众所周知,循环水已用于石油、化工、钢铁等各行各业,在循环水的使用中,由于水质的不同,会形成各种沉积物,这些沉积物以无机盐为主,成为无机垢;而在有机物的使用或生产过程中,由于高温等因素的影响,经常会导致有机垢的形成;在有些地方,则会同时形成无机垢和有机垢。垢的形成,会给生产和安全带来一系列影响,主要表现四:①影响生产的正常运行。严重的污垢沉积,使生产设备的性能下降,甚至不能正常运行;②增加成本。一般地,污垢的形成使热交换率大幅度降低,能耗明显增加;③引发各种事故,原材料泄露,引起厂房及工作人员的损伤。④影响材料性能和设备寿命,金属的污垢,如吸湿性的尘土和无机盐,容易吸附空气中的腐蚀性气体,如二氧化硫、二氧化碳,硫化氢等,进而腐独金属的表面,使金属失去光泽,产生麻点,强度下降;污垢下会发生腐蚀,缩短设备的寿命。本文对各种常见无机垢和有机垢的形成机理、清洗方法进行全面评述2无机盐垢的形成及清洗2.1碳酸盐垢2.1.1碳酸钙垢的成因以碳酸钙和碳酸镁为主要成分,碳酸镁容易水解生成碱式碳酸镁,进而形成溶解度更低的氯氧化误在天然水中,钙的含量夫于镁,所以碳酸盐垢的主要成分为碳酸号,有少量的碳酸钱和氧氧化锁碳酸盐水垢一般为自色片状物当含有金属氧化物时,会带有颜色,如有铁锈时,早粉红色或红褐色它难溶于与冷水,也难溶于热水,但易溶于无机强酸,如盐酸、硝酸和高氯酸等。在工业用水中存在着各种离子,有...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1前言Schwartzman等人[1],1993在SC1、SC2清洗时使用了兆频超声技术,获得前所未有的清洗效果,使得该方法在清洗工艺中被广泛采用,也引发了对超声波增强清洗效果的规律与机理的研究。1995年Busnaina的研究表明,兆频超声波去除粒子的能力与溶液的组成、粒子的大小、超声波的功率及处理时间有关。1997年Olim[2]发现兆频超声去除粒子的效率与粒子直径的立方成正比,并由此推断兆频超声无法去除0.1μm以下的粒子。但是,兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上<0.2μm的粒子,起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。但是,随着频率升高,声传播的效率会降低,所以兆声波清洗技术效果并不是频率越高越好。目前,一般用的频率范围是(700~1000)kHz。2兆声波清洗原理简介声能在液体内传播时,液体会沿声传播的方向运动,形成声学流(Acousticstreaming),声学流是由声波生产的力和液体的声学阻力以及其他的气泡阻力形成的液体的流动的效果[3],兆声波清洗就是利用声能产生的液体流动来去除硅片表面的污染物,其原理见图1。兆声波清洗是由高频(700~1000kHz)的波长短(1.5μm左右)的高能声波推动溶液做加速运动,使溶液以加速的流体形式连续冲击硅片表面,使硅片表面的颗粒等污染物离开硅片进入...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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