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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们提出了一种将具有有益光散射特性的表面形貌引入溅射沉积的氧化锌:铝薄膜的新方法,该薄膜用作硅薄膜光伏器件中的前接触。电化学阳极化用于触发局部溶解,导致界面结构与通常在稀释的盐酸中通过蚀刻步骤制备的结构互补。通过电化学腐蚀条件和电解液的系统变化,评价了设计氧化锌薄膜表面的基本实验参数。用扫描电镜、四点电阻和霍尔测量对制备的薄膜进行了表征。此外,电化学和化学蚀刻步骤相结合,以产生各种不同的表面形态。这种薄膜在微晶硅单结太阳能电池中的应用已显示出良好的初步结果。 实验大约800 nm厚的多晶ZnO:Al薄膜在垂直直列系统中使用射频(RF)磁控溅射沉积在清洁的玻璃衬底上。该系统由ZnO组成的陶瓷靶制成。沉积在300℃的衬底温度、2W·cm-2的放电功率密度和0.1帕的氩气压力下进行。使用恒电位仪进行了电化学实验,三电极装置,利用铂丝作为反电极和银|氯化银|3 M KCl参比电极,所有给定电位均参考该电极。ZnO:Al覆盖的衬底被切割成块,并且这些被连接作为工作电极。在所有电化学实验中,温度保持恒定在25℃。电化学处理后,在热的去离子水中清洗衬底,以去除源自电解质溶液的盐残留物。在(30×30) cm2反应器中通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅膜。背面接触由来自与正面接触相同系统的溅射沉积ZnO:Al和通过...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化铝(AlN)是一种ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料。优异的机电性能使其适用于微机电系统谐振器。薄膜体声波谐振器(FBAR)被广泛研究和使用。压电氮化铝微机电系统谐振器具有“三明治”结构:底部电极层,氮化铝层和顶部电极层。这些类型谐振器的衬底通常是硅。在制造过程中,氮化铝的蚀刻是一个关键的过程。蚀刻结果将强烈影响性能参数,例如谐振频率和品质因数。最近,电感耦合等离子体(ICP)蚀刻工艺被广泛用于氮化铝蚀刻工艺。但在此过程中仍存在侧壁角度差、微切效应和底部粗糙等问题。      本文主要研究氮化铝的刻蚀工艺。采用了等离子体刻蚀技术。本方法展示一些主要的刻蚀工艺参数。蚀刻结果通过蚀刻速率、选择性、侧壁角度、底部表面粗糙度和微压痕来表征。 实验      本方法的刻蚀样品为多晶氮化铝薄膜,厚度为450纳米,晶体取向为(002)。用x光衍射测得的半峰全宽(FWHM)为1.7,用原子力显微镜测得的粗糙度均方根为3.2纳米。通过扫描电子显微镜(SEM)测量的晶粒尺寸值约为50纳米。使用厚度为1微米的二氧化硅硬掩模。在本文中,选择性是氮化铝与二氧化硅的蚀刻速率比。氯基气体通常用于氮化铝的蚀刻过程。蚀刻产物是一系列铝氯挥发性化合物,如三氯化铝、二氯化铝和...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      绝缘体上硅(SOI)结构是低功耗和高速应用中金属氧化物半导体器件最有吸引力的候选结构之一,因为使用这种结构很容易降低耦合电容。典型厚度为几个100纳米的完全绝缘的掩埋二氧化硅层消除了几个泄漏路径。然而,许多不同的SOI结构目前正在研究中,具有标准的体结构。然而,SOI衬底是昂贵的,并且掩埋的二氧化硅的差的导热性可能产生热量问题。特定的衬底处理,如氧离子注入分离和外延层转移,必须在器件制造之前准备好。本文研究了老化时间和腐蚀时间对硅锗混合腐蚀液腐蚀速率的影响,即1 vp HF (6%)、2 vp H2O2 (30%)和3 vp CH3COOH (99.8%)。 实验      利用减压化学气相沉积系统生长了用于选择性湿法刻蚀的样品。硅衬底是在硅锗层生长之前,通过正常的清洁程序(氢烘焙步骤,以清除表面的天然氧化物,在1100℃下进行)进行清洁。然后将硅烷和GeH4(1.5%稀释)切换到反应器中,开始SiGe层的生长。硅烷和GeH4的流量分别为10~100sccm和40~300sccm。h2的流量固定在10slm。生长温度为600℃,硅锗层的生长速率为3.8纳米/分钟。最后,通过沉积40纳米硅盖层完成层结构。锗硅层中的锗浓度为20%。用透射电镜和EDX法测定了层的厚度...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      碳化硅(SiC)是高功率和高温( 150℃)电子应用的理想材料,因为其作为高临界电场的优异性能,可在高外加工作电压(2500千伏/厘米)下工作,并具有良好的导热性(4.9瓦/厘米3)。然而,在碳化硅上异质外延生长功能氧化物薄膜是一个具有挑战性的关键目标,以实现在下一代电子器件中使用碳化硅的全面成功。形成突然而有效的界面是功能氧化物在半导体上集成的基本要求之一。必须开发一个可靠且成功的清洁程序,以产生一致且特性良好的起始表面。据报道,一些碳化硅表面清洁研究,包括高温氢蚀刻和氢等离子体处理,可以去除抛光过程中产生的污染物和划痕。      在本文中,我们演示了氢原子束源(HABS)产生的氢原子对清洗衬底的影响,以了解氢原子与表面的基本相互作用。 方法      用氢原子代替H2分子清洁衬底已被证明是在相对较低的温度下去除一系列半导体材料中的表面碳氢化合物和氧化物的有效途径,包括GaAs、InAs和InP。在目前的方法中,用于清洁的氢原子是由氢原子束源(HABS)热表面的氢气离解产生的。HABS是一个热裂解炉,由一根钨丝装在高纯度钨管中组成。6H-SiC衬底用有机溶剂脱脂,然后引入UHV(超高真空)室。然后,在700℃的衬底温度下,将它们...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      碱性溶液中的湿化学各向异性蚀刻是工业太阳能电池纹理化最常见的工艺。使用湿化学各向异性蚀刻技术在单晶硅晶片(100)的表面上形成微锥体结构。主要目的是根据硅表面反射率评估蚀刻剂的性能。选择不同的异丙醇体积浓度(2、4、6、8和10%)和不同的蚀刻时间(10、20、30、40和50分钟)来研究硅片的总反射率。其他参数如氢氧化钠浓度(12%重量)。      溶液温度(81.5℃)和搅拌器速度范围(400 rpm)在所有过程中都保持恒定。用光学显微镜和原子力显微镜分析了晶片的表面形貌。AFM图像证实了均匀的金字塔结构。 实验      在这项工作中使用了厚度为500μm、电阻率约为0.1 Ω⋅cm的p型单晶Si100晶片。首先将硅片切割成约1 cm2的样品。清洗过程分两步进行:第一步是从硅样品中去除污染物。在这一步中,样品在去离子水(DI-W)中清洗5min,然后在室温超声处理下用无水乙醇清洗5min。第二步是去除任何天然氧化物。该步骤在∼10%HF中进行1min。在流动的DI-W中彻底清洗后,样品在溶液中蚀刻。实验在浸在油浴中的玻璃通量中进行,以实现溶液的间接加热,如图3。 图3 本工作中使用的纹理过程设置的示意图 ...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要由于硅晶片的高反射率,硅表面纹理化是制作硅太阳能电池不可缺少的步骤。因此,表面纹理和抗反射涂层如SiNx对于降低太阳能电池的表面反射率是必要的。目前,用于使硅晶片纹理化的工业化技术通常基于通过各向异性蚀刻的单晶硅的碱性溶液或者通过各向同性蚀刻形成多晶硅的酸溶液。我们通过一步铜辅助化学蚀刻(CACE),硅太阳能电池中的光反射最小化,成功实现了所谓的倒金字塔阵列,其性能优于传统的直立金字塔结构。由于Cu2+/Cu的还原潜力较低不同硅平面的电子性质,硅衬底的刻蚀表现出取向依赖性。与碱性溶液获得的直立金字塔不同,倒金字塔的形成是各向异性蚀刻和局部蚀刻过程共存的结果。无论硅衬底的取向如何,所获得的结构都被蚀刻速率最低的硅{111}面所限制。定量分析了硅刻蚀速率和(100)/(111)刻蚀比。系统地研究了碱性和铜基酸性蚀刻剂对硅的各向异性蚀刻的不同行为。 实验掺硼(1–3ωcm)、500微米厚、(100)、(110)和(111)取向的双抛光硅晶片在丙酮中彻底清洗以去除任何有机污染物,然后在蚀刻前用去离子水清洗。直立的金字塔结构是通过在含2 wt%钾的碱性溶液中蚀刻获得的氢氧化钾和10体积%异丙醇。与此同时,我们在50℃下使用含5毫摩尔铜(NO3)2、4.6毫摩尔氟化氢和0.55毫摩尔过氧化氢的铜基酸溶液获得倒金字塔结构。在超声浴中使用浓硝酸去除...
发布时间: 2021 - 11 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言晶圆直接键合(WDB)是一种不用胶水就能键合干净的镜面抛光晶圆的技术。当键合晶片在高温下退火时,相对较弱的室温键合(通过范德华力或氢键合键合)被较高强度的键合(如共价键合)所取代。我们使用4英寸耐热玻璃和硅片研究了玻璃/硅直接键合中的清洗和退火效应。检查SPM清洗(硫酸-过氧化物混合物,H2SO4 :H2O2=4:1,120°C)、RCA清洗(NH4OH:H2O2 :H2O=1:1:5,80°C)以及这两种方法的组合,以研究晶片清洗效果。当晶片在SPM清洗后用RCA清洗时,在室温下获得最大的键合质量。通过原子力显微镜测量的表面粗糙度与室温下的结合质量一致。当退火温度增加到400℃时,结合强度增加,但是在450℃时发生剥离。玻璃和所用硅晶片的热膨胀系数的差异导致了这种剥离。当在室温下键合的晶片在300或400℃退火时,键合强度增加28小时,然后随着进一步退火而降低。进一步退火导致的结合强度下降是由于钠离子通过玻璃/硅界面漂移。 实验我们用四英寸直径的硼硅酸盐7740派热克斯玻璃晶片和硅晶片来研究,厚度分别为500米和525米。硅晶片为p型,电阻为4ω,玻璃晶片含有12.7% B2O3和其他元素,包括Na2O (4.00%)、Al2O3 (2.30%)、K2O (0.04%)和Fe2O3(0.03%)。SPM(硫酸-...
发布时间: 2021 - 11 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言等离子体蚀刻是集成电路制造过程中最重要的步骤之一,氟是许多这类等离子体中的主要蚀刻剂。因此,许多表面科学研究致力于氟物种与硅的相互作用,以阐明蚀刻过程的基础物理和化学。到目前为止,大多数硅/二氟化氙反应的温度依赖性研究都集中在产物分布上。在分子束装置中定量研究了硅(100)/二氟化氙刻蚀反应的温度依赖性。在150 K的样品温度下,反应概率最初达到统一,之后二氟化氙凝结在表面上并阻止蚀刻过程。使用热解吸光谱测量的SiFx反应层的稳态氟含量在300 K时达到最大5.5个单层。随着温度的升高,它降低到700 K以上的亚单层覆盖率。通过将二氟化氙前体包括在先前开发的吸附模型中,反应层形成的温度依赖性得到了很好的描述。 实验实验是在一个多光束装置中完成的。研究的样品都是n型(磷,2–3ω·cm)硅(100)表面。用HF清洗样品以除去天然氧化物后,将其安装在UHV室中,背景压力低于10-8托。镍样品架的温度可以控制在100-1000K。在每次实验之前,样品被加热到900K,以去除所有剩余的氟。为了验证样品没有被样品架上的镍污染,一些样品在实验结束后被转移到不同的装置中,并进行俄歇和XPS分析。没有发现镍或任何其他金属的痕迹,这表明污染物的影响可以忽略不计。二氟化氙通过与表面法线成52°角的流出气体源提供。根据二氟化氙蒸汽压和...
发布时间: 2021 - 11 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料,其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂,并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔,这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制。执行蚀刻机制的成功之处在于,多层结构的顶层应该被完全去除,而在底层或掩模层中没有任何种类的损伤。这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比,称为选择性。在一些蚀刻情况下,蚀刻会削弱掩模层,并产生形成空腔的倾斜侧壁。底切的距离称为偏差。 蚀刻类型      各向同性蚀刻:湿蚀刻剂通常是各向同性的,并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差。它们还需要处理大量有毒废物。这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效,在该处理中,晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄,并且对热或机械类型的应力非常敏感。蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹,导致晶片具有显著增加的强度和柔性。      对于各向同性湿法蚀刻,氢氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混...
发布时间: 2021 - 11 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言超声波已广泛应用于各种行业,如制造业、工业清洗和半导体晶片清洗工艺。在这项工作中,我们将超声波用于太阳能电池晶片清洗系统。我们设计并制作了一个频率为750千赫的太阳能电池晶片中频清洗系统。利用有限元分析设计了系统。获得的峰值导纳值为750.0千赫。根据分析结果,制作了系统,测量了系统的导纳特性。测量数据显示753.1千赫,这个值与有限元结果一致,误差为0.4%。进行了声压测试,结果发现压力范围为283%至328%,标准偏差范围为36.8%至39.2%。然后,进行晶片损伤测试,并且没有观察到损伤。最后,进行颗粒清洗试验;当我们施加1100 W时,99.8%的颗粒被去除。这些结果表明,所开发的中声槽具有有效清洁而不会造成晶片破裂的能力。 实验声压测量:制造超声波浴后,测量充满水的板上的声压分布。实验装置由附在夹具上的水听器传感器和三轴移动柱以及计算机分析系统组成,如图7所示。测量数据时,传感器以0.05毫米的步长沿之字形路径移动,以便能够详细扫描所需区域。测量数据被传输到计算机,压力分布被实时显示。保存数据文件后,通过计算最大值和标准偏差值进行分析。首先,我们将水箱装满水,并通过调节发电机来启动电源。功率从200瓦增加到700瓦,其值可能不会损坏太阳能晶片。供电时,由于系统的目标,传感器将浸入水面下3毫米,这确保了它将在水中工作进行清洁...
发布时间: 2021 - 11 - 12
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